• 조명전기설비학회논문지
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• 제19권3호
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• pp.51-56
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• 2005

접지의 성능을 결정하는 기본 요소인 접지저항을 측정하는 것은 성능평가를 위한 중요한 기술이 된다. 접지저항의 정확한 측정을 위하여는 측정 환경상 고려하여야 할 주요한 변수들이 있는데 실제의 측정 현장에서 이러한 변수들을 알고 측정하기는 곤란한 것이 현실이다. 본 논문에서는 3점전위강하법상의 전류전극에 이르기까지 나타나는 전위차 특성 곡선에 대하여 측정 환경 변수의 특성을 내포하고 있는 변이율이라는 개념을 도입하여 미지의 측정 환경 변수중에서도 가능한 접지저항의 참값에 근접한 측정을 지향하는 방법을 제의한 것이다. 이 이론은 이미 기검증된 논문들의 결과 내용을 분석함으로써 귀납적인 결론을 유도한 것이다.

• 한국신뢰성학회지:신뢰성응용연구
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• 제16권1호
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• pp.41-47
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• 2016

Purpose: The purpose of this study was to evaluate electrical and structural degradation of flexible CIGS sollar cell exposed to high temperature and humid atmosphere. Method: Accelerated degradation was performed for various time under $85^{\circ}C/85%RH$ and then electrical and structural properties were analyzed by 4-point probe method, scanning electron microscopy (SEM), energy dispersive spectroscopy (EDS), and X-ray diffraction (XRD). Results: Sheet resistance of the top ITO layer increased with exposure time to the high temperature and humid atmosphere. Blunting of the protrusion morphology of ITO layer was observed for the degraded specimen, while no phase change was detected by XRD. Oxygen was detected at the edge area after 300 hours of exposure. Conclusion: Increase in electrical resistance of the degraded CIGS solar cell under high temperature and humid environment was attribute to the oxygen or water absorption.

• 전기학회논문지P
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• 제59권2호
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• pp.222-231
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• 2010

This paper presents numerical analysis of measurement errors of ground electrode using the fall-of-potential method. In order to analyze ground resistance error according to the positions of auxiliary probes, firstly, national and international standards were researched. Secondly, numerical ground resistance error of hemispheric electrode was analyzed according to the locations of auxiliary probes and the angle between probes. Then, error-reduced positions of auxiliary probes were shown according to the distance to auxiliary current probe versus ground electrode size. Finally, error compensation method was presented. The results presented in this paper provide useful information regarding ground resistance error of alternative positions of auxiliary probes in case that the auxiliary probes could not be located at the proper position in such cases as there are buildings, roadblock or underground metallic pipe at that position.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2004년도 춘계학술대회 논문집 반도체 재료 센서 박막재료 전자세라믹스
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• pp.137-140
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• 2004

We treated $O_2$ plasma on ITO thin film using RIE (Reactive Ion Etching) system, and analyzed the ingredient of ITO thin film according to change of processing conditions. The ingredient analysis of ITO thin film was used by EDS (Energy Dispersive Spectroscopy) and XPS (X-ray Photoelectron Spectroscopy) to compare and analyze the ingredient of bulk and surface. We measured electrical resistivity using Four-Point-Probe and calculated sheet resistance, and ITO surface roughness was measured by using AFM (Atomic Force Microscope). Finally, we fabricated OLEDs (Organic Light-Emitting Diodes) device using substrate that was treated optimum ITO surface. The result of the study for electrical and optical properties using I V L System (Flat Panel Display Analysis System), we confirmed that electrical properties (I-V) and optical properties (L-V) were improved.

• 전기학회논문지
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• 제60권12호
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• pp.2276-2280
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• 2011

An indium-tin-oxide (ITO) is normally used as a substrate in organic photovoltaic cells. We examined the effects of an oxygen ($O_2$) plasma treatment on the electrical properties of an organic photovoltaic cell. Experiments with four-point probe method and atomic force microscope revealed the lowest surface resistance of 17.64 ${\Omega}$/sq and the lowest average surface roughness of 1.39 nm at the plasma treatment power of 250 W. A device structure of ITO/CuPc/$C_{60}$/BCP/$Cs_2CO_3$/Al was fabricated by thermal evaporation with and without the plasma treated ITO substrate. It was found that the power conversion efficiency of the cell with the plasma treated ITO is 65 % higher than the one without the plasma treated ITO.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제11권6호
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• pp.271-274
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• 2010

We examined the tunneling current behaviors of magnetic tunneling junction (MTJ) cells utilizing conductive atomic force microscopy (AFM) interfaced with an external magnetic field generator. By introducing current through coils, a magnetic field was generated and then controlled by a current feedback circuit. This enabled the characterization of the tunneling current under various magnetic fields. The current-voltage (I-V) property was measured using a contact mode AFM with a metal coated conducting cantilever at a specific magnetic field intensity. The obtained magnetoresistance (MR) ratios of the MTJ cells were about 21% with no variation seen from the different sized MTJ cells; the value of resistance $\times$ area (RA) were 8.5 K-12.5 K $({\Omega}{\mu}m^2)$. Since scanning probe microscopy (SPM) performs an I-V behavior analysis of ultra small size without an extra electrode, we believe that this novel characterization method utilizing an SPM will give a great benefit in characterizing MTJ cells. This novel method gives us the possibility to measure the electrical properties of ultra small MTJ cells, namely below $0.1\;{\mu}m\;{\times}\;0.1\;{\mu}m$.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제24권4호
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• pp.73-77
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• 2017

최근 정보 보호가 이슈화됨에 따라 지문인식센서의 활용이 점차 증가하고 있으며, 센서 인식률 오차를 최소화 할 수 있는 품질평가를 요구한다. 지문인식센서 전극과 검사부 프로브 팁이 접촉 시 발생하는 저항 값의 변화에 의해 센서의 품질이 평가되며, 품질평가의 재현성을 확보하기 위해서는 센서 전극의 변형 유발을 최소화할 수 있는 프로브 소재의 적합성과 구조 최적화 연구가 필요하다. 프로브 팁의 적합성 평가를 위한 소재로 니켈(Ni), 스틸(SK4), 베릴륨동(Beryllium copper), 인청동(Phosphor bronze)을 비교하였으며, 프로브 팁 접촉 후 전극의 압흔 크기와 접촉저항을 고려할 때 베릴륨동이 프로브 소재로 적합하다. 검사부 프로브는 지문인식센서 전극의 물리적 손상 방지와 다수의 지문인식센서 동시 검사가 가능한 구조를 위해 일체형 프로브 방식으로 제작하였다. 검사부의 재현성은 특정 전류 값을 인가하여 지문인식센서의 전압 변화로 판단하였으며, 베릴륨동 프로브 소재와 일체형 구조를 통해 센서 전극에 프로브가 300회 접촉하는 동안 센서의 전압 변화는 ${\pm}0.003V$ 이내의 우수한 재현성을 확인하였다.

• 한국지반공학회논문집
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• 제25권2호
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• pp.45-54
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• 2009

흙의 전기적 특성은 지반 상태를 평가하는 방법으로 사용되어 왔다. 본 논문의 목적은 현장 지반의 간극률을 우수한 정밀도로 평가하기 위한 현장 관입용 전기비저항 콘 프로브의 개발 및 적용성 평가이다. 전기비저항 콘 프로브는 관입에 따른 교란을 최소화시키기 위해 콘 모양으로 제작되었다. 또한 전기적 간섭을 최소화시키기 위해 외부전극과 중심전극이 4단자 쌍 회로 방식으로 구성되어 있다. 개발된 장비의 현장 적용성 정가를 위하여 인천과 부산에서 현장실험을 수행하였으며, 콘관입장비를 이용하여 0.33mm/sec의 속도로 관입하면서 선단부에서 전기비저항 값을 측정하였다. 측정된 전기비저항 값과 비교란 시료로부터 얻은 간극수의 전기비저항 값을 Archie에 의해 제안된 경험식에 적용하여 대상지반의 간극률을 계산하였다. Archie 경험식의 실험상수는 비교란시료로부터 추출한 간극수에 근거하여 결정하였다. 산정된 간극률의 프로파일을 동일 지역에서 수행된 SPT, CPT, 그리고 DMT의 지반조사 결과와 비교한 결과 경향성이 상당히 유사한 것으로 나타났다. 본 논문에서 제안된 ERCP는 대상 지반의 교란을 최소화시키며 현장의 국부적인 간극률 산정에 효과적인 장비일 것으로 나타났다.

• 한국조명전기설비학회:학술대회논문집
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• 한국조명전기설비학회 2008년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.313-316
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• 2008

This paper presents the error factors of Fall-of-potential test method used in measurements of the grounding-system impedance. This test methods inherently can introduce two possible errors in the measurements of grounding-system impedance: (1) ground mutual resistance due to current flow through ground from the ground electrode to the current probe, (2) ac mutual coupling between the current test lead and the potential test lead. The errors of ground mutual resistances and ac mutual coupling are expressed by the equation in calculating grounding impedance. These equations were calculated by Matlab that is commercial tool using mathematical calculation. The results of calculation were applied to correct grounding impedance.

• 대한전기학회논문지
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• 제40권6호
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• pp.590-597
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• 1991

Ion reflective index and sheet resistance in the silicon oblique range smaller than 8 degree and optimization of annealing temperature have been studied. A four point probe was used to obtain the sheet resistance after annealing, while high resolution SIMS was used to determine the Boron and Fluorine atomic profiles before and after annealing. Experimental results and theory of ion reflective index are compared. Ion reflective index was found to decrease according to increasing an ion oblique angle. We introduce a simple analytical model ion reflection, concidering the Rutherford scattering model. This result can not be explained by the conventional Gaussian model.