• 약학회지
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• 제53권4호
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• pp.228-234
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• 2009

Topoisomerase I (Topo I) participates in the DNA replication, transcription, and repair. Binding of Topo I inhibitor to the Topo I-DNA cleavage complex forms stabilized ternary complex which blocks DNA religation and ultimately causes cell death. Camptothecin (CPT) and its derivatives have been among the most effective anticancer drugs by inhibition of topo I. However, efforts to synthesize non-CPT drugs have been actively going on because the CPT derivatives have several limitations such as poor solubility, short half-life, and side effects. As an indenoisoquinoline, NSC314622 is not as potent as CPT, but its chemical stability and slower reversibility of the cleavage complex made it a good lead compound. Recently, a series of indenoisoquinoline analogues were synthesized with substituted dimethoxy or methylenedioxy on the aromatic ring and alkylamino on the lactam nitrogen. Some of them showed quite good Topo I inhibitory activity. Using the computer docking program, Surflex-Dock, indenoisoquinoline analogues were docked into the human Topo I-DNA cleavable complex. The docking results showed that the compounds with activity better than NSC314622 intercalated between the -1 and +1 base pairs at the cleavage site, but those with little or no activities did not appear to intercalate. These results could be useful to design new Topo I inhibitors improved than CPT.

• 대한화학회지
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• 제53권3호
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• pp.266-271
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• 2009

고체 화합물 La7Os4C9 속에 있는 [Os4C9]21‑ 사슬의 전자구조와 화학결합을 extended Hückel 계산 결과에 의해서 논의하였다. 탄소 원자는 물론 (C2)2‑ 분자의 결합 특성은 비교적 큰 Os-C 상호작용을 나 타내었고 특히 (C2)2‑ 분자의 결합길이 증가는 Fermi level 바로 아래에 Os-C2(1 πg) 결합 밴드의 존재로 인 해서 반결합 1πg 오비탈에 부분적인 전자점유가 일어나기 때문인 것으로 해석된다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2001년도 추계학술대회 논문집
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• pp.193-196
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• 2001

Single phase CuInS$_2$ thin film with the highest diffraction peak (112) at diffraction angle (2$\theta$) of 27.7$^{\circ}$ and the second highest diffraction peak (220) at diffraction angle (2$\theta$) of 46.25$^{\circ}$ was well made with chalcopyrite structure at substrate temperature of 70 $^{\circ}C$, annealing temperature of 25$0^{\circ}C$, annealing time of 60 min. The CuInS$_2$ thin film had the greatest grain size of 1.2 ${\mu}{\textrm}{m}$ and Cu/In composition ratio of 1.03. Lattice constant of a and c of that CuInS$_2$ thin film was 5.60 $\AA$ and 11.12 $\AA$ respectively. Single phase CuInS$_2$ thin films were accepted from Cu/In composition ratio of 0.84 to 1.3. P-type CuInS$_2$ thin films were appeared at over Cu/In composition ratio of 0.99. Under Cu/In composition ratio of 0.96, conduction types of CuInS$_2$ thin films were n-type. Also, fundamental absorption wavelength, the absorption coefficient and optical energy band gap of p-type CuInS$_2$ thin film with Cu/In composition ratio of 1.3 was 837 nm, 3.0x10 $^4$ $cm^{-1}$ / and 1.48 eV respectively. When CuAn composition ratio was 0.84, fundamental absorption wavelength, the absorption coefficient and optical energy band gap of n-type CuInS$_2$ thin film was 821 nm, 6.0x10$^4$ $cm^{-1}$ / and 1.51 eV respectively.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2006년도 추계학술대회 논문집 광주전남지부
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• pp.119-122
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• 2006

Process variables for manufacturing the $CuInSe_2$ thin film were established in order to clarify optimum conditions for growth of the thin film depending upon process conditions (substrate temperature, sputtering pressure, DC/RF Power), and then by changing a number of vapor deposition conditions and Annealing conditions variously, structural and electrical characteristics were measured. Thereby, optimum process variables were derived. For the manufacture of the $CuInSe_2$, Cu, In and Se were vapor-deposited in the named order. Among them, Cu and In were vapor-deposited by using the sputtering method in consideration of their adhesive force to the substrate, and the DC/RF power was controlled so that the composition of Cu and In might be 1:1, while the surface temperature having an effect on the quality of the thin film was changed from 100[$^{\circ}C$] to 300[$^{\circ}C$] at intervals of 50[$^{\circ}C$].

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제20권7호
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• pp.600-605
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• 2007

Process variables for manufacturing the $CuInSe_2$ thin film were established in order to clarify optimum conditions for growth of the thin film depending upon process conditions (substrate temperature, sputtering pressure, DC/RF Power), and then by changing a number of vapor deposition conditions and Annealing conditions variously, structural and electrical characteristics were measured. Thereby, optimum process variables were derived. For the manufacture of the $CuInSe_2$, Cu, In and Se were vapor-deposited in the named order. Among them, Cu and In were vapor-deposited by using the sputtering method in consideration of their adhesive force to the substrate, and the DC/RF power was controlled so that the composition of Cu and In might be 1 : 1, while the surface temperature having an effect on the quality of the thin film was changed from $100^{\circ}C\;to\;300^{\circ}C$ at intervals of $50^{\circ}C$. The diffract fringe of X-ray, which depended upon the substrate temperature and the Annealing temperature of the manufactured $CuInSe_2$ thin film, was investigated. scanning electron microgaphs of represents a case that a sample manufactured at the substrate temperature of $100^{\circ}C$ was thermally treated at $200{\times}350^{\circ}C$. As a result, at $500^{\circ}C$ of the Annealing temperature, their chemical composition was measured in the proportion of 1 : 1 : 2. It could be known that under this condition, the most excellent thin film was formed, compared with the other conditions.

• 공업화학
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• 제29권1호
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• pp.28-36
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• 2018

폐감귤박으로 제조한 활성탄(WCAC)을 충전한 고정층 반응기에서 아세톤, 벤젠 및 메틸메르캅탄(MM)의 3종류의 대상가스에 대한 흡착특성을 검토하였다. 단일성분계의 경우에 파과곡선으로부터 구한 파과시간은 유입농도 및 유량이 증가할수록 감소하였으나 형상비(L/D)가 증가할수록 증가하였다. WCAC에 의한 대상가스의 흡착량은 유입농도 및 형상비가 증가할수록 증가하였으나 유량증가에 따른 흡착량은 대상가스에 따라 차이를 나타내었다. 파과시간 및 흡착량 결과에 의하면 WCAC에 대한 친화력은 벤젠이 가장 높고, 다음으로 아세톤 그리고 MM의 순서이었다. 한편, 2성분계 및 3성분계 혼합가스의 흡착 경우에 파과곡선은 WCAC와 친화력이 작은 흡착질은 친화력이 큰 흡착질로 치환되면서 roll-up 현상을 보였다. 그리고 WCAC에 의한 아세톤의 흡착은 황화합물인 MM보다 비극성인 벤젠과 혼합되어 있을 경우에 영향을 크게 받는 것으로 나타났다.

• Elastomers and Composites
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• 제41권4호
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• pp.260-267
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• 2006

유기화 클레이(organically modified layered silicates)가 보강된 SBR 나노 복합체를 라텍스법(latex method)에 의해서 제조하였다. 유기화 MMT는 dodecylamine으로 유기화한 DA-MMT와 dimethyldodecylamine으로 유기화한 DDA-MMT의 두 가지를 제조하였다. 유기화 클레이의 층간거리와 분산도를 확인하기 위하여 XRD와 TEM촬영을 하였다 Na-MMT, DA-MMT, DDA-MMT의 XRD 회절 패턴을 분석한 결과 Na-MMT는 $2{\theta}=7.2^{\circ}$로써 층간거리가 $12.3{\AA}$, DA-MMT는 $2{\theta}=5.1^{\circ}$로 층간거리가 $17{\AA}$를 나타내었으며, DDA-MMT의 경우, 회절 피크는 $2{\theta}=4.8^{\circ}$로써. 층간거리는 $18.4{\AA}$으로 나타났다. 이는 DDA-MMT와 DA-MMT가 각각 5 phr 첨가된 SBR 나노 복합체의 TEM 결과에서도 확인할 수 있었다. SBR 나노 복합체에 filler system (carbon black/silica/OLS)을 적용 후 시편을 제조하였다. 제조된 시편의 동적 점탄성 평가 (DMTA)는 $-20^{\circ}C{\sim}80^{\circ}C$ 사이에서 이루어졌으며, loss factor (tan $\delta$)의 거동을 확인하였다. 그 결과, 타이어 트래드용 컴파운드를 대상으로 할 경우, 카본블랙과 실리카의 혼용비가 35:25일 때, 빗길 제동특성과 연비특성을 대변하는 $0^{\circ}C$와 $50{\sim}60^{\circ}C$에서의 tan $\delta$가 가장 우수함을 알 수 있었다. 또한 이 시스템에 실리카의 일정 부분을 DDA-MMT($0{\sim}10phr$)로 대체할 경우, $0^{\circ}C$의 tan $\delta$값은 높아지는 반면, $50{\sim}60^{\circ}C$의 tan $\delta$값은 감소하였다.

• 한국재료학회지
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• 제2권6호
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• pp.408-416
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• 1992

Single-Si 기판과 poly-Si 기판에 각각 Ti을 sputter한 후 RTA 처리하여 안정한 TiS$i_2$를 형성하였다. 그 위에 Si이 1% 첨가된 Al-1% Si을 600nm sputter한 후 후속 열처리로서 400-60$0^{\circ}C$ 에서 30분간 $N_2$분위기로 furnace어닐링을 실시하였다. 이렇게 준비된 각 시편에 대하여 면저항 측정, Auger분석, SEM 사진으로 Al-1% Si/TiS$i_2$이중층 구조에서 Ti-silicide의 열적 안정성을 살펴 보았고, EDS 분석과 X-ray 회절 peak 분석을 통하여 Al-1% Si 층과 TiS$i_2$층의 반응으로 생긴 석출물의 성분과 상을 조사하였다. 이로 부터 다음과 같은 결과를 얻었다 Single-Si 기관에서 형성한 TiS$i_2$층은 Al-1% Si 층과 55$0^{\circ}C$에서 완전히 반응하여 석출물을 형성하였고, poly-Si 기판에서 형성한 TiS$i_2$층은 Al-1% Si 층과 50$0^{\circ}C$에서 완전히 반응하여 석출물을 형성하였는데 전반적으로 기판이 poly-Si인 경우가 반응이 더 잘 일어났고, 석출물의 크기도 비교적 컸다. 이는 poly-Si에 존재하는 grain boundary로 인해 poly-Si에서 형성된 Ti-silicide 층이single-Si 기관에서 형성된 Ti-silicide 층보다 불안정하기 때문으로 생각된다. EDS 분석에 의하여 석출물은 Ti, Al, 그리고 Si로 이루어진 3상 화합물이라고 추정되었고, X-ray회절 분석에 의해 석출물은 Ti, Al, 그리고 Si간의 3상 화합물인 T$i_7$A$l_5$S$i_12$로 확인되었다.