The single-step process for conversion of syngas to DME give higher conversion than the syngas-to-methanol process. This arises because of a synergy among the three simultaneous reaction, methanol synthesis, methanol dehydration and water gas shift reaction, in the process. we would find the optimal condition of the process which these advantages. The optimal condition of DME synthesis reaction over a commercial $Cu/Zn/Al_2O_3$ catalyst and Hybrid catalyst in a fixed bed reactor. The syngas-to-dimethyl ether conversion was examined on various reaction condition (Temperature 473~553K, $H_2/CO$ ratio 1~3, Pressure 30'50atm, GHSV 1000~4000).
In this study, we developed a liquid crystal (LC)-based optical sensor for monitoring enzymatic activity through orientational changes in liquid crystals (LCs) coupled to the properties of a poly-${\small{L}}$-lysine (PLL)-based polymeric membrane. We prepared a PLL-based polymeric membrane at the planar interface between the thermotropic liquid crystal and aqueous phases. The PLL-based polymeric membrane was obtained by contacting the PLL solution with water immiscible LCs, 4-cyano-4'-pentyl-biphenyl (5CB) doped with adipoyl chloride. We then investigated the membrane properties by examining the permeability of the membrane to phospholipids, 1,2-didodecanoyl-rac-glycero-3-phosphocholine (DLPC). The permeability of the membrane to transport phospholipids was monitored through the orientational transition of 5CB in contact with the dispersions of DLPC. Since trypsin can enzymatically catalyze the hydrolysis of PLL, we incubated an aqueous trypsin solution with the membrane for 2 h at room temperature to cause an increase in the permeability of the polymeric membrane to DLPC. As a result, a bright to dark optical shift of LCs was observed, which implied that an enzymatic reaction between trypsin and PLL-based membrane occurred. Two control experiments using chymotrypsin and bovine serum albumin (BSA) revealed no sign of improved permeability based on the orientational transition of LCs.
Kim, Jong-Chae;Kim, Myung-Hyun;Lee, Un-Chul;Kim, Young-Jin
Nuclear Engineering and Technology
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제30권4호
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pp.342-352
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1998
A nuclear design feasibility of soluble boron free(SBF core for the medium-sized(600MWe) PWR was investigated. The result conformed that soluble boron free operation could be performed by using current PWR proven technologies. Westinghouse advanced reactor, AP-600 was chosen as a design prototype. Design modification was applied for the assembly design with burnable poison and control rod absorber material. In order to control excess reactivity, large amount of gadolinia integral burnable poison rods were used and B4C was used as a control rod absorber material. For control of bottom shift axial power shape due to high temperature feedback in SBF core, axial zoning of burnable poison was applied to the fuel assemblies design. The combination of enrichment and rod number zoning for burnable poison could make an excess reactivity swing flat within around 1% and these also led effective control on axial power offset and peak pin power, The safety assessment of the designed core was peformed by the calculation of MTC, FTC and shutdown margin. MTC in designed SBF core was greater around 6 times than one of Ulchin unit 3&4. Utilization of enriched BIO(up to 50w1o) in B4C shutdown control rods provided enough shutdown margin as well as subcriticality at cold refueling condition.
Kim, Gil-Su;Kim, Dae-Gun;Oh, Sung-Tag;Suk, Myung-Jin;Kim, Young-Do
한국분말야금학회:학술대회논문집
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한국분말야금학회 2006년도 Extended Abstracts of 2006 POWDER METALLURGY World Congress Part2
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pp.1329-1330
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2006
The effect of Cu on the hydrogen reduction of $MoO_3$ powders was investigated by measuring the humidity change during a non-isothermal process of hydrogen reduction. The presence of Cu induced a shift in the reduction temperature and strongly affected the reduction processes of $MoO_3\rightarrowMo_4O_{11}\rightarrowMoO_2$, which comprised the contained chemical vapor transport of $MoO_x(OH)_2$. This study suggests that the surface of the Cu grains acts as a nucleation site for the reduction of $MoO_x(OH)_2$ to $MoO_2$ particles from $MoO_3$ or $Mo_4O_{11}$. Such an activated reduction process results in the deposition of Mo and $MoO_2$ particles on the surface of the Cu.
Meso 치환 thiacarbocyanine 색소의 J-aggregate 형성시 치환기 효과와 열역학적인 정보를 얻기 위한 수단으로 UV/Vis 분광기를 이용하여 색소농도변화에 따른 회합정수 $K_{J}$ , 회합자유에너지G$_{J}$ , 회합엔탈피 H$_{J}$ 를 구하였다. 그 결과 농도증가와 함께 J-aggregate의 생성이 증가하였으며 온도감소와 함께 J-aggregate형성쪽으로 회합평형상수가 이동하였다. 치환기 효과로는 phenyl기의 치환이 평면구조를 형성하는데 있어서도 methyl, ethyl기 치환체보다 회합체형성이 유리하였으며 회합자유에너지와 회합엔탈피도 alkyl기 치환체보다 증가하였다.
The steam reformer for hydrogen production from methane is studied by a numerical method. Langmuir- Hinshelwood model is incorporated for catalytic surface reactions, and the pseudo-homogeneous model is used to take into account local equilibrium phenomena between a catalyst and bulk gas. Dominant chemical reactions are Steam Reforming (SR) reaction, Water-Gas Shift (WGS) reaction, and Direct Steam Reforming (DSR) reaction. The numerical results are validated with experimental results at the same operating conditions. Using the validated code, parametric study has been numerically performed in view of the steam reformer performance. As increasing a wall temperature, the fuel conversion increases due to the high heat transfer rate. When Steam to Carbon Ratio (SCR) increases, the concentration of carbon monoxide decreases since WGS reaction becomes more active. When increasing Gas Hourly Space Velocity (GHSV), the fuel conversion decreases due to the heat transfer limitation and the low residence time. The reactor shape effects are also investigated. The length and radius of cylindrical reactors are changed at the same catalyst volume. The longer steam reformer is, the better steam reformer performs. However, system energy efficiency decreases due to the large pressure drop.
Kim, Yi-Gyeong;Cho, Min-Hyung;Kim, Bong-Chan;Kwon, Jong-Kee
ETRI Journal
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제33권6호
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pp.897-903
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2011
A hybrid ${\Delta}{\Sigma}$ modulator for audio applications is presented in this paper. The pulse generator for digital-to-analog converter alleviates the requirement of the external clock jitter and calibrates the coefficient variation due to a process shift and temperature changes. The input resistor network in the first integrator offers a gain control function in a dB-linear fashion. Also, careful chopper stabilization implementation using return-to-zero scheme in the first continuous-time integrator minimizes both the influence of flicker noise and inflow noise due to chopping. The chip is implemented in a 0.13 ${\mu}m$ CMOS technology (I/O devices) and occupies an active area of 0.37 $mm^2$. The ${\Delta}{\Sigma}$ modulator achieves a dynamic range (A-weighted) of 97.8 dB and a peak signal-to-noise-plus-distortion ratio of 90.0 dB over an audio bandwidth of 20 kHz with a 4.4 mW power consumption from 3.3 V. Also, the gain of the modulator is controlled from -9.5 dB to 8.5 dB, and the performance of the modulator is maintained up to 5 nsRMS external clock jitter.
This paper describes a smart structural system, which uses smart materials for real-time monitoring and active control of bolted-joints in steel structures. The goal of this research is to reduce the possibility of failure and the cost of maintenance of steel structures such as bridges, electricity pylons, steel lattice towers and so on. The concept of the smart structural system combines impedance based health monitoring techniques with a shape memory alloy (SMA) washer to restore the tension of the loosened bolt. The impedance-based structural health monitoring (SHM) techniques were used to detect loosened bolts in bolted-joints. By comparing electrical impedance signatures measured from a potentially damage structure with baseline data obtained from the pristine structure, the bolt loosening damage could be detected. An outlier analysis, using generalized extreme value (GEV) distribution, providing optimal decision boundaries, has been carried out for more systematic damage detection. Once the loosening damage was detected in the bolted joint, the external heater, which was bonded to the SMA washer, actuated the washer. Then, the heated SMA washer expanded axially and adjusted the bolt tension to restore the lost torque. Additionally, temperature variation due to the heater was compensated by applying the effective frequency shift (EFS) algorithm to improve the performance of the diagnostic results. An experimental study was conducted by integrating the piezoelectric material based structural health monitoring and the SMA-based active control function on a bolted joint, after which the performance of the smart 'self-monitoring and self-healing bolted joint system' was demonstrated.
Hydrogen gas sensors were fabricated after the form of metal/insulator/semiconductor(MIS) structure on a p-type silicon wafer and a insulating layer (silicon dioxide) thickness was changed from $500{\AA}$ to $5000{\AA}$. Their electrical properties were investigated with the variation of the hydrogen gas concentration at room temperature. At the applied forward bias of lV to both ends of Pd-MIS sensors the current was decreased logarithmically with the increase of hydrogen concentration in air. In the case of a thin $SiO_2$ layered ($500{\AA}$) sensor the current ratio was decreased to 25 % at 1 % of hydrogen concentration in air and 50% for a thick $SiO_2$ layered ($5000{\AA}$) sensor. And the response time of the thick insulating layered sensor to 1% hydrogen containing air was about 50 seconds and regeneration time was 2.5 minutes. When a 0.5mA current was appied to the thick insulating layered sensor the maximun voltage shift was calculated to 0.8V in the case of ${\theta}$ = 1 and the Pd surface coverage of hydrogen was increased logarithmically with hydrogen partial pressure.
Mativenga, M.;Choi, J.W.;Hur, J.H.;Kim, H.J.;Jang, Jin
Journal of Information Display
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제12권1호
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pp.47-50
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2011
Highly stable amorphous indium.gallium.zinc-oxide (a-IGZO) thin-film transistors (TFTs) were fabricated with an etchstopper and via-hole structure. The TFTs exhibited 40 $cm^2$/V s field-effect mobility and a 0.21 V/dec gate voltage swing. Gate-bias stress induced a negligible threshold voltage shift (${\Delta}V_{th}$) at room temperature. The excellent stability is attribute to the via-hole and etch-stopper structure, in which, the source/drain metal contacts the active a-IGZO layer through two via holes (one on each side), resulting in minimized damage to the a-IGZO layer during the plasma etching of the source/drain metal. The comparison of the effects of the DC and AC stress on the performance of the TFTs at $60^{\circ}C$ showed that there was a smaller ${\Delta}V_{th}$ in the AC stress compared with the DC stress for the same effective stress time, indicating that the trappin of the carriers at the active layer-gate insulator interface was the dominant degradation mechanism.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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