• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2000년도 ITC-CSCC -1
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• pp.129-131
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• 2000

A new analog synchronous mirror delay to be used in the wide-bandwidth clocking circuits is proposed to overcome the frequency dependency of the negative-delay values in the conventional analog synchronous mirror delay. The scheme adopts a new dummy-delay compensation technique by adopting the comparator with inherent systematic offset to achieve the enhanced negative-delay range especially prominent at high frequency applications.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제42권9호
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• pp.29-34
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• 2005

본 논문에서는 duty cycle-corrected analog synchronous mirror delay(DCC-ASMD)라고 불리는 새로운 구조의 내부 클럭 생성기를 제안한다. 제안된 회로는 임의의 duty ratio를 가진 외부 클럭에 대하여 duty ratio가 $50\%$로 보정된 내부 클럭을 2클럭 주기 만에 생성할 수 있다. 그러므로, 본 내부 클럭 생성기는 double data-rate (DDR) synchronous DRAM (SDRAM)과 같은 듀얼 에지 동기형 시스템(dual edge-triggered system)에 효율적으로 이용될 수 있다. 제안된 기술의 타당성을 평가하기 위하여, $0.35\mu$m CMOS 공정기술을 이용하여 제안된 내부 클럭 생성기를 구현하여 모사실험을 실행하였다. 실험 결과, 제안된 내부 클럭 생성기는, $40\~60$의 duty ratio를 갖는 외부 클럭 신호에 대하여, 50$\%$ duty ratio를 갖는 내부 클럭 신호를 2 클럭 주기 만에 발생시킬 수 있음을 확인하였다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제37권7호
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• pp.43-49
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• 2000

본 논문에서는 DDR(Double Data Rate) Synchronous DRAM에서 안전한 데이터 영역(tDV) 확보를 위한 DDL(Delay Locked Loop) 회로인 ADD(Alternate Directional Delay)회로 방식을 제안하였다. 본 방식은 디지털 DLL의 단점인 부가회로 면적(area-overhead)을 절감할 수 있는 방식으로ㅆ, 하나의 지연회로 체인(chain)을 이용하여 동시에 양방향으로 클럭을 발생할 수 있도록 함으로써 기존의 SMD(Synchronous Mirror Delay)방식에 비해 약 2배의 부가회로 면적을 감소할 수 있도록 설계하였다. 또한 설계한 ADD방식이 지터(jitter)는 50ps-140ps이고, 동ㅈ가 주파수 영역은 166MHz-66MHz이다.(205V, TYP, 동작조건)

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제41권10호
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• pp.63-68
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• 2004

칩의 외부 클럭과 내부 클럭 사이의 스큐를 줄이기 위하여 고정밀도 동기 미러 지연 소자를 제안한다. 제안하는 동기 미러 지연 소자는 두 단계에 걸쳐서 클럭 스큐를 감소시킨다. 먼저 기존의 동기 미러 지연 소자에 의하여 동기화가 이루어진다. 그 다음, 연속 근사 레지스터에 의하여 조절되는 delay-locked loop에 의하여 세밀하게 동기화가 이루어진다. 동기화가 이루어지는데 필요한 전체 시간은 10 사이클이다. 모의 실험 결과, 제안하는 동기 미러 지연 소자는 182MHz에서 50psec의 스큐 특성을 가지며, 0.35㎛ 1-poly 4-metal CMOS 공정 하에서 3.3V의 전원 전압을 사용했을 때, 17.5mW를 소모하는 것을 알 수 있다.

• 전자공학회논문지SC
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• 제37권3호
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• pp.44-54
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• 2000

본 논문에서는 표준 메모리 공정에 구현 가능한 주파수 적응성을 갖는 부지연 회로의 설계기법에 대해 제안한다. 제안하는 설계기법은 기본적으로 아날로그 SMD (synchronous mirror delay) 형태의 부지연 회로로서 입력클록의 주기와 구현하고자 하는 부의 지연 시간의 차이에 해당하는 시간을 아날로그 회로의 개념으로 측정하고 다음 번 주기에서 반복한다. 출력클록의 발생과 관련되는 부수적인 지연을 측정단의 앞 단인 지연모델 단에서 상쇄하는 기존의 SMB 기법과는 달리, 반복단에서 상쇄하는 새로운 기법을 통하여 넓은 부지연 범위를 구현하여 특히 고속동작에서의 부지연 특성을 원할하게 한다. 또한 넓은 범위의 주파수 동작범위를 구현하기 위해 해당하는 주파수 범위에서 아날로그 회로가 최적의 동작 조건을 갖추도록 하기 위한 새로운 주파수 감지기 및 최적조건 설정기법을 제안한다. 제안된 회로의 응용으로서 초고속 DRAM인 DDR SDRAM에 적용하는 예를 보였으며, 0.6㎛ n-well double-poly double-metal CMOS 공정을 사용하여 모의실험 함으로써 그 유용성을 입증한다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제39권8호
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• pp.46-51
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• 2002

회로의 크기와 소모 전력을 줄이기 위하여 새로운 구조의 중첩된 싱크러너스 미러 지연 소자를 제안한다. 기존의 중첩된 싱크러너스 미러 지연 소자는 지터를 줄이기 위하여 여러 쌍의 포워드 지연 배열과 백워드 지연 배열을 사용하였다. 제안하는 중첩된 싱크러너스 미러 지연 소자는 멀티플렉서의 위치를 변경시킴으로써 오직 단 하나의 포워드 지연 배열과 백워드 지연 배열을 필요로 한다. 뿐만 아니라, 제안하는 중첩된 싱크러너스 미러 지연 소자는 인버터를 추가함으로써 기존 회로의 극성 문제를 해결하였다. 모의 실험 결과로 부터 제안하는 중첩된 싱크러너스 미러 지연 소자는 약 30%의 전력 소모 감소와 약 40%의 면적 감소 효과를 가져온다는 것을 알 수 있다. 모든 모의 실험과 구현은 0.25um two-metal CMOS 공정기술을 사용하여 행해졌다.

• 전기학회논문지
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• 제56권6호
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• pp.1133-1138
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• 2007

DLLs(Delay Locked Loops) have widely been used in many systems in order to achieve the clock synchronization. A SMD (Synchronous Mirror Delay) structure is used both for skew reduction and for DCC (Duty Cycle Correction). In this paper, a SMD based DLL with DCC using Reduced Delay Lines is proposed in order to reduce the clock skew and correct the duty cycle. The merged structure allows the forward delay array to be shared between the DLL and the DCC, and yields a 25% saving in the number of the required delay cells. The designed chip was fabricated using a $0.25{\mu}m$ 1-poly, 4-metal CMOS process. Measurement results showed the 3% duty cycle error when the input signal ranges from 80% to 20% and the clock frequency ranges from 400MHz to 600MHz. The locking operation needs 3 clock and duty correction requires only 5 clock cycles as feature with SMD structure.