• 한국통신학회논문지
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• 제24권12A호
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• pp.1922-1931
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• 1999

멀티캐스트 트래픽의 특징은 한 노드에서 특정 다수노드로 셀을 전송하는 방법으로써 ATM 스위치의 중요한 기능으로 부각되고 있다. 그러나, 기존에 나와 있는 point-to-point 스위치로 멀티캐스트 기능을 수행할 경우 멀티캐스트 셀 뿐만 아니라 유니캐스트 셀도 복사망을 통과하게 되어 복사망에서 추가적인 부하가 발생된다. 이 추가적인 부하로 인하여 멀티캐스트 셀이 다른 셀과의 충돌로 셀이 손실되는 데드락 현상이 발생하여 전체 스위치 성능을 현저히 감소시킨다. 또한 입력 저장 스위치 (Input queued switch)구조는 전체 스위치의 성능을 저하시키는 HOL 블록킹(blocking)의 단점을 가지고 있다. 제안한 스위치 구조는 HOL 블록킹 및 데드락 현상을 줄이기 위하여 공유 메모리 스위치를 이용하였다. 스위치의 복잡도와 셀 처리 시간을 줄이고 처리율(throughput)의 향상을 위해 셀 형태에 따라 분리해서 경로 배정하는 방식과 제어부에서 최대 2N개의 셀들을 동시에 처리하는 스케줄링 기법을 이용하였다. 또한 특정 포트로 트래픽이 밀집되었을 때 발생하는 손실률을 줄이기 위하여 출력 메모리를 이용하였으며 메모리 효율성 향상을 위하여 입력 셀의 ?'?형태에 따라 셀들을 분리 저장하는 방식과출력 메모리에서 일정 시간이 지난 셀을 폐기하는 방식을 이용하였다. 제안한 스위치의 분석을 위하여 마코흐(Markov) 체인을 이용한 성능 해석을 실시하였고 버스트(burst) 트래픽 조건에서의 모의 실험을 통하여 제안한 방식과 기존의 방식간의 성능을 비교, 분석하였다.

• 대한기계학회:학술대회논문집
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• 대한기계학회 2004년도 추계학술대회
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• pp.899-903
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• 2004

A limit switch box is used for a indicator of a valve actuator. This device indicates an opening and closing of a valve or throttle in a valve actuator. In ship, equipments are required safe and robust because of a rough environment and a specific condition during a voyage. However, the limit switch box is used in an indoor environment generally. Thus, a new limit switch box must be developed which can be used at an outdoor environment. This study designed the limit switch box. The housing of the limit switch box was made by an aluminium die cast method with surface painting after anodizing or chromate coating. In order to evaluate the endurance of the housing, the endurance tests against salt water have been conducted. Experiment results showed that the proposed device provides a reliable performance against salt water.

• Journal of Electrical Engineering and Technology
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• 제12권6호
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• pp.2278-2288
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• 2017

Multilevel converter topologies are widely used in many applications. The cascaded H-bridge multilevel inverter (CHBMI), which is one of many multilevel converter topologies, has been introduced as a useful topology in high and medium power. However, it has a drawback to require a lot of switches. Therefore, the reliability of CHBMI is important factor for analyzing the performance. This paper presents a simple switch fault diagnosis method for single-phase CHBMI. There are two types of switch faults: open-fault and short-fault. In the open-fault, the body diode of faulty switch provides a freewheeling current path. However, when the short-fault occurs, the distortion of output current is different from that of the open-fault because it has an unavailable freewheeling current flow path due to a disconnection of fuse. The fault diagnosis method is based on the zero current time analysis according to zero-voltage switching states. Using the proposed method, it is possible to detect the location of faulty switch accurately. The PSIM simulation and experimental results show the effectiveness of proposed switch fault diagnosis method.

• 조명전기설비학회논문지
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• 제19권7호
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• pp.60-66
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• 2005

본 연구에서는 단일전력단 Two-Switch Forward 컨버터에 관하여 논하였다. 최근 국제적으로 제정된 ICE 61000-3-2와 IEEE 519같은 규정에서 입력 전류에 대한 고조파 규제가 강화되면서 전원 공급 장치의 역률개선 회로가 필수적으로 되었다. 따라서 본 연구에서는 저전압 대전류 출력에 적합한 방안으로 단일전력단 Two-Switch Forward 컨버터 회로를 제안하고, 모드별 동작, 특성 및 설계에 관하여 논하였으며, MOSFET를 사용하여 200[W](5[V], 40[A])급 시작품을 제작, 100[kHz]에서 실험하였다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2002년도 하계학술대회 논문집 C
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• pp.1859-1861
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• 2002

This paper attempts to discuss the pseudo-spark which is developed for high voltage and high current. The pseudo-spark switch is on the basic of the Paschen's law. The pseudo-spark switch fabricates the glass chamber. The pseudo-spark switch consists of hollow cathode, hollow anode, and trigger. The pseudo-spark switch is operated at the voltage of 20 kV and the pressure range of $20{\sim}80$ mtorr with He-gas. The switching current of the pseudo-spark switch was measured as 65 kA, and the duration of the pulse was about 100 ${\mu}s$. This paper describes the results of tests and the characteristics of the switch.

• 센서학회지
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• 제20권1호
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• pp.58-63
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• 2011

A low loss radio frequency(RF) micro electro mechanical systems(MEMS) switch driven by a low actuation voltage was designed for the development of a new RF MEMS switch. The RF MEMS switch should be encapsulated. The glass cap and fabricated RF MEMS switch were assembled by the Au/Sn eutectic bonding principle for wafer-level packaging. The through-vias on the glass substrate was made by the glass dry etching and Au electroplating process. The packaged RF MEMS switch had an actuation voltage of 12.5 V, an insertion loss below 0.25 dB, a return loss above 16.6 dB, and an isolation value above 41.4 dB at 6 GHz.

• 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
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• 제50권9호
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• pp.471-475
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• 2001

ln this paper, a micromachined micromechanical switch is presented. The presented switch is operated in the vertical direction to the substrate by an electrostatic force between two parallel plates. The moving plate is pulled down to connect the bumps of the bias node$(V_{DD}/ or GND)$ to the bumps of the output node when a oltage difference exists between the moving plate and the input plate. The switch was designed to operate at a low switching voltage$(\risingdotseq5V)$ by including a large-area, narrow-gap, parallel plate capacitor A theoretical analysis of the designed switch was performed in order to determine its geometry fitting the desired pull-in voltage and release voltage. The designed switch was fabricated by surface micromachining combined with Ni electroplating. From the experimental results of the fabricated switch, its pull-in voltage came Out to be less than 5V and the measured maximum allowable current was 150mA. The measured average ON-state resistance was about 8$\Omega$, and the OFF-state resistance was too high to be measured with digital multimeter.

• 한국인터넷방송통신학회논문지
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• 제10권5호
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• pp.245-249
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• 2010

현재 차량에서 일반적으로 많이 쓰이고 있는 변속 스위치의 방법은 전위차를 신호로하는 접촉식이다. 접촉식은 신호전달에 있어서 정확한 방식의 하나이지만 장시간 사용 시 접촉면의 노후화로 인하여 수명이 짧아진다. 비 접촉 방식으로 사용될 수 있는 자기센서를 사용 한다면 접촉면의 노후화를 해결 할 수 있다. 본 논문에서는 자기센서의 특징을 살려서 비 접촉식 방법으로 차량용 변속스위치에 적용 하여 기존 접촉식 방법의 문제를 해결하였다. 센서 출력 전압은 가변적인 전위차를 가지는데 스위치의 각동에 따라 통상 0mV에서 150mV의 값을 가진다. 본 연구에서는 5개의 상태 신호에 대한 두 개의 사인 신호를 사용 하였다.

• 대한전자공학회논문지TC
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• 제48권1호
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• pp.97-101
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• 2011

개인 휴대통신의 서비스 대역에 대응하는 4중 대역 p-HEMT SP6T 스위치를 구현하였다. 낮은 삽입손실과 높은 격리특성을 달성하기 위하여, 트랜지스터 단위소자의 최적화를 통해 On-Off간 상호 보완적 관계를 고려하였으며, 특히 송수선간 격리 특성의 경우, 큰 커패시터 삽입을 통하여 우수한 격리 특성을 달성하는 동시에 단일의 전압제어와 백비아를 사용한 접지를 통해 소형화를 달성하였다. 구현된 SP6T 스위치는 $950um{\times}100um$의 크기를 가지며 공정상 게이트 우물의 오류를 감안할 때, 각 주파수 대역에서 우수한 삽입손실 및 격리특성을 확인 할 수 있었다.

• 대한전기학회논문지:전력기술부문A
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• 제49권7호
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• pp.359-364
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• 2000

This paper is introducing a newly developed spark-gap switch with dual trigger system, into which the current from the voltage source is injected along with the test sequence during the synthetic testing of high voltage circuit-breaker. The currently-used spark gap switch is narrow in operating range due to the use of the method of triggering energy being injected by single way. As a result, the frequent happening of misoperation has greatly reduced the test quality and test efficiency and has required the cost of maintenance excessively. In this study, accordingly, in order to basically remove these problems, another triggering system is installed to the opposite direction on the existing triggering system; attaching the same time and the same rising time of pulse wave as on the existing system, so that at a comparatively trigger gap distance from the main electrode(the gap can be operated at 60% of self-break voltage, while at 80% in the current system), the main electrode has been enabled to be closed by the development of spark gap switch with dual trigger system.