Agrobacterium tumefaciens-mediated transformation (ATMT), as a simple and versatile method, achieves successful transformation in the yeast-like cells (YLCs) of Tremella fuciformis with lower efficiency. Establishment of a more efficient transformation system of YLCs is important for functional genomics research and biotechnological application. In this study, an enzymolysis-assisted ATMT method was developed. The degradation degree of YLCs depends on the concentration and digestion time of Lywallzyme. Lower concentration (${\leq}0.1%$) of Lywallzyme was capable of formation of limited wounds on the surface of YLCs and has less influence on their growth. In addition, there is no significant difference of YLCs growth among groups treated with 0.1% Lywallzyme for different time. The binary vector pGEH under the control of T. fuciformis glyceraldehyde-3-phosphate dehydrogenase gene (gpd) promoter was utilized to transform the enzymolytic wounded YLCs with different concentrations and digestion time. The results of PCR, Southern blot, quantitative real-time PCR (qRT-PCR) and fluorescence microscopy revealed that the T-DNA was integrated into the YLCs genome, suggesting an efficient enzymolysis-assisted ATMT method of YLCs was established. The highest transformation frequency reached 1200 transformants per $10^6$ YLCs by 0.05% (w/v) Lywallzyme digestion for 15 min, and the transformants were genetically stable. Compared with the mechanical wounding methods, enzymolytic wounding is thought to be a tender, safer and more effective method.
Han, Sangmoon;Choi, Ilgyu;Song, Jihoon;Lee, Cheul-Ro;Cho, Il-Wook;Ryu, Mee-Yi;Kim, Jin Soo
Applied Science and Convergence Technology
/
v.27
no.5
/
pp.95-99
/
2018
We discuss the structural and optical characteristics of GaN nanowires (NWs) grown on Si(111) substrates by a plasma-assisted molecular-beam epitaxy. The GaN NWs with high crystal quality were formed by adopting a new growth approach, so called Ga pre-deposition (GaPD) method. In the GaPD, only Ga was supplied without nitrogen flux on a SiN/Si surface, resulting in the formation of Ga droplets. The Ga droplets were used as initial nucleation sites for the growth of GaN NWs. The GaN NWs with the average heights of 60.10 to 214.62 nm obtained by increasing growth time. The hexagonal-shaped top surfaces and facets were observed from the field-emission electron microscope images of GaN NWs, indicating that the NWs have the wurtzite (WZ) crystal structure. Strong peaks of GaN (0002) corresponding to WZ structures were also observed from double crystal x-ray diffraction rocking curves of the NW samples. At room temperature, free-exciton emissions were observed from GaN NWs with narrow linewidth broadenings, indicating to the formation of high-quality NWs.
Journal of the Korean institute of surface engineering
/
v.12
no.3
/
pp.167-173
/
1979
The structure of anodic aluminium oxide films formed in 2% oxalic asid at constant temperature was studied by the oid of the transmission and replica electron microscopy. Far the initial stage of oxidations, it is observed that pores are initiated from lattice defects as subgrain boundaries, and then spread radially. Some pores merge each other and the others cease to grow until the current density reaches to the steady state. The pore diameter and the cell size are proportional to the anodizing voltages, and it is considered that the pore initiation and growth are largely controlled by the field - assisted oxide dissolution.
An in-situ stress measurement interferometer is constructed and used to measure the intrinsic stress in Ti$O_2$ thin films during their growth by ion-assisted deposition. It is found that the stress increases with the momentum transferred by the ion beam to the growing film and is fairly well agreed with Windischmann's model. The variation of the stress with thickness is qualitatively explained in terms of the balance between the compressive stress produced by the ion beam and the surface diffusion determined by the surface temperature.
Park, Y.J.;Kim, S.I.;Kim, E.K.;Han, I.K.;Min, S.K.;O'Keeffe, P.;Mutoh, H.;Hirose, S.;Hara, K.;Munekata, H.;Kukimoto, H.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
/
1996.06a
/
pp.40-41
/
1996
Nitridation technique has been receiving much attention for the formation of a thin nitrided buffer layer on which high quality nitride films can be formedl. Particularly, gallium nitride (GaN) has been considered as a promising material for blue-and ultraviolet-emitting devices. It can also be used for in situ formed and stable passivation layers for selective growth of $GaAs_2$. In this work, formation of a thin nitrided layer is investigated. Nitrogen electron cyclotron resonance(ECR)-plasma is employed for the formation of thin nitrided layer. The plasma source used in this work is a compact ECR plasma gun3 which is specifically designed to enhance control, and to provide in-situ monitoring of plasma parameters during plasma-assisted processing. Microwave power of 100-200 W was used to excite the plasma which was emitted from an orifice of 25 rnm in diameter. The substrate were positioned 15 em away from the orifice of plasma source. Prior to nitridation is performed, the surface of n-type (001)GaAs was exposed to hydrogen plasma for 20 min at $300{\;}^{\circ}C$ in order to eliminate a native oxide formed on GaAs surface. Change from ring to streak in RHEED pattern can be obtained through the irradiation of hydrogen plasma, indicating a clean surface. Nitridation was carried out for 5-40 min at $RT-600{\;}^{\circ}C$ in a ECR plasma-assisted molecular beam epitaxy system. Typical chamber pressure was $7.5{\times}lO^{-4}$ Torr during the nitridations at $N_2$ flow rate of 10 seem.(omitted)mitted)
We investigated the effect of ZnO buffer layer on the formation of ZnO thin film by ultrasonic assisted spray pyrolysis deposition. ZnO buffer layer was formed by wet solution method, which was repeated several times. Structural and optical properties of the ZnO thin films deposited on the ZnO buffer layers with various cycles and at various temperatures were investigated by field-emission scanning electron microscopy, X-ray diffraction, and photoluminescence spectrum analysis. The structural investigations showed that three-dimensional island shaped ZnO was formed on the bare Si substrate without buffer layers, while two-dimensional ZnO thin film was deposited on the ZnO buffer layers. In addition, structural and optical investigations showed that the crystalline quality of ZnO thin film was improved by introducing the buffer layers. This improvement was attributed to the modulation of the surface energy of the Si surface by the ZnO buffer layer, which finally resulted in a modification of the growth mode from three to two-dimensional.
Corrosion and passivation of metallic cobalt was studied by means of electrochemical experiments including potentiostatic and galvanostatic measurements and cyclic voltammograms. The mechanisms of active dissolution and passivation of cobalt at the metal/borate buffer solution interface are deduced from the Tafel slope, pH dependence of the Flade potential, and dissolution kinetic data. Hydroxyl group adsorbed on cobalt surface seems to participate in surface oxidation and formation of the passive layer. The growth kinetic data as measured by the current density suggests a mechanism in which the growth of the passive layer is determined by field-assisted transport of ions through the layer. Thickness of the passive layer was estimated by coulometry to be about 10${\AA}$ at the lowest passive potential and to grow gradually with anodic potential to about 20${\AA}$.
Chromium nitride (CrN) films were deposited on silicon substrate by RF magnetron sputtering assisted by inductive coupled nitrogen plasma without intentional substrate heating. Films were deposited with different levels of bombarding energy by nitrogen ions $(N^+)$ to investigate the influence of substrate bias voltage $(V_b)$ on the growth of CrN thin films. XRD spectra showed that the crystallographic structure of CrN films was strongly affected by substrate bias voltage. Scanning electron microscopy (SEM) and atomic force microscopy (AFM) results showed that surface roughness and grain size of the CrN films varied significantly with bias voltage. For - 80 $V_b$ depositions, the CrN films showed bigger grain sizes than those of other bias voltage conditions. The lowest surface roughness of 0.15 nm was obtained from the CrN films deposited at .130 $V_b$.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
/
2012.08a
/
pp.180-180
/
2012
Heteroepitaxial GaN nano- and micro-rods (NMRs) are one of the most promising structures for high performance optoelectronic devices such as light emitting diodes, lasers, solar cells integrated with Si-based electric circuits due to their low dislocation density and high surface to volume ratio. However, heteroepitaxial GaN NMRs growth using a metal-organic vapor phase epitaxy (MOVPE) machine is not easy due to their long surface diffusion length at high growth temperature of MOVPE above $1000^{\circ}C$. Recently some research groups reported the fabrication of the heteroepitaxial GaN NMRs by using MOVPE with vapor-liquid-solid (VLS) technique assisted by metal catalyst. However, in the case of the VLS technique, metal catalysts may act as impurities, and the GaN NMRs produced in this mathod have poor directionallity. We have successfully grown the vertically well aligned GaN NMRs on Si (111) substrate by means of self-catalystic growth methods with pulsed-flow injection of precursors. To grow the GaN NMRs with high aspect ratio, we veried the growth conditions such as the growth temperature, reactor pressure, and V/III molar ratio. We confirmed that the surface morphology of GaN was strongly influenced by the surface diffusion of Ga and N adatoms related to the surrounding environment during growth, and we carried out theoretical studies about the relation between the reactor pressure and the growth rate of GaN NMRs. From these results, we successfully explained the growth mechanism of catalyst-free and mask-free heteroepitaxial GaN NMRs on Si (111) substrates. Detailed experimental results will be discussed.
The influence of plasma parameters on the growth of $In_{0.2}Ga_{0.8}N/GaN$ heterostructures has been investigated using plasma-assisted molecular beam epitaxy. Since plasma ejects plenty of energetic particles with different energy levels and flux density at various rf power levels, plasma modulated both growth rate and optical properties significantly. For instance, surface roughness and the emission spectrum of photoluminescence were degraded at low and high rf power. According to sharp interfaces between epitaxial films and strong peaks observed from photoluminescence spectra, our experimental setup presented optimal operation range of rf powers at around 400W. The phenomena could be explained by the presence of energetic particles modulating the rate of plasma stimulated desorption and surface diffusion, and energetic particles exceeding critical value resulted in the incorporation of defects at subsurface. The optimal rf power regime increased by 100W for $In_{0.2}Ga_{0.8}N/GaN$ growth in comparison with GaN. The effects of rf power were discussed in conjunction with kinetic processes being stimulated by energetic particles.
본 웹사이트에 게시된 이메일 주소가 전자우편 수집 프로그램이나
그 밖의 기술적 장치를 이용하여 무단으로 수집되는 것을 거부하며,
이를 위반시 정보통신망법에 의해 형사 처벌됨을 유념하시기 바랍니다.
[게시일 2004년 10월 1일]
이용약관
제 1 장 총칙
제 1 조 (목적)
이 이용약관은 KoreaScience 홈페이지(이하 “당 사이트”)에서 제공하는 인터넷 서비스(이하 '서비스')의 가입조건 및 이용에 관한 제반 사항과 기타 필요한 사항을 구체적으로 규정함을 목적으로 합니다.
제 2 조 (용어의 정의)
① "이용자"라 함은 당 사이트에 접속하여 이 약관에 따라 당 사이트가 제공하는 서비스를 받는 회원 및 비회원을
말합니다.
② "회원"이라 함은 서비스를 이용하기 위하여 당 사이트에 개인정보를 제공하여 아이디(ID)와 비밀번호를 부여
받은 자를 말합니다.
③ "회원 아이디(ID)"라 함은 회원의 식별 및 서비스 이용을 위하여 자신이 선정한 문자 및 숫자의 조합을
말합니다.
④ "비밀번호(패스워드)"라 함은 회원이 자신의 비밀보호를 위하여 선정한 문자 및 숫자의 조합을 말합니다.
제 3 조 (이용약관의 효력 및 변경)
① 이 약관은 당 사이트에 게시하거나 기타의 방법으로 회원에게 공지함으로써 효력이 발생합니다.
② 당 사이트는 이 약관을 개정할 경우에 적용일자 및 개정사유를 명시하여 현행 약관과 함께 당 사이트의
초기화면에 그 적용일자 7일 이전부터 적용일자 전일까지 공지합니다. 다만, 회원에게 불리하게 약관내용을
변경하는 경우에는 최소한 30일 이상의 사전 유예기간을 두고 공지합니다. 이 경우 당 사이트는 개정 전
내용과 개정 후 내용을 명확하게 비교하여 이용자가 알기 쉽도록 표시합니다.
제 4 조(약관 외 준칙)
① 이 약관은 당 사이트가 제공하는 서비스에 관한 이용안내와 함께 적용됩니다.
② 이 약관에 명시되지 아니한 사항은 관계법령의 규정이 적용됩니다.
제 2 장 이용계약의 체결
제 5 조 (이용계약의 성립 등)
① 이용계약은 이용고객이 당 사이트가 정한 약관에 「동의합니다」를 선택하고, 당 사이트가 정한
온라인신청양식을 작성하여 서비스 이용을 신청한 후, 당 사이트가 이를 승낙함으로써 성립합니다.
② 제1항의 승낙은 당 사이트가 제공하는 과학기술정보검색, 맞춤정보, 서지정보 등 다른 서비스의 이용승낙을
포함합니다.
제 6 조 (회원가입)
서비스를 이용하고자 하는 고객은 당 사이트에서 정한 회원가입양식에 개인정보를 기재하여 가입을 하여야 합니다.
제 7 조 (개인정보의 보호 및 사용)
당 사이트는 관계법령이 정하는 바에 따라 회원 등록정보를 포함한 회원의 개인정보를 보호하기 위해 노력합니다. 회원 개인정보의 보호 및 사용에 대해서는 관련법령 및 당 사이트의 개인정보 보호정책이 적용됩니다.
제 8 조 (이용 신청의 승낙과 제한)
① 당 사이트는 제6조의 규정에 의한 이용신청고객에 대하여 서비스 이용을 승낙합니다.
② 당 사이트는 아래사항에 해당하는 경우에 대해서 승낙하지 아니 합니다.
- 이용계약 신청서의 내용을 허위로 기재한 경우
- 기타 규정한 제반사항을 위반하며 신청하는 경우
제 9 조 (회원 ID 부여 및 변경 등)
① 당 사이트는 이용고객에 대하여 약관에 정하는 바에 따라 자신이 선정한 회원 ID를 부여합니다.
② 회원 ID는 원칙적으로 변경이 불가하며 부득이한 사유로 인하여 변경 하고자 하는 경우에는 해당 ID를
해지하고 재가입해야 합니다.
③ 기타 회원 개인정보 관리 및 변경 등에 관한 사항은 서비스별 안내에 정하는 바에 의합니다.
제 3 장 계약 당사자의 의무
제 10 조 (KISTI의 의무)
① 당 사이트는 이용고객이 희망한 서비스 제공 개시일에 특별한 사정이 없는 한 서비스를 이용할 수 있도록
하여야 합니다.
② 당 사이트는 개인정보 보호를 위해 보안시스템을 구축하며 개인정보 보호정책을 공시하고 준수합니다.
③ 당 사이트는 회원으로부터 제기되는 의견이나 불만이 정당하다고 객관적으로 인정될 경우에는 적절한 절차를
거쳐 즉시 처리하여야 합니다. 다만, 즉시 처리가 곤란한 경우는 회원에게 그 사유와 처리일정을 통보하여야
합니다.
제 11 조 (회원의 의무)
① 이용자는 회원가입 신청 또는 회원정보 변경 시 실명으로 모든 사항을 사실에 근거하여 작성하여야 하며,
허위 또는 타인의 정보를 등록할 경우 일체의 권리를 주장할 수 없습니다.
② 당 사이트가 관계법령 및 개인정보 보호정책에 의거하여 그 책임을 지는 경우를 제외하고 회원에게 부여된
ID의 비밀번호 관리소홀, 부정사용에 의하여 발생하는 모든 결과에 대한 책임은 회원에게 있습니다.
③ 회원은 당 사이트 및 제 3자의 지적 재산권을 침해해서는 안 됩니다.
제 4 장 서비스의 이용
제 12 조 (서비스 이용 시간)
① 서비스 이용은 당 사이트의 업무상 또는 기술상 특별한 지장이 없는 한 연중무휴, 1일 24시간 운영을
원칙으로 합니다. 단, 당 사이트는 시스템 정기점검, 증설 및 교체를 위해 당 사이트가 정한 날이나 시간에
서비스를 일시 중단할 수 있으며, 예정되어 있는 작업으로 인한 서비스 일시중단은 당 사이트 홈페이지를
통해 사전에 공지합니다.
② 당 사이트는 서비스를 특정범위로 분할하여 각 범위별로 이용가능시간을 별도로 지정할 수 있습니다. 다만
이 경우 그 내용을 공지합니다.
제 13 조 (홈페이지 저작권)
① NDSL에서 제공하는 모든 저작물의 저작권은 원저작자에게 있으며, KISTI는 복제/배포/전송권을 확보하고
있습니다.
② NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 상업적 및 기타 영리목적으로 복제/배포/전송할 경우 사전에 KISTI의 허락을
받아야 합니다.
③ NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 보도, 비평, 교육, 연구 등을 위하여 정당한 범위 안에서 공정한 관행에
합치되게 인용할 수 있습니다.
④ NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 무단 복제, 전송, 배포 기타 저작권법에 위반되는 방법으로 이용할 경우
저작권법 제136조에 따라 5년 이하의 징역 또는 5천만 원 이하의 벌금에 처해질 수 있습니다.
제 14 조 (유료서비스)
① 당 사이트 및 협력기관이 정한 유료서비스(원문복사 등)는 별도로 정해진 바에 따르며, 변경사항은 시행 전에
당 사이트 홈페이지를 통하여 회원에게 공지합니다.
② 유료서비스를 이용하려는 회원은 정해진 요금체계에 따라 요금을 납부해야 합니다.
제 5 장 계약 해지 및 이용 제한
제 15 조 (계약 해지)
회원이 이용계약을 해지하고자 하는 때에는 [가입해지] 메뉴를 이용해 직접 해지해야 합니다.
제 16 조 (서비스 이용제한)
① 당 사이트는 회원이 서비스 이용내용에 있어서 본 약관 제 11조 내용을 위반하거나, 다음 각 호에 해당하는
경우 서비스 이용을 제한할 수 있습니다.
- 2년 이상 서비스를 이용한 적이 없는 경우
- 기타 정상적인 서비스 운영에 방해가 될 경우
② 상기 이용제한 규정에 따라 서비스를 이용하는 회원에게 서비스 이용에 대하여 별도 공지 없이 서비스 이용의
일시정지, 이용계약 해지 할 수 있습니다.
제 17 조 (전자우편주소 수집 금지)
회원은 전자우편주소 추출기 등을 이용하여 전자우편주소를 수집 또는 제3자에게 제공할 수 없습니다.
제 6 장 손해배상 및 기타사항
제 18 조 (손해배상)
당 사이트는 무료로 제공되는 서비스와 관련하여 회원에게 어떠한 손해가 발생하더라도 당 사이트가 고의 또는 과실로 인한 손해발생을 제외하고는 이에 대하여 책임을 부담하지 아니합니다.
제 19 조 (관할 법원)
서비스 이용으로 발생한 분쟁에 대해 소송이 제기되는 경우 민사 소송법상의 관할 법원에 제기합니다.
[부 칙]
1. (시행일) 이 약관은 2016년 9월 5일부터 적용되며, 종전 약관은 본 약관으로 대체되며, 개정된 약관의 적용일 이전 가입자도 개정된 약관의 적용을 받습니다.