• 시큐리티연구
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• 제62호
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• pp.135-158
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• 2020

카지노에서는 고객과 종사원의 안전을 관리하는 시큐리티 종사원들이 매우 중요한 역할을 수행하고 있다. 특히 카지노에는 여성 종사원들의 비율이 높으며, 고객들 또한 여성과 남성의 비율이 비슷하기 때문에 여성 고객 혹은 여성 종사원이 사건 사고를 경험할 확률이 남성과 비슷하거나 높을 수도 있는 상황이다. 여성의 사건사고를 처리하는 여성 시큐리티 종사원은 여성 고객과 일반 여성 종사원들에게는 여성만이 할 수 있는 시큐리티 서비스를 제공할 수 있다. 하지만 카지노에서 시큐리티 업무를 수행하는 종사원들은 대부분 남성이며, 여성의 비율은 매우 낮다. 따라서 본 연구는 현재 카지노에서 여성으로서 시큐리티 업무를 수행하고 있는 종사원들에 관한 연구로서 이들이 카지노에서 시큐리티 업무를 수행하며 경험한 다양한 내용에 대해서 알아보기 위해 질적연구를 진행하였다. 총 5명의 연구 참여자들에게 총 3회에 걸쳐 인터뷰를 실시하여 수집된 자료를 분석하고 범주화 하였다. 첫 번째 질문인 카지노 시큐리티 업무의 시작 동기에 대한 요인은 교수님의 추천, 개인의 정보검색, 지인의 추천이다. 두 번째 질문인 업무 시 필요 능력에 대한 요인은 다양한 운동 능력, 좋은 신체조건, 외국어 능력이다. 세 번째 질문에서 업무의 만족요인은 업무의 희소성, 급여의 만족, 개인의 적성과 일치, 미래에 대한 기대감이며, 업무의 불만족 요인은 업무의 위험성, 고객에 대한 스트레스, 성별에 대한 차별, 주변의 시선, 교대 근무의 피곤함이다. 네 번째 질문에서 여성 카지노 시큐리티 종사원들의 필요성에 대한 요인은 여성 고객에게 차별화된 서비스 제공, 여성 종사원의 보호, 관련 전공 여성에게 기회 제공이다. 이렇게 나온 연구결과에 대해 카지노 시큐리티업무 20년 이상의 전문가와 인터뷰를 실시하였고, 여성 카지노 시큐리티 종사원은 필요요건이기 때문에 제도적, 인식적인 개선을 통해 발전 방향을 모색해야 한다고 하였다.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2008년도 International Meeting on Information Display
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• pp.107-108
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• 2008

The spectacular development of AMLCDs, been made possible by a-Si:H technology, still faces two major drawbacks due to the intrinsic structure of a-Si:H, namely a low mobility and most important a shift of the transfer characteristics of the TFTs when submitted to bias stress. This has lead to strong research in the crystallization of a-Si:H films by laser and furnace annealing to produce polycrystalline silicon TFTs. While these devices show improved mobility and stability, they suffer from uniformity over large areas and increased cost. In the last decade we have focused on microcrystalline silicon (${\mu}c$-Si:H) for bottom gate TFTs, which can hopefully meet all the requirements for mass production of large area AMOLED displays [1,2]. In this presentation we will focus on the transfer of a deposition process based on the use of $SiF_4$-Ar-$H_2$ mixtures from a small area research laboratory reactor into an industrial gen 1 AKT reactor. We will first discuss on the optimization of the process conditions leading to fully crystallized films without any amorphous incubation layer, suitable for bottom gate TFTS, as well as on the use of plasma diagnostics to increase the deposition rate up to 0.5 nm/s [3]. The use of silicon nanocrystals appears as an elegant way to circumvent the opposite requirements of a high deposition rate and a fully crystallized interface [4]. The optimized process conditions are transferred to large area substrates in an industrial environment, on which some process adjustment was required to reproduce the material properties achieved in the laboratory scale reactor. For optimized process conditions, the homogeneity of the optical and electronic properties of the ${\mu}c$-Si:H films deposited on $300{\times}400\;mm$ substrates was checked by a set of complementary techniques. Spectroscopic ellipsometry, Raman spectroscopy, dark conductivity, time resolved microwave conductivity and hydrogen evolution measurements allowed demonstrating an excellent homogeneity in the structure and transport properties of the films. On the basis of these results, optimized process conditions were applied to TFTs, for which both bottom gate and top gate structures were studied aiming to achieve characteristics suitable for driving AMOLED displays. Results on the homogeneity of the TFT characteristics over the large area substrates and stability will be presented, as well as their application as a backplane for an AMOLED display.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2010년도 하계학술대회 논문집
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• pp.31-31
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• 2010

The growth of the high-quality GaN epilayers is of significant technological importance because of their commercializedoptoelectronic applications as high-brightness light-emitting diodes (LEDs) and laser diodes (LDs) in the visible and ultraviolet spectral range. The GaN-based heterostructural epilayers have the polar c-axis of the hexagonal structure perpendicular to the interfaces of the active layers. The Ga and N atoms in the c-GaN are alternatively stacked along the polar [0001] crystallographic direction, which leads to spontaneous polarization. In addition, in the InGaN/GaN MQWs, the stress applied along the same axis contributes topiezoelectric polarization, and thus the total polarization is determined as the sum of spontaneous and piezoelectric polarizations. The total polarization in the c-GaN heterolayers, which can generate internal fields and spatial separation of the electron and hole wave functions and consequently a decrease of efficiency and peak shift. One of the possible solutions to eliminate these undesirable effects is to grow GaN-based epilayers in nonpolar orientations. The polarization effects in the GaN are eliminated by growing the films along the nonpolar [$11\bar{2}0$] ($\alpha$-GaN) or [$1\bar{1}00$] (m-GaN) orientation. Although the use of the nonpolar epilayers in wurtzite structure clearly removes the polarization matters, however, it induces another problem related to the formation of a high density of planar defects. The large lattice mismatch between sapphiresubstrates and GaN layers leads to a high density of defects (dislocations and stacking faults). The dominant defects observed in the GaN epilayers with wurtzite structure are one-dimensional (1D) dislocations and two-dimensional (2D) stacking faults. In particular, the 1D threading dislocations in the c-GaN are generated from the film/substrate interface due to their large lattice and thermal coefficient mismatch. However, because the c-GaN epilayers were grown along the normal direction to the basal slip planes, the generation of basal stacking faults (BSFs) is localized on the c-plane and the generated BSFs did not propagate into the surface during the growth. Thus, the primary defects in the c-GaN epilayers are 1D threading dislocations. Occasionally, the particular planar defects such as prismatic stacking faults (PSFs) and inversion domain boundaries are observed. However, since the basal slip planes in the $\alpha$-GaN are parallel to the growth direction unlike c-GaN, the BSFs with lower formation energy can be easily formed along the growth direction, where the BSFs propagate straightly into the surface. Consequently, the lattice mismatch between film and substrate in $\alpha$-GaN epilayers is mainly relaxed through the formation of BSFs. These 2D planar defects are placed along only one direction in the cross-sectional view. Thus, the nonpolar $\alpha$-GaN films have different atomic arrangements along the two orthogonal directions ($[0001]_{GaN}$ and $[\bar{1}100]_{GaN}$ axes) on the $\alpha$-plane, which are expected to induce anisotropic biaxial strain. In this study, the anisotropic strain relaxation behaviors in the nonpolar $\alpha$-GaN epilayers grown on ($1\bar{1}02$) r-plane sapphire substrates by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVO) were investigated, and the formation mechanism of the abnormal zigzag shape PSFs was discussed using high-resolution transmission electron microscope (HRTEM).

• 항공우주정책ㆍ법학회지
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• 제28권1호
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• pp.97-114
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• 2013

제6차 세계항공운송회의가 2013.3월 ICAO 주관으로 개최되었다. 10년마다 한 번씩 개최되는 세계항공운송회의는 국제항공운송에 관련된 거의 모든 문제를 다루고 있는데, 국제민간항공의 장기적인 성장을 보장하기 위하여 ICAO 정책을 갱신하는 목적을 가지고 있다. 2003년에 개최되었던 제5차 세계항공운송회의는 항공운송화의 자유화에 초점을 맞추었는데, 제6차회의는 종전 자유화의 추진 여부에서 자유화의 실행 방법에 역점을 두었다. 제6차 회의의 주요한 의제 항목은 자유화, 안전 장치, 소유권 및 통제, 공정 경쟁, 공항과 항행시설, 조세 및 부과금, 그리고 ICAO 정책이다. 자유화 특히 점진적 자유화는 지난 수 십 년 동안 주된 의제였다. 자유화로 향하는 과정에서 시장접근의 확대, 항공사의 소유 및 통제에 관한 규제의 완화가 필요하다. 더욱이, 공항 및 항행시설과 같은 인프라의 충분한 공급은 자유화의 걸림돌을 제거하는 요소로 작용할 수 있다. 그러나, 자유화가 급속하고 과격하게 진행될 때, 약자와 소비자 이익 보호의 차원에서 개도국에 의한 시장접근과 소비자 보호 및 조세 및 부과금의 투명하고도 경제적인 결정을 확보하기 위한 안전 장치가 확보되어야 한다. 공정 경쟁은 시장에서의 경쟁 촉진과 구별되는 개념인데, 약자와 소비자를 독과점으로부터 보호하기 위한 목적을 가진다. 이번 회의에 한국 대표단은 3개의 WP(작업 문서)와 1개의 IP(정보 문서)를 제출하였는데, 역대 가장 많은 숫자이다. 제6차 회의에서는 자유화를 촉진하기 위하여 패러다임(준거 기준기준) 전환이 강조되었다. 그러나 현실은 자유화의 중요성을 강조하고 회원국에게 태도의 변화를 촉구하기 위하여 이제까지 많은 권고 결의를 하였으나 자유화의 속도는 매우 느리고 부진하다는 것이다. 항공운송의 자유화는 항공운송 및 관련산업의 성장과 고용의 창출, 관광과 지역개발의 진흥 나아가 상호 이해 및 교류를 촉진시켜 장애가 없는 세계를 만드는데 기여할 것이다. 이러한 맥락에서 다음 회의는 자유화의 과정을 평가하게 될 것으로 예상된다.

• 대한정형외과스포츠의학회지
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• 제10권1호
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• pp.27-34
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• 2011

목적: 자가 슬괵건을 이용한 전방 십자 인대 재건술에서 Cross pin 및 Graft Tensioner를 이용한 수술의 단기 추시 결과를 보고하고 조기 경험에서 발견된 수술 술기상의 문제점과 그 해결방안을 모색하고자 한다. 대상 및 방법: 2008년 1월부터 2009년 3월까지 자가 슬괵건을 이용한 전방 십자인대 재건술 후 최소 18개월이상 추시가 가능하였던 35예를 대상으로 하였다. 이식건의 대퇴골측 고정을 위해 Cross pin을, 경골측의 고정을 위해 Intrafix와 Post-tie를 사용하였다. 이식건은 Graft Tensioner을 이용하여 80N의 힘으로 고정하였다. 결과는 임상적, 방사선학적 결과와 합병증으로 평가하였다. 결과: IKDC 주관적 점수 및 Lysholm 점수는 술 후 89.1점 및 91.4점로 호전되었으며 축이동 검사 및 One-leg hop 검사도 술후 양호한 소견을 보였다. KT-1000 관절계 검사 및 Telos 부하 방사선 검사상 최종 추시시 건측에 비해 평균 $2.8{\pm}1.6$ mm, $2.6{\pm}1.3$ mm로 호전을 보였으며 대퇴골 터널은 평균 $2.3{\pm}1.1$ mm로 확장되었다. 수술 술기상 문제점으로 대퇴골 터널과 횡고정 터널의 불일치, 대퇴골 터널과 Graft Harness의 길이 불일치 그리고 연부 조직 자극이 관찰되었다. 결론: Cross pin 및 Graft Tensioner를 이용한 전방 십자인대 재건술은 단기 추시 상 좋은 안정성을 보여주는 수술 방법 중의 하나로 사료된다. 그러나 술기상 문제로 대퇴 터널-cross pin 불일치를 줄이기 위해 대퇴 터널을 짧게 만들거나 cross pin 터널을 피질골에 가능한 수직으로 만들어야 하며 대퇴 터널 형성시 위치 막대를 3 mm가량 더 진행시켜야 대퇴 터널-graft harness 불일치를 줄일 수 있을 것으로 생각된다.

• 한국농림기상학회지
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• 제18권4호
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• pp.188-198
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• 2016

본 연구는 콩 생육모형을 활용하여 우리나라에서 콩 재배기간 동안 발생할 수 있는 이상고온에서 파종일 이동에 따른 콩의 수량반응과 그 영향을 탐색하였다. 또한 미래 기후변화 시나리오(2041-2070년)에서도 파종일 이동이 잠재수량(yield potential)의 변화에 미칠 수 있는 영향을 분석하였다. 1981-2010년 동안 전주와 밀양 두 지점에서, 6월 10일의 파종일을 기준으로 5월 25일과 30일의 파종일 단축에 의한 상대적 잠재수량의 변화는 증가보다는 감소 경향으로 나타난 반면, 6월 5일의 파종일 단축에 의한 잠재수량은 증가(평균 +3%)하는 것으로 나타났다. 그러나, 6월 15일과 20일의 파종일 지연에 의한 잠재수량의 감소(평균 -5%)가 증가(평균 +2%)보다 큰 것으로 나타났다. 또한 두 지점의 최근 2003년부터 2010년 동안 정상온도의 해에서, 6월 10일의 파종일을 기준으로 전주의 5월 25일을 제외하고 파종일 이동에 의한 상대적 잠재수량의 변화에 큰 차이가 나타나지 않았다. 그러나 이상 고온의 해에서, 밀양의 경우 파종일 단축에 의한 상대적 잠재수량이 모두 증가하였지만 전주는 6월 5일의 파종일 단축을 제외하고 파종일 단축에서도 상대적 잠재수량의 감소가 나타났다. 파종일 지연에서는 두 지점 모두에서 상대적 잠재수량이 감소하는 것으로 나타났다. 두 지점에서 2041-2070년의 미래 기후변화 시나리오 전망에서 파종일 단축에 따른 잠재수량의 증감효과는 RCP 4.5에서 +7%/-13%(전주)와 +14%/-10%(밀양)로 나타났고, RCP 8.5에서 +10%/-9%(전주)와 +14%/-9%(밀양)로 나타났다. 또한 파종일 지연에 따른 잠재수량의 증감효과는 RCP 4.5에서 +5%/-13%(전주)와 +11%/-16%(밀양)로 나타났고, RCP 8.5에서는 +10%/-17%(전주)와 +10%/-29%(밀양)로 나타났다. 절대적인 값의 차이는 작지만 상대적 잠재수량의 변화에서 파종일 이동에 의한 영향이 RCP 8.5에서 더 반영된 것으로 판단된다.