$Si_{1-y}Ge_y$ 위에 성장시킨 $Si_{1-x}Ge_x$ 에서 성장방향과 응력변형 조건에 따른 정공의 이동도 연구
(Dependence of Hole Mobilities on the Growth Direction and Strain Condition in $Si_{1-x}Ge_x$ Layers Grown on $Si_{1-y}Ge_y$ Substrate)
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- 한국전기전자재료학회논문지
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- 제11권4호
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- pp.267-273
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- 1998