• 오토저널
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• 제15권3호
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• pp.47-54
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• 1993

This paper describes briefly the effect of ultrasonic fuel supply device on the performance of four stroke cycle gasoline engine. Experiments were carried out to clarify the effect of ultrasonic fuel supply device on the engine output, traveling fuel consumption ratio, exhaust emissions. The results were obtained as follows: 1.Engine output was increased 9-14% in comparison with that of the conventional injector. 2.Travelling fuel consumption ratio was improved 17-29% in comparison with that of the conventional injector. 3. CO, HC exhaust emissions was decreased compared to the value of the conventional injector. 4.Fuel consumption ratio in highway driving test was improved about 10% in comparison with that of the conventional injector.

• 디지털콘텐츠학회 논문지
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• 제10권3호
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• pp.389-393
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• 2009

본 논문에서는 유한차분 시간영역법(Finite Difference Time Domain method)을 이용하여 단일 패치를 갖는 마이크로스트립 안테나와 2개의 패치를 갖는 광대역 갭 결합 마이크로스트립 패치안테나를 설계 및 해석하였다. 반사파를 최소로 하기 위해 Mur의 2차 흡수경계조건을 적용하였다. 이 안테나의 구동패치의 길이와 폭, 기생패치의 길이와 폭, 구동패치와 기생패치의 간격 등에 의한 반사손실, 전압정재파비, 입력 임피던스 등의 주파수 응답 특성을 해석하여 최적의 광대역 안테나의 설계치를 보여 주었고 이로부터 복사패턴을 제시하였다. 또한 광대역 안테나 특성이 일어나는 원인을 분석하였다.

• Journal of Positioning, Navigation, and Timing
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• 제7권2호
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• pp.105-112
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• 2018

This paper manufactured an active GPS antenna for ground vehicles and presented a method to verify the performances of the antenna and component technology of the low noise amplifier (LNA) board manufacturing. The manufactured GPS antenna is an active antenna where microstrip patch and LNA board were combined. The main performances were standing wave ratio, antenna gain, and axial ratio, and all satisfied the target specifications. The proposed component technology can be utilized as a basis data in which the performance of LNA board can be compensated in the mass production process inspection, and employed as a method to verify whether antennas are properly working in environmental tests.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2006년도 춘계종합학술대회
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• pp.902-905
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• 2006

본 논문에서는 성능 변수들을 측정하기 위해 검사용 설계 (design-for-testability, DFT) 방법을 기초로한 새로운 고주파 검사 회로를 제안한다. 이러한 기술은 저잡음 증폭기 (LNA)의 입력 임피던스, 이득, 잡음지수, 입력 전압 정재파비 (VSWR) 및 출력 신호대 잡음비 (SNR)를 제공한다. 이러한 고주파 경사 방식은 DR 칩에서 측정된 출력 DC 전압과 이론적인 수식을 이용하여 실제 고주파 소자의 중요 사양을 산출할 수 있다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제9권5호
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• pp.668-677
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• 1998

밀리미터파대 마이크로스트립 패치 안테나 해석에 시간영역 유한차분법 (FDTD)의 적용 가능성올 입증하였다. 이 방법을 이용하여 32.153 GHz에서 공진하는 마이크로스트립 patch 안테나의 크기를 최척화하고, 입력 임피던스, 정재파비와 복사패턴올 계산하였다. MOM (method of moment)과 FDTD 방법에 의해 계산된 마이크 로스트립 패치 안테나의 공진 주파수를 측정값과 비교한 결과, 각각의 차이가 12.27 %와 1.23%이었다. 또한 이 Ka-밴드 패치 안테나의 대역폭은 X밴드에서와 같이 약 8%이었다.

• 한국해안·해양공학회논문집
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• 제27권5호
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• pp.324-338
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• 2015

진행파 혹은 임의 반사율을 갖는 부분중복파 혹은 완전중복파-흐름-해저지반의 상호작용에 관한 해석해가 Lee et al.(2014; 2015a; 2015b; 2015c; 2015d) 및 Yamamoto et al.(1978)과 같은 다수의 연구자들에 의해 유도되었으며, 그들은 진동간극수압과 잔류간극수압을 별개로 취급하여 각 파동에 의한 지반응답을 논의하였다. 그러나, 실제 현장이나 실험에서 해저지반내 간극수압은 진동성분과 잔류성분이 별개로 나타나는 것이 아니고 그의 합 (전간극수압)으로 주어지기 때문에 전간극수압의 관점에서 반드시 검토될 필요가 있다. 따라서, 본 연구에서는 진동간극수압과 잔류간극수압뿐만 아니라 전간극수압의 측면에서 파동조건, 지반조건 및 흐름조건의 변화에 따른 지반응답의 변동특성을 논의하였으며, 더불어 이에 따른 액상화의 연직깊이에서 특성변화를 검토하였다. 이로부터 진행파와 순방향의 흐름의 공존장에서는 흐름속도가 증가할수록 무차원진동간극수압이 증가하고, 무차원잔류간극수압은 감소하여 결과적으로 무차원전간극수압이 작아지며, 무차원액상화 깊이도 감소하는 등의 지반응답특성을 확인할 수 있었다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1998년도 하계학술대회 논문집 D
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• pp.1484-1486
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• 1998

Recently, extending the local broadcasting and increasing lots of informations, the low-loss communication cable is required in proportion as frequency. The reason of transportation loss causes to using the high frequencies like hundreds of MHz or decades of GHz. For the low transportation loss, it is required the developing-technology of foaming and the high foamed insulator with the dielectric ratio of the nearest to 1. Therefore, there is the purpose of developing the insulating materials for the low dielectric ratio. Also it is important to measure the attenuation, which is one of the important parameters, as the evaluation of transportation characteristic with frequency in the communication cable. In this paper, the result showed that the dielectric ratio(1.4) of the nearest to 1 and low attenuation with high frequency were very related to the transportation and reflection characteristics such as propagation velocity(82.27%), delay time and voltage standing wave ratio(VSWR).

• 한국한의학연구원논문집
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• 제16권1호
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• pp.157-171
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• 2010

This study aimed to investigate the effect of four common types of Qigong position (standing, sitting, supine, and horse-riding position) on the autonomic nervous system. Thirty healthy subjects participated in this study once a week for four weeks. Electroencephalogram (EEG) was measured three times (before, during, and after the position) while the subject maintained one of four positions for ten minutes. There were significant changes in HRV components compared with EEG power spectra in the standing position. Especially, the ratio of low-to-high frequency (LF/HF) which represents a state of balance of autonomic nervous system was increased. In the sitting position, $\beta$ wave which reflects a state of alert consciousness was increased and both the sympathetic and parasympathetic nerves were activated. On the other hand, in the spine position, $\theta$ wave which signifies a state of relaxation was increased and heart rate (HR) was decreased. Activation of sympathetic and parasympathetic nerves was also observed in this position. Significant increases of indices related to awakening and concentration were observed accompanied by increase of HR and a sympathetic nerve was activated in the riding-horse position. In the present study, it was shown that each Qigong position caused various and significant changes in autonomic nervous system. It would be expected that these results can be applied in the choice of appropriate Qigong position according to objective of Qigong therapy although it is remained to further evaluate the effects of long-term maintenance of Qigong positions and repeated Qigong training.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2017년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.134.2-134.2
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• 2017

최근 고성능, 저 전력 반도체 소자를 위한 미세 공정 기술이 발전함에 따라, gate oxide의 두께 및 선폭이 감소하고, aspect ratio가 증가하고 있는 추세이다. 따라서 얇아진 gate oxide를 통한 채널 물질로의 boron 확산을 막기 위한 고농도 질화 막 증착의 필요성이 높아지고 있으며, high aspect ratio의 gate oxide에 적용 가능한 우수한 step coverage의 질화막 또한 요구되고 있다. 이러한 요구조건을 만족시키기 위해 일반적인 13.56MHz의 플라즈마 소스를 이용한 질화연구들이 선행되어져 왔으나, 높은 binding energy(~24 eV)를 가지고 있는 N2 molecule gas를 효과적으로 dissociation 하지 못해 충분한 질화공정이 수행되어질 수 없었을 뿐만 아니라 높은 공정온도($>200^{\circ}C$에서 진행되어 반도체소자에 손상을 줄 수 있다. 본 연구에서는 이러한 문제들을 해결하기 위해 VHF (162MHz)를 이용한 플라즈마를 통해 고밀도에서 낮은 전자온도와 높은 진동온도의 플라즈마를 구현하여 20%이상의 높은 질화율을 얻을 수 있었고, multi-tile push-pull 플라즈마 소스를 통해 VHF 사용 시 나타나는 standing wave effect를 제어하여 high aspect ratio의 gate sidewall spacer에 우수한 step coverage의 질화막을 형성시킬 수 있었다.

• 한국재료학회지
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• 제15권8호
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• pp.518-520
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• 2005

Effects of the $O_2/Ar$ flow ratio in the sputtering process on the crystallinity, surface roughness, carrier concentration, carrier mobility, and optical properties of Al-doped ZnO thin films deposited on sapphire (001) substrates by RF magnetron sputtering were investigated. XRD spectra showed a preferred orientation along the c-axis and a minimum FWHM of the (002) XRD intensity peak for the $O_2/Ar$ flow ratio of 0.5. The (101)peak also appeared and the degree of preferred orientation decreased as the $O_2/Ar$ flow ratio increased from 0.5 to 1.0. AFM analysis results showed that the surface roughness was lowest at the $O_2/Ar$ flow ratio of 0.5 and tended to increase owing to the increase of the grain size as the $O_2/Ar$ flow ratio increased further. According to the Hall measurement results the carrier concentration and carrier mobility of the fan decreased and thus the resistivity increased as the $O_2/Ar$ flow ratio increased. The transmittance of the ZnO:Al film deposited on the glass substrate was characteristic of a standing wave. The transmittance increased as the $O_2/Ar$ flow ratio in-RF magnetron sputtering increased up to 0.5. Considering the effects of the $O_2/Ar$ flow ratio on the surface roughness, electrical resistivity and transmittance properties of the ZnO:Al film the optimum $O_2/Ar$ flow ratio was 0.5 in the RF magnetron sputter deposition of the ZnO:Al film.