The authors predicted that $Co_2HfSi$, a $Co_2$-based full Heusler alloy, is being a half-metallic ferromagnet by first-principles calculations using the all electron full-potential linearized augmented plane wave method which adopts the generalized gradient approximation. The integer value of the calculated total magnetic moment of 2.00 ${\mu}_B$ per formula unit and a spin gap of 0.69 eV in spin down state confirmed the half-metallicity of bulk $Co_2HfSi$. For the $Co_2HfSi$(001) surface, we considered two possible surface terminations, namely, Co terminated and HfSi terminated surfaces. It was found that half-metallicity was retained at the HfSi-terminated surface but not at the Co-terminated surface. The magnetic moment of surface Co atoms in the Co-terminated surface was slightly lower than that of Co atoms in deep inner-layers, whereas the magnetic moments of Hf and Si atoms at the HfSi-terminated surface were almost same as those in deep inner-layers.
히스테리시스 특성을 갖는 자기기록장치의 재생과정을 수치모사할 수 있는 방법을 구현 하였다. 수치해거시 기록과정뿐만 아니라 재생과정에서도 히스테리시스 특성을 고려해 주어야 한다. 수치해석기법으로 유한요소법(finite element metho)을 사용하고 히스테리시스 특성을 묘사하기 위 하여 spin curling 모드를 이용한 Stoner-Wohlfarth 모델보다 정밀한 해석이 가능한 Preisach 모델 을 사용하여 알고리즘을 구성한 후 재생전압을 구하기 위한 수식을 유도하고 이 것을 2층매체와 폴 형헤드를 갖는 수직자기 기록장치에 적용하였다. 정보가 기록된 매체위를 헤드가 지나갈 때 코일을 통과하는 자속밀도와 코일에 유기되는 재생전압의 크기가 포화되는 특성을 구함으로써 이것으로부 터 기록과정에서 헤드에 흘려줄 최적의 전류를 구하였다.
The tungsten bronze type of strontium barium niobate(SBN) thin film was synthesized by metal organic decomposion method for SBN stock solution and the SBN thin film process were deposited by spin-coating process on Pt-deposited si-wafer(100) by magnetron sputtering system. The thickness of SBN thin film was 150~200 nm and were optimized for rpm of spin-coater system. The structural variation of SBN thin film was studied by TG-DTA and XRD. The deposited SBN stock solution on annealing at $400{\sim}800^{\circ}C$ a pure tungsten bronze SBN phase and the corresponding. average grain size about 500~1000 nm influenced by annealing temperature. The piezoelectric properties of prepared SBN thin film, the remanent polarization value(2Pr) and coercive field was $1.2{\mu}C/cm^2$ and 2.15V/cm, respectively.
It is important to analyze crosslink densities of rubber articles because the physical properties are dependent on the crosslink densities. In this paper, analytical techniques for the measurement of crosslink densities of rubber vulcanizates are described. The most widely used method to measure the crosslink density is a swelling method combined with the Flory-Rehner equation. Application of the interaction parameter (${\chi}$) of rubber and swelling solvent is critical because the crosslink density is absolutely dependent on the ${\chi}$ value. Methods for obtaining ${\chi}$ employ not only solubility parameters of the polymer and swelling solvent but also inverse gas chromatography (IGC). The solubilities of rubbers can be obtained using micro differential scanning calorimetry (${\mu}DSC$), intrinsic viscosity measurement, and UV-visible spectroscopy. Nuclear magnetic resonance (NMR) spectroscopy has been also used for the measurement of the crosslink density using the $T_2$ relaxation time, which is determined by spin-spin relaxation in solid-state NMR. For sulfur-cured rubber vulcanizates, crosslink densities according to the crosslink types of mono-, di-, and polysulfides are measured by treating the rubber samples with a chemical probe composed of thiol and amine compounds. Measurement methods of physical crosslinking by filler, crystallization, and ionic bonding have also been introduced.
We report improved low-field magnetoresistance (LFMR) effects of the $La_{0.7}Sr_{0.3}Mn_{1+d}O_3-Mn_3O_4$ composite films with the nominal composition of $La_{0.7}Sr_{0.3}MnO_3$(LSMO)-50 mol% $Mn_3O_4$. The composite films were fabricated by ex-situ solid phase crystallization (SPC) of amorphous films at the annealing temperature region of $900-1100^{\circ}C$ for 2 h in a pure oxygen atmosphere. The amorphous films were deposited on polycrystalline $BaZrO_3$ (poly-BZO) substrates by dc-magnetron sputtering at room temperature. The Curie temperatures ($T_C$) of all composite films were insignificantly altered in the range of 368-372 K. The highest LFMR value of 1.29 % in 0.5 kOe with the maximum dMR/dH value of $37.4%kOe^{-1}$ at 300 K was obtained from 900 nm-thick composite film annealed at $1100^{\circ}C$. The improved LFMR properties of the composite films are attributed to effective spin-dependent scattering at the $La_{0.7}Sr_{0.3}Mn_{1+d}O_3$ grain boundaries sharpened by adjacent chemically compatible $Mn_3O_4$ grains.
Silicate-silsesquioxane or siloxane-silsesquioxane hybrid thin films are strong candidates as matrix materials for ultra low dielectric constant (low-k) thin films. We synthesized the silicate-silsesquioxane hybrid resins from tetraethoxyorthosilicate (TEOS) and methyltrimethoxysilane (MTMS) through hydrolysis and condensation polymerization by changing their molar ratios ([TEOS]:[MTMS] = 7:3, 5:5, and 3:7), spin-coating on Si(100) wafers. In the case of [TEOS]:[MTMS] 7:3, the dielectric permittivity value of the resultant thin film was measured at 4.30, exceeding that of the thermal oxide (3.9). This high value was thought to be due to Si-OH groups inside the film and more extensive studies were performed in terms of electronic, ionic, and orientational polarizations using Debye equation. The relationship between the mechanical properties and the synthetic conditions of the silicate-silsesquioxane precursors was also investigated. The synthetic conditions of the low-k films have to be chosen to meet both the low orientational polarization and high mechanical properties requirements. In addition, we have investigated a new solution-based approach to the synthesis of semiconducting chalcogenide films for use in thin-film transistor (TFT) devices, in an attempt to develop a simple and robust solution process for the synthesis of inorganic semiconductors. Our material design strategy is to use a sol-gel reaction to carry out the deposition of a spin-coated CdS film, which can then be converted to a xerogel material. These devices were found to exhibit n-channel TFT characteristics with an excellent field-effect mobility (a saturation mobility of ${\sim}\;48\;cm^2V^{-1}s^{-1}$) and low voltage operation (< 5 V). These results show that these semiconducting thin film materials can be used in low-cost and high-performance printable electronics.
Purpose: Research on equity carve-outs is necessary because the market has realized that they lead to holding company discounts by double counting, which can only be observed in the Korean market. Considering the differences in the SSG.com equity carve-out compared to previous cases in terms of business strategy, this study contributes to the literature by examining the effects on shareholder value in the Korean distribution industry. Research design, data, and methodology: This study investigated literature, analyst reports, and news articles to examine the causes of holding company discounts and analyze the SSG.com equity carve-out. Results: The monopoly of holding companies' listing premiums is the main cause underlying holding company discounts from equity carve-outs. Protections for minority shareholder value are challenging owing to the complexity of the process of acquiring rights, the short exercise period, and additional costs. Therefore, the motivation for equity carve-outs should be to increase overall shareholder value. Conclusion: By analyzing the reasons for holding company discounts in the Korean distribution industry, this study provides recommendations for improving shareholder value. Moreover, it contributes to the maturation of the Korean capital market by promoting a discussion on the revision of equity carve-outs.
대한원격탐사학회 1999년도 Proceedings of International Symposium on Remote Sensing
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pp.227-230
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1999
Surface solar radiation over the sea is estimated using Visible and Infrared Spin Scan Radiometer data onbord Geostationary Meteorological Satellite(GMS) 5 for January, 1997 to December 1997 in clear and cloudy conditions. The hourly insolation is estimated with a spatial resolution of 5$\times$ 5 km grid. The island pyranometer belonging to the Japan Meteorological Agency is used for validation of the estimated insolation. It is shown that the estimated hourly insolation has RMSE(root mean square) error of 104 W/$m^2$. The variability of the hourly solar radiation was investigated on 3 areas over seas around Korean Peninsula. The solar radiation of East Sea is similar to Yellow Sea. The maximum value of solar radiation is on June of year. The maximum value in south sea is on August because weather is poor by low pressure and front in June
Platinum thin films were deposited on $Al_2$O$_3$substrate by DC magnetron sputtering for RTD(Resistance Thermometer Devices) temperature sensors. We made Pt resistance pattern on $Al_2$O$_3$substrate by lift-off method and fabricated Pt-RTD temperature sensors by using W-wire, silver epoxy and SOG(spin-on-glass). In the temperature range of 25~40$0^{\circ}C$, we investigated TCR(temperature coefficient of resistance) and resistance ratio of Pt-RTD temperature sensors. TCR values were increased with increasing the annealing temperature, time and the thickness of Pt thin films. Resistance values were varied lineally within the range of measurement temperature. At annealing temperature of 100$0^{\circ}C$, annealing time of 240min and thin film thickness of 1${\mu}{\textrm}{m}$, we obtained Pt-RDT TCR value of 3825ppm/$^{\circ}C$ closed to the Pt bulk value.
We investigated H-type molecular aggregation in a simply spin-coated amorphous homopolymer film of polymethacrylate containing push-pull azobenzene moieties. It was found that the aggregate formation was strongly influenced by thermal treatment an d that the aggregate created in the polymer film could be easily disrupted by irradiation of a linearly polarized light. In the first writing cycle of aggregated polymer film, photo-induced birefringence showed a steep increase to the highest value followed by a gradual decrease to the certain asymptotic value under longer irradiation of a linearly polarized light. This unique behavior could be attributed to the cooperative motion and the disruption of the aggregated molecules under continuous irradiation of light.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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