Phase transition of the Lennard-Jonesian binary system with a free surface was studied by employing molecular dynamics simulation. The main focus of this study was to investigate the effect of size misfit and solute concentration on phase transition during heating and quenching. For a binary system with a free surface, the melting point and the critical quenching rate decrease as size misfit and solute concentration increase.
Journal of Dental Rehabilitation and Applied Science
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v.22
no.1
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pp.75-87
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2006
The purpose of this study was to investigate the effects of prostheses misfit, cantilever on the stress distribution in the implant components and surrounding bone using three dimensional finite element analysis. Two standard 3-dimensional finite element models were constructed: (1) 3 ITI implant supported, 3-unit fixed partial denture and (2) 3 ITI implant supported, 3-unit fixed partial denture with a distal cantilever. variations of the standard finite element models were made by placing a $100{\mu}m$ or $200{\mu}m$ gap between the fixture, the abutment and the crown on the second premolar and first molar. Total 14 models were constructed. In each model, 244 N of vertical load and 244 N of $30^{\circ}$ oblique load were placed on the distal marginal ridge of the distal molar. von Mises stresses were recorded and compared in the crowns, abutments, crestal compact bones, and trabecular bones. The results were obtained as follows: 1. In the ITI implant system, cement-retained prostheses showed comparatively low stress distributions on all the implant components and fixtures regardless of the misfit sizes under vertical loading. The stresses were increased twice under oblique loading especially in the prostheses with cantilever, but neither showed the effects of misfit size. 2. Under the oblique loading and posterior cantilever, the stresses were highly increased in the crestal bones around ITI implants, but effects of misfit were not shown. Although higher stresses were shown on the apical portion of trabecular bones, the effects by misfit were little and the stresses were increased by the posterior cantilever. 3. When the cement loss happened in the ITI implant supported FPD with misfit, the stresses were increased in the implant componets and supporting structures.
The effect of misfit on the indentation behaviour of silver coated copper multilayer was studied by molecular dynamics simulation. It was found that the misfit bands on interface formed by the mismatch of lattice structure between copper and silver in slip direction [110] and the dislocation band width depended on the mismatched lattice constants of materials. More dislocations were created and glided by indentation, which created a "four-wing flower" structure consisting of pile. up of dislocation at the interface. The size of "flower" depended on the thickness of silver layer. The critical thickness for "flower" was approximately 4nm above which the "flower" disappeared. As the result, deformation mechanisms such as dislocation pile-up, dislocation cross-slip and movement of misfit dislocation were revealed. Only silver atoms in the dislocation pile-up were involved in the creation of the "flower" while the dislocations in copper were glided in slip direction on interface.
Objective: To evaluate if a remote digital monitoring system added at the end of orthodontic treatment could positively influence the retention phase by reducing the occurrence of misfit of removable appliances, number of emergency appointments (EA), and orthodontic relapse. Methods: Twenty-seven patients who completed active orthodontic treatment were divided into the study and control groups. In addition to the standard chairside follow-up appointments at month 1 (T1), month 3 (T2), month 6 (T3), the study group patients were monitored using Dental Monitoring® with monthly intra-oral scans. Occurrence of misfit of removable retainers, number of EAs, and intercanine width change were recorded for both groups. Differences in EAs and retainer fit were assessed using the chi-square test. Intra-group and inter-group differences in the intercanine width were assessed with Friedman test and Mann-Whitney U test, respectively (α = 0.05). Results: The study group showed a significantly lower occurrence of misfit of removable retainers (p = 0.027) compared to the control group. No significant inter- and intra-group difference was found in the EAs and intercanine width change at each time-point. Conclusions: Integrating remote monitoring systems, such as Dental Monitoring®, to the retention phase of the orthodontic treatment may lower the occurrence of misfit of removable retainers. However, a small sample size and a short observation period limit the strength of this evidence. These preliminary results tentatively suggest that remote monitoring technologies may be beneficial, especially during the COVID-19 pandemic, when the regularity of in-office visits might be disrupted.
Mg and Mg-based alloys are most important hydrogen storage materials. It is a lightweight and low-cost materials with high hydrogen storage capacity. However, the formation of hydride at high temperature, the deterioration effect, the hydriding and dehydriding kinetics are bad factor for application. In this study, Mg and Ni have been produced by hydrogen induced mechanical alloying(HIMA) process. The raw materials, Mg(purity 99.9%) chip and Ni(purity 99.95%) chip was prepared by using a planetary ball mill apparatus(FRITSCH pulverisette 5). The balls to chips mass ratio(BCR) are 30:1. The hydrogen pressure induced 2.0MPa and milling times were 12, 24, 48, 72, 96 hours with a rotating speed of 200rpm. X-ray diffraction(XRD) analysis was made to characterize the crystallite size and misfit strain. The crystallite size measured by laser particle size analysis(PSA). Microstructure changes were investigated by scanning electron microscopy(SEM) and the transmission electron microscopy(TEM). The hydrogen storage properties were evaluated by using an Sivert's type automatic pressure-composition-therm(PCT) apparatus.
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.14
no.3
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pp.95-100
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2004
This paper reports a potential problem in the electrical performance of the silicide film to silicon contacts with respect to the scaling trend in integrated circuit (IC) devices. The effects of elastic strain on the agglomeration of the coherent silicide film embedded in an infinite matrix are studied employing continuum linear elasticity and finite-difference numerical method. The interface atomic diffusion is taken to be the dominant transport mechanism where both capillarity and elastic strain are considered for the driving forces. Under plane strain condition with elastically homogeneous and anisotropic system with cubic symmetry, the dilatational misfit and the tetragonal misfit in the direction parallel to the film thickness are considered. The numerical results on the shape evolution agree with the known trend that the equilibrium aspect ratio of the film increases with the elastic strain intensity. When the elastic strain intensity is taken to be only a function of the film size, the flat film morphology with a large aspect ratio becomes increasingly unstable since the equilibrium aspect ratio decreases, as the film scales. The shape evolution results in a large decrease in contact to silicon area, and may deteriorate the electrical performances.
Proceedings of the Korea Association of Crystal Growth Conference
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1996.06a
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pp.258-292
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1996
In the last year great interest appears to YBCO thin films preparation on different substrate materials. Preparation of epitaxial film is a very difficult problem. There are many requirements to substrate materials that must be fullfilled. Main problems are lattice mismatch (misfit) and similarity of structure. From paper [1] or follows that difference in interatomic distances and angles of substrate and film is mire important problem than similarity of structure. In this work we present interatomic distances and angle relations between substrate materials belonging to ABCO4 group (where A-Sr or Ca, B-rare earth element, C-Al or Ga) of different orientations and YBCO thin films. There are many materials used as substrates for HTsC thin films. ABCO4 group of compounds is characterized by small dielectric constants (it is necessary for microwave applications of HTsC films), absence of twins and small misfit [2]. There most interesting compounds CaNdAlO4, SrLaAlO4 and SrLaGaO4 were investigated. All these compounds are of pseudo-perovskite structure with space group 14/mmm. This structure is very similar to structure of YBCO. SLG substrate has the lowest misfit (0.3%) and dielectric constant. For preparation of then films of substrates of this group of compound plane of <100> orientation are mainly used. Good quality films of <001> orientations are obtained [3]. In this case not only a-a misfit play role, but c-3b misfit is very important too. Sometimes, for preparation of thin films substrates of <001> and <110> orientations were manufactured [3]. Different misfits for different YBCO faces have been analyzed. It has been found that the mismatching factor for (100) face is very similar to that for (001) face so there is possibility of preparation of thin films on both orientations. SrLaAlO4(SLA) and SrLaGaO4(SLG) crystals of general formula ABCO4 have been grown by the Czochralski method. The quality of SLA and SLG crystals strongly depends on axial gradient of temperature and growth and rotation rates. High quality crystals were obtained at axial gradient of temperature near crystal-melt interface lower than 50℃/cm, growth rate 1-3 mm/h and the rotation rate changing from 10-20pm[4]. Strong anisotropy in morphology of SLA and SLG single crystals grown by the Czochralski method is clearly visible. On the basics of our considerations for ABCO4 type of the tetragonal crystals there can appear {001}, {101}, and {110} faces for ionic type model [5]. Morphology of these crystals depend on ionic-covalent character of bonding and crystal growth parameters. Point defects are observed in crystals and they are reflected in color changes (colorless, yellow, green). Point defects are detected in directions perpendicular to oxide planes and are connected with instability of oxygen position in lattice. To investigate facets formations crystals were doped with Cr3+, Er3+, Pr3+, Ba2+. Chromium greater size ion which is substituted for Al3+ clearly induces faceting. There appear easy {110} faces and SLA crystals crack even then the amount of Cr is below 0.3at.% SLG single crystals are not so sensitive to the content of chromium ions. It was also found that if {110} face appears at the beginning of growth process the crystal changes its color on the plane {110} but it happens only on the shoulder part. The projection of {110} face has a great amount of oxygen positions which can be easy defected. Pure and doped SLA and SLG crystals measured by EPR in the<110> direction show more intensive lines than in other directions which allows to suggest that the amount of oxygen defects on the {110} plane is higher. In order to find the origin of colors and their relation with the crystal stability, a set of SLA and SLG crystals were investigated using optical spectroscopy. The colored samples exhibit an absorption band stretching from the UV absorption edge of the crystal, from about 240 nm to about 550 m. In the case of colorless sample, the absorption spectrum consists of a relatively weak band in the UV region. The spectral position and intensities of absorption bands of SLA are typical for imperfection similar to color centers which may be created in most of oxide crystals by UV and X-radiation. It is pointed out that crystal growth process of polycomponent oxide crystals by Czochralski method depends on the preparation of melt and its stoichiometry, orientation of seed, gradient of temperature at crystal-melt interface, parameters of growth (rotation and pulling rate) and control of red-ox atmosphere during seeding and growth (rotation and pulling rate) and control of red-ox atmosphere during seeding and growth. Growth parameters have an influence on the morphology of crystal-melt interface, type and concentration of defects.
Vanadium dioxide(VO2) has been reported to be the most attractive material for thermochromic windows due to its semiconductor-metal phase transition at around $68^{\circ}C$. However, our previous experiment showed it is difficult to grow VO2 thin films directly on glass substrate, whereas thermochromic VO2 thin films were successfully grown on R-cut sapphire substrate. Properties of VO2 thin films on different orientations of sapphire substrates were already reported. Furthermore, VO2 thin films were successfully grown heteroepitaxially on (001) preferred oriented ZnO coated glass. We deposited VO2 thin films using V2O5 targets on substrates with various lattice parameters with same orientation(SrTiO3, MgO, and Sapphire substrate of (001) orientation) by pulsed laser deposition. In this work, we will discuss the effects of lattice misfit, substrate-induced stress and grain size on the properties of VO2 thin films deposited on various substrate materials.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2001.07a
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pp.972-975
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2001
The effect of Cr$_2$O$_3$(0 to 0.5 wt%) doping on the microstructure and electrical properties of ternary Pb(Zr,Ti)O$_3$-Pb(Ni,Nb)O$_3$piezoelectric ceramic has been investigated. Abnormal grain growth (grain size 3.3 to 11.2 $\mu$m) and densification are found. Minor additives of $\leq$0.1 wt% improve the mechanical coupling factor, but with more additives of $\geq$0.2 wt% electrical properties deteriorate. Thus, these phenomna can be ascribed mainly to anomalous developed microstructure. The large grains were composed of a core region that is free of Cr and a surrounding shell region rich in Cr. The interfaces between the core and the shell were composed of misfit dislocations. The mechanical properties of the specimens were strongly influenced by this microstructural change. The microstrutural and compositonal evolution of the specimens containing different amounts of Cr$_2$O$_3$were monitored. Electrical properties were measured and related to the variations in the microstructure.
A precise fit of the implant prosthesis is one of the most important factors in preventing mechanical complications. To analyze the degree of the misfit of implant prosthesis, a modal testing experiment was accomplished. And. to interpret the modal testing analysis mathematically, three-dimensional finite element models were established. In the experimental modal testing analysis, with a laser displacement meter, FFT analyzer, impact hammer, etc., natural frequencies of the models with various degree of prosthesis fit were determined after the frequency response function were calculated. In the finite element analysis, the natural frequencies and mode shapes of the models which simulated those of experimental modal testing were computed. The results were as follows: 1. Natural frequencies of the prosthesis-abutment were related to the contact state between components. 2. In the modal testing experiment, the natural frequencies increased from $50{\mu}m$ to $200{\mu}m$ gap and reached a plateau. 3. In the finite element analysis, the natural frequencies decreased gradually according to the in crease of the gap size. 4. In the finite element analysis, the mode shapes of model 1 with misfitting prosthesis showed different patterns from those without misfitting prosthesis. 5. The devices including a laser displacement meter used in this study were useful for measuring the natural frequencies of an implant prosthesis which had various degrees of fit.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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