Hole mobility characteristics of single surface channel and dual channel Si/SiGe structure are compared, where the former one consists of a relaxed SiGe buffer layer and a tensile strained Si layer on top, and for dual channel structure a compressively strained SiGe layer is inserted between them. Due to the difference of hole mobility enhancement factors of layers between them, hole mobility characteristics with respect to the Si cap thickness shows the opposite tend. Hole mobility increases with thicker Si cap for single channel structure, whereas it decreases with thicker Si cap for dual channel structure.
Wireless ad hoc networks often suffer from rapidly degrading performance with the number of user increases in the network. One of the major reasons for this rapid degradation of performance is the fact that users are sharing a single channel. Obviously, the problem of using single shared channel schemes is that the probability of collision increases with the number of nodes. Fortunately, it is possible to solve this problem with multi-channel approaches. Due to the especial properties of multiple channels, using the multiple channels is more efficient than single channel because it enhances the capacity of the channel and reduces the error rate during data transmission. Some multi-channel schemes us one dedicated channel for control packets and one separate channel for data transmissions. On the other hand, another protocols use more than two channels for data transmissions. This paper summarizes six multiple channel protocols based on these two kinds of schemes. Then we compare them and discuss the research challenge of multiple channel protocols.
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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제9권3호
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pp.136-147
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2009
In this paper we analyze the influence of source/drain (S/D) extension region design for minimizing short channel effects (SCEs) in 25 nm gate length single and double gate Silicon-on-Insulator (SOI) and Germanium-on-Insulator (GOI) MOSFETs. A design methodology, by evaluatingm the ratio of the effective channel length to the natural length for the different devices (single or double gate FETs) and technology (SOI or GOI), is proposed to minimize short channel effects (SCEs). The optimization of non-overlapped gate-source/drain i.e. underlap channel architecture is extremely useful to limit the degradation in SCEs caused by the high permittivity channel materials like Germanium as compared to that exhibited in Silicon based devices. Subthreshold slope and Drain Induced Barrier Lowering results show that steeper S/D gradients along with wider spacer regions are needed to suppress SCEs in GOI single/double gate devices as compared to Silicon based MOSFETs. A design criterion is developed to evaluate the minimum spacer width associated with underlap channel design to limit SCEs in SOI/GOI MOSFETs.
본 연구에서는 현재 국내에서 사용되고 있는 여러 기종의 CT장치를 대상으로 하여 CT검사로 인한 방사선피폭 정도를 실험을 통하여 알아보고, 외국의 사례와 비교함으로써 CT장치의 성능관리의 하나인 피폭선량 기준 설정에 필요한 기초 데이터를 제시하고자 서울시 및 경기도에 위치한 병의원 및 종합병원에서 가동 중인 32대의 CT장치를 대상으로 CTDI값을 측정한 결과 다음과 같았다. 1) Head phantom의 100 mAs 당 $CTDI_W$값은 $8.1{\sim}19.1\;mGy$ 범위였고, 평균 $13.5{\pm}3.2\;mGy$였다. 그리고 body phantom의 $CTDI_W$값은 $3.7{\sim}10.9\;mGy$ 범위였고, 평균 $7.1{\pm}2.0\;mGy$였다. 2) Single detector CT와 multi detector CT의 $CTDI_W$값을 비교해 보면, multi detector CT가 single detector CT에 비해 head phantom에서는 평균 3.2 mGy(약 1.26배), body phantom에서는 평균 2.1 mGy(약 1.34배) 높았다. 3) Channel 수에 따른 $CTDI_W$값 비교에서는 head pahantom에서는 4 channel CT가 가장 높았으며, 8 channel CT, 16 channel CT, single detector CT순이었으며, body phantom에서는 역시 4 channel CT와 8 channel CT, 16 channel CT, single detector CT순이었다.
본 논문에서는 일반적인 3채널 구조의 모노펄스수신기와 대비해서 비용, 크기, 무게 및 소모전력 측면에서 유리한 단일채널 구조의 모노펄스수신기를 적용한 추적시스템에 관한 연구를 진행하였다. 안테나, 모노펄스수신기, 구동체, RF 신호처리기 및 전원분배기를 제작 및 통합하여 단일채널 모노펄스시스템을 구현한 후, 지향오차각 산출정확도와 포인팅 손실을 측정하여 기본 추적성능을 확인하였다. 그리고 야외환경에서 실제 이동하는 목표물에 대한 추적성능을 검증하였다. 시험결과 분석을 통해 단일채널 모노펄스시스템이 일반적인 3 채널 모노펄스시스템과 동등 이상의 추적성능을 가지면서 시스템의 구현측면에서 이점이 있음을 확인하였다. 또한, 이 연구로 향후 모노펄스 추적시스템 개발 시 제작비용 및 제품 소형화에 유리한 단일채널 모노펄스수신기 적용이 가능함을 확인하였다.
We translate Solar Dynamics Observatory/Atmospheric Imaging Assembly (AIA) ultraviolet (UV) multi-channel images into another UV single-channel image using a deep learning algorithm based on conditional generative adversarial networks (cGANs). The base input channel, which has the highest correlation coefficient (CC) between UV channels of AIA, is 193 Å. To complement this channel, we choose two channels, 1600 and 304 Å, which represent upper photosphere and chromosphere, respectively. Input channels for three models are single (193 Å), dual (193+1600 Å), and triple (193+1600+304 Å), respectively. Quantitative comparisons are made for test data sets. Main results from this study are as follows. First, the single model successfully produce other coronal channel images but less successful for chromospheric channel (304 Å) and much less successful for two photospheric channels (1600 and 1700 Å). Second, the dual model shows a noticeable improvement of the CC between the model outputs and Ground truths for 1700 Å. Third, the triple model can generate all other channel images with relatively high CCs larger than 0.89. Our results show a possibility that if three channels from photosphere, chromosphere, and corona are selected, other multi-channel images could be generated by deep learning. We expect that this investigation will be a complementary tool to choose a few UV channels for future solar small and/or deep space missions.
This paper presents a fourth-order cumulants based iterative algorithm for blind channel equalization. It is robust with respect to the existence of heavy Gaussian noise in a channel and does not require the minimum phase characteristic of the channel. In this approach, the transmitted signals at the receiver are over-sampled to ensure the channel described by a full-column rank matrix. It changes a single-input/single-output (SISO) finite-impulse response (FIR) channel to a single-input/multi-output (SIMO) channel. Based on the properties of the fourth-order cumulants of the over-sampled channel outputs, the iterative algorithm is derived to estimate the deconvolution matrix which makes the overall transfer matrix transparent, i.e., it can be reduced to the identity matrix by simple reordering and scaling. Both a closed-form and a stochastic version of the proposed algorithm are tested with three-ray multi-path channels in simulation studies, and their performances are compared with a method based on conventional second-order cumulants. Relatively good results are achieved, even when the transmitted symbols are significantly corrupted with Gaussian noise.
The medium access control (MAC) protocol is designed only for single channel in the IEEE 802.11 standard. That means the throughput of the network is limited by the bandwidth of the single channel. The multiple channels can be exploited to get more concurrent transmission. In this paper, we propose a novel Multi-channel MAC that utilizes the channel more efficiently than other Multi-channel MAC protocols.
This paper studied the characteristics of performance and temperature in a unit cell of a planar type SOFC under various conditions by employing computational fluid dynamics (CFD). In order to derive thermal stress distribution and performance characteristics, the 3-D model simulation for a single channel was performed in various conditions which include interconnect materials $(LaCrO_3/AISI430)$, gas flow direction (co-flow/counter-flow) and inlet temperature (923 K/1173 K). From these results of a single channel, the most effective conditions were applied to the unit stack with multi-channel and the temperature distribution is displayed. Considering both thermal stress and performance, the best combination is 923 K inlet temperature, counter-flow and interconnector of stainless steel. As the end results, flow, thermal and current density distributions were found in the model with multi-channel applied to the best combination and were concentrated in the middle of channels than in the edge.
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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제8권2호
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pp.170-177
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2008
In the present work a methodology to minimize short channel effects (SCEs) by modulating the effective channel length is proposed to design 25 nm single and double gate-source/drain underlap MOSFETs. The analysis is based on the evaluation of the ratio of effective channel length to natural/ characteristic length. Our results show that for this ratio to be greater than 2, steeper source/drain doping gradients along with wider source/drain roll-off widths will be required for both devices. In order to enhance short channel immunity, the ratio of source/drain roll-off width to lateral straggle should be greater than 2 for a wide range of source/drain doping gradients.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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