옥수수 변형단교잡종 채종재배에 있어서 웅주간파 ♂♀ 1 : 2, 2 : 4 등의 파종양식과 재식밀도가 종자친의 생육 및 채종량과 화분친의 웅수특성에 미치는 영향을 구명하고자 1983년 제천옥의 종자친 KS8/B68과 화분친 KS5를 공시하여 시험한 결과를 요약하면 다음과 같다. 1. 개화기 및 간장은 파종양식이나 재식밀도에 크게 영향을 받지 않았고 종자친의 착수고는 파종양식간에는 차이가 없었으나 재식밀도가 증가함에 따라 직선적으로 증가하였다. 2. 종자친의 100주당 수수는 10a당 종자친 3,500본에서는 파종양식간에 비슷하나 5,000본 이상에서는 2 : 4 재배보다 웅주간파나 1 : 2재배에서 많았으며 재식밀도 증가에 따라 파종양식에 관계없이 직선적으로 감소하였다. 수당입수는 파종양식간에는 차이가 없고 파종양식과 재식밀도의 상호작용도 유의하지 않았으나 재식밀도 증가에 따라 작아졌다. 100입중은 25g 내외로 처리간 차이가 없었다. 3. 화분친의 화분이 제한되지 않은 조건에서의 채종량은 웅주간파, 1 : 2재배, 2 : 4재배순으로 많은 경향이였고 10a당 종자 친 3,500본에서 5,000본으로 증가시킴에 따라 크게 증가하나 5,000본에서 6,500본으로 재식밀도 증가에 따른 채종량 증가는 크지 않았다. 4. 화분친의 웅수장과 웅수당 영화수는 1 : 2나 2 :4재배에 비하여 웅주간파 재배에서 작았고 재식밀도 증가에 따라 1 : 2 및 2 : 4재배에서는 크게 감소하였으나 2: 4재배에서는 유의하게 작아지지 않았다. 5. 변형단교잡종의 채종에는 1 : 2나 2 : 4재배의 10a당 종자친 5,000본 재식이 적합할 것으로 생각된다.
In eukaryotes, small RNAs play important roles in both gene regulation and resistance to viral infection. Argonaute proteins have been identified as a key component of the effector complexes of various RNA-silencing pathways, but the mechanistic roles of Argonaute proteins in these pathways are not clearly understood. To address this question, we performed single-molecule fluorescence experiments using an RNA-induced silencing complex (core-RISC) composed of a small RNA and human Argonaute 2. We found that target binding of core-RISC starts at the seed region of the guide RNA. After target binding, four distinct reactions followed: target cleavage, transient binding, stable binding, and Argonaute unloading. Target cleavage required extensive sequence complementarity and accelerated core-RISC dissociation for recycling. In contrast, the stable binding of core-RISC to target RNAs required seed-match only, suggesting a potential explanation for the seed-match rule of microRNA (miRNA) target selection.
Crystal growth chamber 상부에 있는 reservoir에서 polycrystalline silicon powder를 연속적으로 feeding하면서 도가니 하부에 용융대를 형성시키고 seed를 meed를 dipping하여 회전시키면서 하부로 끌어내려 단결정을 성장시키는 연속성장법의 기본 원리를 확립하였고, 직접 고안 설계 제작한 연속성장 장치로 silicon 단결정을 성장시켰다. 본 연속성장법은 melt에 미치는 중력, 진동, melt의 표면장력, melt와 solid의 계면 장력, seed의 회전에 따른 원심력 등의 힘들이서로 상쇄되고 power, feeding양과 성장속도가 비례하여 적당한 조합을 이룰 때 안정한 연속성장을 할 수있다.
According to several seismic design standards, a ground motion time history should be selected similar to the design response spectrum, or a ground motion time history should be modified by matching procedure to the design response spectrum through the time-domain method. For the response spectrum matching procedure, appropriate seed ground motions need to be selected to maintain recorded earthquake accelerogram characteristics. However, there are no specific criteria for selecting the seed ground motions for applying this methodology. In this study, the characteristics of ground motion time histories between seed motions and spectral matched motions were compared. Intensity measures used in the design were compared, and their change by spectral matching procedure was quantified. In addition, the seed ground motion sets were determined according to the response spectrum shape, and these sets analyzed the response of nonlinear and equivalent linear single degrees of freedom systems to present the seed motion selection conditions for spectral matching. As a result, several considerations for applying the time domain spectral matching method were presented.
Single crystal growth of $BaFe_{12}O_{19}$ by the solid state crystal growth method was attempted. Seed crystals of ${\alpha}-Fe_2O_3$ were pressed into pellets of $BaFe_{12}O_{19}$ + 2 wt% $BaCO_3$ and heat-treated at temperatures between $1150^{\circ}C$ and $1250^{\circ}C$ for up to 100 hours. Instead of single crystal growth taking place on the seed crystal, BaO diffused into the seed crystal and reacted with it to form a polycrystalline reaction layer of $BaFe_{12}O_{19}$. The microstructure, chemical composition and structure of the reaction layer were studied using scanning electron microscopy-energy dispersive spectroscopy (SEM-EDS), x-ray Diffraction (XRD) and micro-Raman scattering and confirmed to be that of $BaFe_{12}O_{19}$. XRD showed that the reaction layer shows a strong degree of orientation in the (h00)/(hk0) planes in the sample sintered at $1200^{\circ}C$. $BaFe_{12}O_{19}$ layers with a degree of orientation in the (hk0) planes could also be grown by heat-treating an ${\alpha}-Fe_2O_3$ seed crystal buried in $BaCO_3$ powder.
Structure and differentiation mechanism of the seed coat of Panax ginseng are studied with light and electron microscopes to clarify the developmental processes of seed coat and the structural changes during the differentiation of the seed. The seed coat of ginseng is differentiated from the inner cell layers of ovary wall, which can be compared with the seed coat differentiated from integument(s) in other plants. The single integument is differentiated into endothelium, which is degenerated to one layer of 4${\mu}{\textrm}{m}$ in thickness, composed of remants of cell wall components in fully ripened seed. The ripened seed coat is composed of three layers; fringe layer, inner layer and palisade layer, and all of the them are crossed at right angles with one another. This may be the cause of protection of the kernel from other mechanical injuries. The thickness of fully ripened seed coat is about 300~600 ${\mu}{\textrm}{m}$, and arrangements of sclereids are irregular. However, the raphe region of seed coat is thin about 200 ${\mu}{\textrm}{m}$ in thickness and sclereids in that region are arranged regularly. This is the important cause for the cleavage of the seed coat during post-maturation process. The vascular bundles on the raphe are still remaining after sarcocarps are removed, and one of the branches of vascular bundles entered into the seed coat through the hilum and extended to chalazal region. During post-maturation process, the supply of water being necessary for growth of embryo may be accompolished by the vascular bundles entered into the seed coat through the opened hilum.
Lim, Ji-Ho;Kim, Seung-Wook;Kim, Samjung;Kang, Eun-Young;Lee, Min Lyul;Samal, Sneha;Jeong, Dae-Yong
한국재료학회지
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제31권9호
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pp.488-495
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2021
Solid state grain growth (SSCG) is a method of growing large single crystals from seed single crystals by abnormal grain growth in a small-grained matrix. During grain growth, pores are often trapped in the matrix and remain in single crystals. Aerosol deposition (AD) is a method of manufacturing films with almost full density from nano grains by causing high energy collision between substrates and ceramic powders. AD and SSCG are used to grow single crystals with few pores. BaTiO3 films are coated on (100) SrTiO3 seeds by AD. To generate grain growth, BaTiO3 films are heated to 1,300 ℃ and held for 10 h, and entire films are grown as single crystals. The condition of grain growth driving force is ∆Gmax < ∆Gc ≤ ∆Gseed. On the other hand, the condition of grain growth driving force in BaTiO3 AD films heat-treated at 1,100 and 1,200 ℃ is ∆Gc < ∆Gmax, and single crystals are not grown.
Hata, Erneeza Mohd;Yusof, Mohd Termizi;Zulperi, Dzarifah
The Plant Pathology Journal
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제37권2호
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pp.173-181
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2021
The genus Streptomyces demonstrates enormous promise in promoting plant growth and protecting plants against various pathogens. Single and consortium treatments of two selected Streptomyces strains (Streptomyces shenzhenensis TKSC3 and Streptomyces sp. SS8) were evaluated for their growth-promoting potential on rice, and biocontrol efficiency through induced systemic resistance (ISR) mediation against Xanthomonas oryzae pv. oryzicola (Xoc), the causal agent of rice bacterial leaf streak (BLS) disease. Seed bacterization by Streptomyces strains improved seed germination and vigor, relative to the untreated seed. Under greenhouse conditions, seed bacterization with consortium treatment TKSC3 + SS8 increased seed germination, root length, and dry weight by 20%, 23%, and 33%, respectively. Single and consortium Streptomyces treatments also successfully suppressed Xoc infection. The result was consistent with defense-related enzyme quantification wherein single and consortium Streptomyces treatments increased peroxidase (POX), polyphenol oxidase, phenylalanine ammonia-lyase, and β,1-3 glucanase (GLU) accumulation compared to untreated plant. Within all Streptomyces treatments, consortium treatment TKSC3 + SS8 showed the highest disease suppression efficiency (81.02%) and the lowest area under the disease progress curve value (95.79), making it the best to control BLS disease. Consortium treatment TKSC3 + SS8 induced the highest POX and GLU enzyme activities at 114.32 µmol/min/mg protein and 260.32 abs/min/mg protein, respectively, with both enzymes responsible for plant cell wall reinforcement and resistant interaction. Our results revealed that in addition to promoting plant growth, these Streptomyces strains also mediated ISR in rice plants, thereby, ensuring protection from BLS disease.
A sublimation method using the SiC seed crystal and SiC powder as the source material is commonly adopted to grow SiC bulk single crystal. However, it has proved to be difficult to achieve the high quality crystal and the process reliability because SiC single crystal should be grown at very high temperature in closed system. In this study, SiC crystal boules were prepared with different angles in trapezoid-shaped graphite seed holders using sublimation physical vapor transport technique (PVT) and then their crystal quality was systematically investigated. The temperature distribution in the growth system and the crystal shape were varied with angles in trapezoid-shaped graphite seed holders, which was successfully simulated using 'Virtual Reactor'. The SiC polytype proved to be the n-type 6H-SiC from the typical absorption spectrum of SiC crystal. The micropipe densities of SiC wafers in this study were measured to be < $100/cm^2$. Consequently, SiC single crystal with large diameter was successfully achieved with changing angle in trapezoid-shaped graphite seed holders.
A sublimation method using the SiC seed crystal and SiC powder as the source material is commonly adopted to grow SiC bulk single crystal. However, it has proved to be difficult to achieve the high quality crystal and the process reliability because SiC single crystal should be grown at very high temperature in closed system. The present research was focused to improve SiC crystal quality grown by PVT method through using the new inner guide tube. The new inner guide tube was designed to prevent the enlargement of polycrystalline region into single crystalline region and to enlarge the diameter of SiC single crystal. The 6H-SiC crystals were grown by conventional PVT process. The seed adhered on seed holder and the high purity SiC source materials are placed on opposite side in sealed graphite crucible surrounded by graphite insulation. The SiC bulk growth was conducted around 2300 $^{\circ}C$ of growth temperature and 50 mbar in an argon atmosphere of growth pressure. The axial thermal gradient across the SiC crystal during the growth was estimated in the range of 15${\sim}$20 $^{\circ}C$/cm.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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