Lisfranc injury is complex and difficult to treat. Making the correct diagnosis and achieving an anatomical reduction are important factors in regard to achieving a favorable outcome with this injury. We describe a new technique that we have found to be useful for stabilizing Lisfranc injury. This method is relatively fast and simple, and it provides non-rigid fixation. Also, it eliminates the need for implant removal. To date, we have achieved predictable results for stabilizing and treating this injury with the use of a $TightRope^{TM}$ Device, instead of traditional interfragmental screw fixation. In this report, we describe a case in which this method was used with satisfactory short-term results.
$P^+$형 다결정 실리콘 게이트와 n형 다결정 실리콘 게이트를 갖는 P채널 MOSFET를 제작하였다. 채널의 길이와 채널의 이온 주입 조건에 따라 SC-PMOSFET와 BC-PMOSFET의 transconductance 문턱저압저하 및 subthreshold 특성을 분석하였다. 측정된 소자의 특성으로 부터 SC-PMOSFET소자가 BC-PMOSFET 소자에 비하여 transconductance는 작으며 subthreshold 영역에서 누설전류도 작고 문턱 전압 저하및 DIBL영향이 작게 일어남을 알 수 있었다.
The classic triad of diagnostic signs of submucosal cleft palate which may be present are: 1) bifid uvula 2) short palate with no muscle in the midline and 3) hard palate with a submucous notching defect in the posterior midline. The treatment of submucous cleft palate are V-Y push back palatorrhaphy, and superior based pharyngoplasty implant in the posterior pharynx. The best speech results were in those children operated upon in the younger age group (especially at or before 2 years of age), thus pointing up the importance of early diagnosis.
Flexible, wearable, and implantable electronic sensors have started to gain popularity in improving the quality of life of sick and healthy people, shifting the future paradigm with high sensitivity. However, conventional technologies with a limited lifespan occasionally limit their continued usage, resulting in a high cost. In addition, traditional battery technologies with a short lifespan frequently limit operation, resulting in a substantial challenge to their growth. Subsequently, utilizing human biomechanical energy is extensively preferred motion for biologically integrated, self-powered, functioning devices. Ideally suited for this purpose are piezoelectric energy harvesters. To convert mechanical energy into electrical energy, devices must be mechanically flexible and stretchable to implant or attach to the highly deformable tissues of the body. A systematic analysis of piezoelectric nanogenerators (PENGs) for personalized healthcare is provided in this article. This article briefly overviews PENGs as self-powered sensor devices for energy harvesting, sensing, physiological motion, and healthcare.
Every display is equipped with a cover glass to protect the underneath displaying devices from mechanical and environmental impact during its use. The strengthened glass such as Gorilla glass.$^{TM}$ has been exclusively adopted as a cover glass in many displays. Conventionally, the strengthened glass has been manufactured via ion-exchange process in wet salt bath at high temperature of around $500^{\circ}C$ for hours of treatment time. During ion-exchange process, Na ions with smaller diameter are substituted with larger-diameter K ions, resulting in high compressive stress in near-surface region and making the treated glass very resistant to scratch or impact during its use. In this study, PIIID (plasma immersion ion implantation and deposition) technique was used to implant metal ions into the glass surface for strengthening. In addition, due to the plasmonic effect of the implanted metal ions, the metal-ion implanted glass samples got colored. To implant metal ions, plasma immersion ion implantation technique combined with HiPIMS method was adopted. The HiPIMS pulse voltage of up to 1.4 kV was applied to the 3" magnetron sputtering targets (Cu, Ag, Au, Al). At the same time, the sample stage with glass samples was synchronously pulse-biased via -50 kV high voltage pulse modulator. The frequency and pulse width of 100 Hz and 15 usec, respectively, were used during metal ion implantation. In addition, nitrogen ions were implanted to study the strengthening effect of gas ion implantation. The mechanical and optical properties of implanted glass samples were investigated using micro-hardness tester and UV-Vis spectrometer. The implanted ion distribution and the chemical states along depth was studied with XPS (X-ray photo-electron spectroscopy). A cross-sectional TEM study was also conducted to investigate the nature of implanted metal ions. The ion-implanted glass samples showed increased hardness of ~1.5 times at short implantation times. However, with increasing the implantation time, the surface hardness was decreased due to the accumulation of implantation damage.
Objective: Orthodontic mini-implants (OMI) generate various horizontal and vertical force vectors and moments according to their insertion positions. This study aimed to help select ideal biomechanics during maxillary incisor retraction by varying the length in the anterior retraction hook (ARH) and OMI position. Methods: Two extraction models were constructed to analyze the three-dimentional finite element: a first premolar extraction model (Model 1, M1) and a residual 1-mm space post-extraction model (Model 2, M2). The OMI position was set at a height of 8 mm from the arch wire between the second maxillary premolar and the first molar (low OMI traction) or at a 12-mm height in the mesial second maxillary premolar (high OMI traction). Retraction force vectors of 200 g from the ARH (-1, +1, +3, and +6 mm) at low or high OMI traction were resolved into X-, Y-, and Z-axis components. Results: In M1 (low and high OMI traction) and M2 (low OMI traction), the maxillary incisor tip was extruded, but the apex was intruded, and the occlusal plane was rotated clockwise. Significant intrusion and counter-clockwise rotation in the occlusal plane were observed under high OMI traction and -1 mm ARH in M2. Conclusions: This study observed orthodontic tooth movement according to the OMI position and ARH height, and M2 under high OMI traction with short ARH showed retraction with maxillary incisor intrusion.
Castel, Nikki;Soon-Sutton, Taylor;Deptula, Peter;Flaherty, Anna;Parsa, Fereydoun Don
Archives of Plastic Surgery
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제42권2호
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pp.186-193
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2015
Background Polyurethane coating of breast implants has been shown to reduce capsular contracture in short-term follow-up studies. This 30-year study is the longest examination of the use of polyurethane-coated implants and their correlation with capsular contracture. Methods This study evaluates the senior surgeon's (F.D.P.) experience with the use of polyurethane-coated implants in aesthetic breast augmentation in 382 patients over 30 years. Follow-up evaluations were conducted for six months after surgery. After the six-month follow-up period, 76 patients returned for reoperation. The gross findings, histology, and associated capsular contracture were noted at the time of explantation. Results No patient during the six-month follow-up period demonstrated capsular contracture. For those who underwent reoperation for capsular contracture, Baker II/III contractures were noted nine to 10 years after surgery and Baker IV contractures were noted 12 to 21 years after surgery. None of the explanted implants had macroscopic evidence of polyurethane, which was only found during the first five years after surgery. The microscopic presence of polyurethane was noted in all capsules up to 30 years after the original operation. Conclusions An inverse correlation was found between the amount of polyurethane coating on the implant and the occurrence of capsular contracture. Increasingly severe capsular contracture was associated with a decreased amount of polyurethane coating on the surface of the implants. No contracture occurred in patients whose implants showed incomplete biodegradation of polyurethane, as indicated by the visible presence of polyurethane coating. We recommend research to find a non-toxic, non-biodegradable synthetic material as an alternative to polyurethane.
STATEMENT OF PROBLEM: Zirconium oxide can be a substitute to titanium as implant materials to solve the esthetic problems of dark color in the gingival portion of implant restorations. PURPOSE: This study was performed to define attachment and growth behavior of osteoblast- like cells cultured on grooved surfaces of zirconium oxide and evaluate the genetic effect of zirconium oxide surfaces using the reverse transcriptase-polymerase chain reaction (RT-PCR). MATERIAL AND METHODS: MC3T3-E1 cells were cultured on (1) commercially pure titanium discs with smooth surface (T group), (2) yttrium-stabilized tetragonal zirconia polycrystal (Y-TZP) with machined surface (ZS group), and (3) Y-TZP with $100{\mu}m$ grooves (ZG group). Cell proliferation activity was evaluated through MTT assay and cell morphology was examined by SEM. The mRNA expression of Runx2, alkaline phosphatase, osteocalcin, TGF-${\beta}1$, IGF-1, G3PDH in E1 cells were evaluated by RT-PCR. RESULTS: From the MTT assay, after 48 hours of adhesion of MC3T3-E1 cells, the mean optical density value of T group and ZG group significantly increased compared to the ZS group. SEM images of osteoblast-like cells showed that significantly more cells were observed to attach to the grooves and appeared to follow the direction of the grooves. After 24 hours of cell adhesion, more spreading and flattening of cells with active filopodia formation occurred. Results of RT-PCR suggest that T group, ZS group, and ZG group showed comparable osteoblast-specific gene expression after 24 hours of cell incubation. CONCLUSION: Surface topography and material of implants can play an important role in expression of osteoblast phenotype markers. Zirconia ceramic showed comparable biological responses of osteoblast-like cells with titanium during a short-time cell culture period. Also, grooves influence cell spreading and guide the cells to be aligned within surface grooves.
중수소 결합이 존재하는 게이트 산화막을 갖는 MOSFET는 일반 MOSFET에 비해 신뢰성이 개선된다고 알려져 있다. 본 연구에서는 MOS 소자의 게이트 산화막내에 중수소를 분포시키기 위해 새로운 중수소 이온 주입법을 제안하였다. MOS 소자를 구성하는 층간 물질 및 중수소가 분포할 위치에 따라 중수소 이온 주입 에너지는 다양하게 변하게 된다. 이온 주입 후 발생할 수 있는 물질적 손상을 방지하기 위해 후속 열처리 공정이 수반된다. 제조된 일반 MOSFET를 사용하여 제안된 중수소이온 주입을 통해 게이트 산화막내 계면 및 bulk 결함이 감소함을 확인하였다. 그러나 이온 주입으로 인해 실리콘 기판의 불순물 농도가 변화할 수 있으므로 이온 주입 조건의 최적화가 필요하다. 중수소 이온 주입된 MOSFET의 CV 및 IV 특성 조사를 통해 이온 주입으로 인한 트랜지스터의 성능 변화는 발생하지 않았다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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