Germane-sillicide phase formation on S $i_{0.25}$G $e_{0.75}$ with Ni 100$\square$, Co 10$\square$/Ni 100$\square$ and Ni 50$\square$/Co 10$\square$/Ni 50$\square$ layer was studied by sheet resistance and Field Emission Scanning Electron Microscopy(FESEM). Thermal stability of nickel germane-silicide is found to be improved by sputtering Ni/Co/Ni on the SiGe. After annealing at 600, 650, $700^{\circ}C$, 30min., the nickel germane-silicide formed by Ni 50$\square$/Co 10$\square$/Ni 50$\square$ layer achieved a sheet resistance less than 17ohms/sq.(almost the same to the value before furnace annealing for 30min.) , while the process of the other two ways result in high sheet resistance and even sheet resistance fail due to Ge segregation.ion.
Resistance spot welding has been widely used in the sheet metal joining processes because of low cost, high productivity and convenience. Recently, automobile and aerospace industries are trying to replace partly steel sheets with aluminum alloy sheets. But in the case of dissimilar materials, to apply resistance spot welding has been known to be very difficult owing to the effect of melting temperature. On this study, an effort was made to apply spot welding of dissimilar sheet metals, 2024 aluminum alloy and zinc coated steel sheet, evaluate the spot weld quality with tensile-shear strength test and nondestructive evaluation technique, C-scan image methodology. In this study results, as the current below 11 kA, melting of materials is not achieved well. Also as the current exceeds to 13.5 kA, the more spatters happen at welded zone and tensile-shear strength lowered. So, the feasibility of C-scan image technique proposed in the study is found to be suitable evaluation method for resistance spot weldability.
In this paper, heat-releasing sheets made of AlN powder and acryl binder as thermoset were prepared using tape casting method. The crystal structure and morphology, the thermal properties as nonvolatile solid content and thermal conductivity, and the surface resistance of heat-releasing sheet were measured by using X-ray diffractometer, field emission-scanning electron microscopy, thermo gravimetric analyzer and laser flash instrument, and surface resistance meter. It was proved that thermal conductivity is greatly affected by the content of binder in heat-releasing sheet. Superior thermal conductivity above 3.5 W/mK and suface resistance were obtained at heat-releasing sheet with above 90% of AlN powder.
염화제이석을 출발물질로 하여 예열을 병용한 광무부착방식으로 유리 박판 위에 SnOf수명전극을 형성시켜 그의 Sheet 무항과 광투과률에 미치는 Sb연가량와 영향을 실행적으로 검토하였다. Sheet 저항을 전극작성시의 기판유리의 표면 온도가 높을수록 낮아지며 백색광에 대한 투과률을 Sheet 저항저하와 더불어 증가되는데 최대 약 93{%)였다. 기판표면온도는 700(℃) 부근이 적당하며 같은 표이온도의 경우 출발물질에서의 Sb/Sn의 비율이 약 0.6(%)일 경우 최저의 저항치를 얻을 수 있었다. Transparent eloctroaes of polycrystalline till-oxide films doped with antimony are prepared on the substrate of microscopic cover g1ass by modified spray method and from SnCl4 Solution. Their electrical and optical properties are investigated in relation to the surface temperature of the substrate glass and to antimony concentration in the starting materials. The sheet·resiststrace of the film electrodes and transmittance for incandescent light depen on tile antimony concentration and surface temperature of substrates at the time of making films. The transmittance increases with decrease of sheet resistance of the film. The optimum sheet·resistance was obtianed in the case of the antimony concentration 0.6(%) approximately , and the max. transmittance was 93(%).
In order to improve the quality of the sheared surface in cutting of inner structure bonded sheet metal the cut-off operation is mainly investigated, which is the typical shearing process in sheet metal forming technology. The sandwich sheet metals considered have inner structure which is constructed in the form of crimped expanded metal and woven metal. The inner structure is bonded between solid sheet by resistance welding or adhesive bonding. The shearing process is visualized by the computer vision system installed in front of the cut-off die and the sheared surface is measured and quantitatively compared with the help of the optical microscope after cut-off operation. From test results we found that the influence of sheared position can be observed and explained clearly and this result can be utilized to get the better sheared surface.
In order to improve the quality of the sheared surface in cutting of inner structure bonded sheet metal the cut-off operation is mainly investigated, which is the typical shearing process in sheet metal forming technology. The sandwich sheet metals considered have inner structure which is constructed in the form of crimped expanded metal and woven metal. The inner structure is bonded between solid sheet by resistance welding or adhesive bonding. The shearing process is visualized by the computer vision system installed in front of the cut-off die and the sheared surface is measured and quantitatively compared with the help of the optical microscope after cut-off operation. From test results we found that the influence of sheared position can be observed and explained clearly and this result can be utilized to get the better sheared surface.
Recently, studies about application of magnesium alloy sheet to automotive bodies are on the increase. For application to automotive bodies, researches about characteristics of resistance spot welding of magnesium alloy sheet are essential. Electrode life of resistance spot welding of magnesium alloy is very short due to sticking of magnesium alloy to copper alloy electrode. To increase electrode life, most effective method is inserting cover plate between electrode and magnesium sheet. But application of cover plate to actual process is difficult and decreases welding productivity. Process tape supplied automatically as cover plate can minimize lose of productivity and increase welding quality. In this study, resistance spot welding of magnesium alloy is carried out with applying process tape. Acceptable welding current region according to electrode force and welding time is determined.
In the construction industry, a variety of Root-Resistance Waterproofing Sheets ar being developed and studied. However, defects still occur in the sheet. In this study, the performance of the navigation is studied by Root-Resistance. As a result of the test, no piercing or penetration marks were found by root in all the specimens.
Indium tin oxide, which is used as transparent conducting layer in flexible device, is deposited on PET film by a magnetron sputtering in 300 mm wide roll-to-roll process (vacuum web coating). Sheet resistance, specific resistance and transmittance is differed by sputtering parameters such as working pressures, oxygen partial pressure, and thickness of ITO layer. ITO layer is deposited about 90 nm at roll speed of 0.24 m/min and its sputtering power is 3 kW. From the XRD spectrum deposited ITO layer is verified as amorphous. Under working pressure varied from $3{\times}10^{-4}\;Torr$ to $2{\times}10^{-3}\;Torr$, sheet resistance is lowest at the working pressure of $1{\times}10^{-3}\;Torr$ and its value is from $110\;{\Omega}/{\square}$ to $260\;{\Omega}/{\square}$ at the thickness of 90 nm. Oxygen partial pressure also varies sheet resistance and is optimized at the regime from 0.2% ($1.8{\times}10^{-6}\;Torr$) to 0.6% ($6{\times}10^{-6}\;Torr$). In this oxygen partial pressure sheet resistance is lower than $150\;{\Omega}/{\square}$. As ITO layer thickness increases, sheet resistance decreases down to $21\;{\Omega}/{\square}$ and specific resistance is about $7.5{\times}10.4{\Omega}cm$ in 340 nm thickness ITO layer. Transmittance is measured at the wavelength of 550 nm and is about 90% for 180 nm thickness ITO/PET.
To improve the blue responses of screen-printed single crystalline silicon solar cells, we investigated an emitter etch-back technique to obtain high emitter sheet resistances, where the defective dead layer on the emitter surface was etched and became thinner as the etch-back time increased, resulting in the monotonous increase of short circuit current and open circuit voltage. We found that an optimal etch-back time should be determined to achieve the maximal performance enhancement because of fill factor decrease due to a series resistance increment mainly affected by contact and lateral resistance in this case. To elucidate the reason for the fill factor decrease, we studied the resistance analysis by potential mapping to determine the contact and the lateral series resistance. As a result, we found that the fill factor decrease was attributed to the relatively fast increase of contact resistance due to the dead layer thinning down with the lowest contact resistivity when the emitter was contacted with screen-printed silver electrode.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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