In order to analyze of the color perception Farnsworth Test Panel D-15 in the CIELab color space coordinates, it was measured by the reflectance spectrum of the 380~780nm wavelength regions. The Test Panel D-15 was situated in the near origin point of higher the saturation in CIELab coordinates (a, b). Normal person perceived to the similar color for the color of small color difference, and color deficiency person depended on the confusing color line and the neutral point unconcerned with the color difference. In case of Ptotanopia, Deutrnopia, r-g defect, y-b defect with the color deficiency, the neutral points position (a,b) were each (2.12,1.02), (4.25,2.05), (2.51,0.25), (1.20,-1.10).
In conventional line scan angiography, flow signal has been enhanced by the time_of_flight effect while the signal from stationary tissues has been suppressed by the saturation rf pulse followed by spoiling gradients. Due to the inhomogeneous rf field and the tissue dependent T1 relaxation time, however, stationary tissues can not be suppressed completely or uniformly, and the remnant stationary signal deteriorates the resultant angiogram. Here, the complete cancellation of stationary tissues is made possible by the spectral analysis of a series of repetitive line images of the same slice. The Fourier transformation of a set of line images results in the spectrum images, where stationary tissues are collected into the dc component while arteries are included in harmonic components because of the variation of the flow velocity and the resultant flow signal in arteries according to the cardiac cycle. The summation of harmonic components excluding the dc component results in the angiogram of arteries with the complete cancellation of stationary tissues.
In this paper, the lifetime dependence as a function of the line length of Al-1%Si thin film interconnections due to electromigration in semiconductor devices was studied. Al-1%Si thin film interconnections with a pattern of straight type were formed by using a standard photolithography process. The test patterns manufactured have line lengths in the range of 100 to 1600 $mu extrm{m}$. Al-1%Si thin film interconnections with Ti underlayers showed longer lifetime than those without Ti underlayers. Ti underlayers are believed to improve electromigration resistance resulting in a longer lifetime in Al-1%Si thin film interconnections. The dependence of lifetime on the line length in Al-1%Si/Ti thin film interconnections shows a saturation tendency near 800 $\mu\textrm{m}$ line length.
This paper describes the synergism of Artificial Neural Network and Fuzzy Logic based approach to improve the reliability of transformer differential protection, the conventional transformer differential protection commonly used a harmonic restraint principle to prevent a tripping from inrush current during initial transformer´s energization but such a principle can not performs the best optimization on tripping time. Furthermore, in some cases there may be false operation such as during CT saturation, high DC offset or harmonic containing in the line. Therefore an artificial neural network and fuzzy logic has been proposed to improve reliability of the transformer protection relay. By using EMTP-ATP the power transformer is modeled, all currents flowing ...
구형 분자운에서의 복사전달문제를 탈출확률방법에 기초하여 non-local method로 풀었다. 매질을 여러 개의 구간으로 나누고 각 구간에서 물리량이 일정하다고 가정하여 복사전달식을 전개하였고 뉴턴방법을 채택하여 수렴속도를 빠르게 하였다. 이번 연구에서는 분자운 내부의 속도구배가 작든 크든 상관없이 복사전달식을 풀 수 있도록 수치코드를 개발하였다. 우리의 계산 결과는 속도구배가 큰 경우에는 LVG방법을 사용한 결과와 일치하고, 분자운이 정적인 경우에도 이전 연구의 결과와 일치한다. 앞으로 이 방법에 line-overlap과 saturation효과를 추가하여 만기형 별에서의 SiO메이저 연구에 활용할 계획이다.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2001.11b
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pp.30-33
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2001
This thesis deal with ferroelectric and ferrimagnetic materials, PZT/Ferrite ceramics. We conducted test of magnetical and electrical measurement. From this measurement, We obtained tunability and we can control characteristic impedance($Z_0$) from permeability($\mu$) and dielectric constant($\varepsilon$) for impedance matching in transmission line.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2001.11a
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pp.30-33
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2001
This thesis deal with ferroelectric and ferrimagnetic materials, PZT/Ferrite ceramics. We conducted test of magnetical and electrical measurement. From this measurement, We obtained tunability and we can control characteristic impedance(Z$_{0}$) from permeability($\mu$) and dielectric constant($\varepsilon$) for impedance matching in transmission line.e.
Generally, Invar alloy shows very low thermal expansion characteristics, lower than $2{\times}10^{-6}$/K approximately. To apply Fe-Ni-Co-C Invar alloy as a core material for large ampacity transmission line we studied the effects of magnetic properties on coefficient of thermal expansion. The coefficient of thermal expansion(CTE) suddenly decreases with addition of a little carbon(0.08%), increases with the increasing carbon and has a constant value at the composition over than 1.0%C. The trend of Curie temperature change with carbon is similar with that of CTE. Therefore, the CTE has a linear relationship with Curie temperature. However, the CTE linearly decreases with the ratio of saturation magnetization and Curie temperature(${\sigma}_s/T_c$).
The diffusion mechanism of Si in GaAs was investigated using different diffusion sources based on the Si-Ga-As ternary phase equilibria. The Si profiles are measured with secondary ion mass spectrometry and differ significantly for sources taken from the different phase fields in the ternary phase diagram. Neutral As vacancy diffusion is proposed for acceptor Si diffusion anneals using a Ga - Si - GaAs source. Donor Si diffusion using As - rich sources and a Si -GaAs tie line source shows concentration dependent diffusion behavior. Concentration dependent diffusion coefficients of donor Si for As - rich source diffusion were found to be related to net ionized donor concentration and showed three regimes of different behavior: saturation regime, intermediate regime,and intrinsic regime. Ga vacancies are proposed to be responsible for donor Si diffusionin GaAs: $Si_Ga^+V_Ga^-$ (donor Si -acceptor Gavacancy) complex for the extrinsic regime and neutral $V_G$a, for the intrinsic regime.The Si - GaAs tie line source resulted in two branch profiles, intermediate between the As - rich and the Ga - rich source diffusion cases.
We optimize a vector network analyzer ferromagnetic resonance (VNA-FMR) measurement system to study spin dynamics and Gilbert damping parameters of thin ferromagnetic films. In order to obtain accurate damping parameters, careful determination of the susceptibility line-width is required. The measured S-parameters are converted into the corresponding susceptibility through a calibration processes. From the line-width measurements, we can successfully extract the saturation magnetizations and Gilbert damping parameters of 5-, 8-, and 10-nm thick $Ni_{81}Fe_{19}$ (Py) films.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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