• 한국재료학회지
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• 제10권11호
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• pp.784-788
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• 2000

The Vickers microhardness was measured on the basal (0001) plane of sapphire single crystals in the temperature range from 25$^{\circ}C$to 1000$^{\circ}C$. The substructure surrounding the indents was investigated using selective chemical polishing and etching, optical microscopy, and trasmission electron microscopy (TEM). At room temperature, cracks were predominant, and at intermediate temperatures (400$^{\circ}C$and 600$^{\circ}C$), extensive rhombohedral twinning was observed. On the other hand, at higher temperatures, prism plane slip bands on prism plane {1120}(원문참조) were dominant in the microstructure. TEM observations revealed that the dislocation substructure at the vicinity of the indents consisted of fairly straight dislocations lying in basal and/or prism planes and aligned along the <1100> and <1120> directions. The details of the glide dissociation of perfect <110> screw dislocations into three collinear 1/3<1100> partials on the prism plane and the Peierls potential for sapphire single crystals were discussed.

• 한국정밀공학회:학술대회논문집
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• 한국정밀공학회 2013년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.497-498
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• 2013

• 한국재료학회지
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• 제11권6호
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• pp.508-511
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• 2001

사파이어 단결정의 취성-연성전이에 대한 실험을 행하였다. 사파이어 단결정의 취성-연성전이온도는 변형율 3.3$\times$ $10^{-5}$/sec에서 $1000\pm$$25^{\circ}C$ 그리고 변형률 3.3$\times$$10^{-5}$/sec에서는 1100$\pm$26$^{\circ}C$이었다. 취성-연성전이모델을 이용하여 Prism Plane slip {1120} <1100> 전위속도의 활성화에너지를 계산하였으며, 그 결과 활성화에너지는 4.6$\pm$2.3eV의 범위를 가졌다. 이 활성화에너지는 에치-퍼트법을 이용하여 전위속도측정으로부터 구한 결과치 3.8eV와 유사하였다.

• 한국결정성장학회지
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• 제10권4호
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• pp.337-343
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• 2000

사파이어 ($\alpha$-Al$_2$O$_3$) 단결정에 있어 prism plane slip {11$\bar{2}$0}1/3{$\bar{1}$120} 전위속도를 에치-피트 방법으로 측정하였다. 전위속도 측정시 온도범위는 $1150^{\circ}C$에서 $1400^{\circ}C$까지 였으며, 응력범위는 140 MPa에서 250 MPa까지였다. 얻어진 전위속도의 온도 및 응력 의존성에 대해 검토하였다. 전위속도의 온도의존성을 이용하여 prism plane slip 전위속도를 위한 활성화에너지를 구하였으며, 그 값은 대략 4.2$\pm$0.4 eV이었다. 또한, 전위속도의 응력의존성을 나타내는 응력지수 m은 4.5$\pm$0.8이었다. 한편, 전위속도 측정을 통해 사파이어 단결정에서 basal 면이 3-fold 대칭을 가진다는 사실을 재확인하였다.

• 한국재료학회지
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• 제11권4호
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• pp.278-282
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• 2001

사파이어($\alpha$-$Al_2$$O_3$) 단결정에 있어 basal slip (0001)1/3<1120>의 부분전위의 재결합거동을 알아보기 위해 prism plane (1120)의 사파이어 재료를 사용하여 4점 곡강도 시험을 행하였다. 이 굽힘시험은 온도 $1200^{\circ}C$~$1400^{\circ}C$에서 그리고 응력은 90MPa, 120MPa, 150MPa에서 행하여졌다 굽힘시험 동안 basal전위가 이동하기 위해 잠복기가 필요하였다. 실험온도 범위내에서 잠복기의 활성화에너지는 5.6-6.0eV이었으며, 이 잠복기는 자체-상승운동으로 분해된 부분전위들이 재결합하는데 필요한 시간인 것으로 추정되었다. 한편, 이 활성화에너지는 $Al_2$$O_3$에 있어 산소의 자체 확산을 위한 에너지 (대fir 6.3eV)와 거의 일치하였다. 이 결과를 통하여, 두 부분전위들의 재결합은 부분전위사이 적층결함으로 산소 자체확산에 의해 제어되는 것으로 여겨진다.

• 한국광학회지
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• 제5권4호
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• pp.466-472
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• 1994

아르곤 레이저에 의해 광펌핑 되는 티타늄 사파이어 레이저를 제작하고 이를 자체 모드록킹 시켰다. 모드록킹은 볼 슬라이더 위에 장착된 공진기 거울의 이동에 의해 시작되었으며 티타늄 사파이어 결정내의 자체 집속 효과와 공진기내에 설치된 조리개에 의해 모드록킹이 유지 되었다. 공진기내의 군속도를 보상하기 위하여 프리즘쌍을 사용하였으며, 모드록킹된 펄스의 대역폭은 11nm, 펄스폭은 $1000\pm20fs$였다.

• Tribology and Lubricants
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• 제32권2호
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• pp.50-55
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• 2016

Recently, a double-side machining process has been adopted in fabricating a sapphire glass to enhance the manufacturability. Double-side lap grinding (DLG) is one of the emerging processes that can reduce process steps in the fabrication of sapphire glasses. The DLG process uses two-body abrasion with fixed abrasives including pallet. This process is designed to have a low pressure and high rotational speed in order to obtain the required material removal rate. Thus, the temperature is distributed on the DLG platen during the process. This distribution affects the shape of the substrate after the DLG process. The coolant that is supplied into the cooling channel carved in the base platen can help to control the temperature distribution of the DLG platen. This paper presents the results of computational fluid dynamics with regard to the heat transfer in a DLG platen, which can be used for fabricating a sapphire glass. The simulation conditions were 200 rpm of rotational speed, 50℃ of frictional temperature on the pallet, and 20℃ of coolant temperature. The five cases of the coolant flow rate (20~36 l/min) were simulated with a tetrahedral mesh and prism mesh. The simulation results show that the capacity of the generated cooling system can be used for newly developed DLG machines. Moreover, the simulation results may provide a process parameter influencing the uniformity of the sapphire glass in the DLG process.

• 한국광학회지
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• 제10권5호
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• pp.430-438
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• 1999

근적외선 파장영역에서 시분해 분광용 레이저 광원개발을 위해 발진파장이 반사경의 파장 선폭에 의해 제한된 수십 펨토초 펄스폭의 고출력 티타늄 사파이어 레이저를 개발하였다. 한쪽 프리즘 끝에 미세 stepping-motor로 제어되는 kniff-edge slits를 사용하여 발진파장을 선택하였으며, 파장가변영역은 770nm~870nm이었고, 이 파장영역에서 얻은 펄스폭은 40 fs 미만이었다. 가장 짧은 펄스폭은 약 17 fs 이었으며 이때의 파장중심은 820nm이고 선폭은 72nm이었다. 약 5W 출력의 아르곤 레이저 여기광을 사용하여 위의 파장영역에서 얻은 평균출력은 440 mW~580 mW 이었다. 연속발진 경우와 Kerr-lens mode locking 경우의 이득매질에서의 빔의 크기를 계산하여 이득변조값 ${\lambda}=2.5{\times}10_{-8}$ W을 수치적으로 얻었고, 이로부터 Ginzberg Landau 방정식을 사용하여 40 fs 미만의 펄스폭이 발생됨을 보였다.