• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제28권2호
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• pp.89-94
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• 2021

최근 플렉시블 기기의 상용화를 위하여 기계적 신뢰성 연구가 활발히 진행되고 있으며 이를 고려하여 신뢰성 높은 다양한 접합부의 구현이 중요하다. 기기의 많은 부피를 차지하는 고분자 기판 또는 필름을 접합할 때에는 재료의 약한 내열성으로 접합공정 중 열 손상이 발생할 수 있으므로 신뢰성을 확보를 위해 상온 접합공정이 필요하다는 제약이 있다. 기존의 기판 접합을 위해 사용되는 에폭시 또한 고온 경화가 요구되는 경우가 많고, 특히 경화 접합 후 에폭시는 접합부 유연성 및 피로 내구성에서 한계를 보인다. 이를 해결하기 위하여 접착제 사용이 없는 저온 접합 공정의 개발이 필요한 상황이다. 본 연구에서는 마이크로파에 의한 탄소나노튜브 가열을 이용한 고분자 기판의 저온 접합공정을 개발하였다. PET 고분자 기판에 다중벽 탄소나노튜브 (MWNT)를 박막 코팅한 뒤 이를 마이크로파로 국부 가열함으로써 접합 기판 전체는 저온을 유지하며 CNT-PET 기계적 얽힘을 유도하는 방식이다. PET/CNT/PET 접합시편에 600 Watt 출력의 마이크로파를 10초간 조사함으로써 유연기판 접합에 성공하였고 매우 얇은 CNT 접합부를 구현하였다. 접합 시편의 기계적 신뢰성을 평가하기 위해 중첩 전단 강도 시험, 삼점 굽힘 시험, 반복 굽힘 시험을 수행하였으며 각 시험으로부터 우수한 접합강도, 유연성, 굽힘 내구성이 확인되었다.

• 소성∙가공
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• 제13권7호
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• pp.623-628
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• 2004

This paper is concerned with pressure welding, which has been known as a main bonding mechanism during the cold and warm forming such as clad extrusion or bundle extrusion/drawing. Bonding characteristics between the Cu and Al plates by pressure welding are investigated focusing on the weak bonding. Experiments are performed at the cold and warm temperatures ranging from the room temperature to $200^{\circ}C$. The important factors examined in this work are the welding pressure, pressure holding time, surface roughness, and temperature. A bonding map, which can identify the bonding criterion with a weak bonding strength of IMPa , is proposed in terms of welding pressure and surface roughness fur the cold and warm temperature ranges.

• Applied Science and Convergence Technology
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• 제26권3호
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• pp.43-46
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• 2017

Aluminum-doped ZnO (AZO) thin films were deposited by atomic layer deposition (ALD) with respect to the Al doping concentrations. In order to explain the chemical stability and electrical properties of the AZO thin films after hydrogen peroxide ($H_2O_2$) solution immersion treatment at room temperature, we investigated correlations between the electrical resistivity and the electronic structure, such as chemical bonding state, conduction band, band edge state below conduction band, and band alignment. Al-doped at ~ 10 at % showed not only a dramatic improvement of the electrical resistivity but also excellent chemical stability, both of which are strongly associated with changes of chemical bonding states and band edge states below the conduction band.

• 한국정밀공학회:학술대회논문집
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• 한국정밀공학회 1997년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.921-926
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• 1997

SOI(Silicon On lnsulator) technology is many advantages in the gabrication of MOS(Metal-Oxide Semiconductor) and CMOS(Complementary MOS) structures. These include high speed, lower dynamic power consumption,greater packing density, increased radiation tolearence et al. In smiple form of bonded SOL wafer manufacturing, creation of a bonded SOI structure involves oxidizing at least one of the mirror polished silicon surfaces, cleaning the oxidized surface and the surface of the layer to which it will be bonded,bringing the two cleanded surfaces together in close physical proximity, allowing the subsequent room temperature bonding to proceed to completion, and than following this room temperature joining with some form of heat treatment step,and device wafer is thinned to the target thickness. This paper has been performed to investigate the possibility of the bonded SOI wafer manufacturing Especially, we focused on the bonding quality and thinning method. Finally,we achieved the bonded SOI wafer that Si layer thickness is below 3 .mu. m and average roughness is below 5.angs.

• 한국분말야금학회:학술대회논문집
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• 한국분말야금학회 2006년도 Extended Abstracts of 2006 POWDER METALLURGY World Congress Part 1
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• pp.205-206
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• 2006

A ball-shape alumina arc-tube for low-wattage lamp was developed by the PIM process. An ultra high purity translucentgrade alumina powder was used. In injection molding process, a hot-runner type mold was developed. The translucent-grade alumina powder was extremely sensitive to contamination so that the injection molding condition and atmosphere control in the furnace should be taken care of with extreme caution. Contamination sources were pinpointed with EPMA. The arc-tube was molded in half and two halves were bonded in the middle by a new bonding technique at room temperature developed in this study.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2009년도 제36회 동계학술대회 초록집
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• pp.72.2-72.2
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• 2009

• 대한기계학회논문집A
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• 제36권4호
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• pp.395-403
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• 2012

오늘날 접합시 열에 의한 재료 손상과 접착제(ACA, NCA) 이용으로 부품간의 정렬이 문제가 되고있다. 따라서, 본 논문은 FPCB 와 HPCB 금속(Au) PAD를 직접 접합하였다. 이때 박막인 재료에 손상을 입히는 열, 부품간의 정렬에 문제가 되는 접착제(ACA, NCA)를 사용하지 않고 상온에서 접합을 하였다. 접합시 초음파 혼을 이용하여 접합을 하였으며, 초음파혼은 40kHz이다. 공정 조건은 접합압력 0.60MPa, 접합시간 0.5, 1.0, 1.5, 2.0sec이다. 또한, 산업에서 요구하는 접합강도는 필강도 테스트 결과값으로 0.60Kgf 이상이며, 본 실험에서는 접합강도가 0.80MPa 이상이 나왔다. 이로서, 열에 의한 재료 손상과, 접 착제(ACA, NCA)에 의한 정렬 문제를 해결하였다. 그리고 산업산업에서 바로 적용하고 생산할 수 있는 FPCB, HPCB 시료 제작을 하였다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제16권5호
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• pp.365-371
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• 2003

We prepared silicon on insulator(SOI) wafer pairs of Si/1800${\AA}$ -SiO$_2$ ∥ 1800${\AA}$ -SiO$_2$/Si using water direct bonding method. Wafer pairs bonded at room-temperature were annealed by a normal furnace system or a fast linear annealing(FLA) equipment, and the micro-structure of bonding interfaces for each annealing method was investigated. Upper wafer of bonded pairs was polished to be 50 $\mu\textrm{m}$ by chemical mechanical polishing(CMP) process to confirm the real application. Defects and bonding area of bonded water pairs were observed by optical images. Electrical and mechanical properties were characterized by measuring leakage current for sweeping to 120 V, and by observing the change of wafer curvature with annealing process, respectively. FLA process was superior to normal furnace process in aspects of bonding area, I-V property, and stress generation.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제15권8호
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• pp.4756-4762
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• 2014

운전 중에 손상된 풍력발전기 블레이드는 전통적으로 에폭시 수지를 사용하는 수적층 공법으로 수리가 되어 왔다. 수적층 공법의 접착 강도는 높지 않으며 에폭시 수지는 낮은 온도에서 경화특성이 좋지 않은 단점을 가지고 있다. 본 논문에서는 손상된 블레이드 수리를 위하여 폴리에스터 수지를 사용하는 진공성형 공법을 제안한다. 진공성형 공법은 수지를 균일하게 분포시키는 장점이 있으며, 폴리에스터 수지는 저온에서 에폭시보다 경화가 더 잘되는 특성을 가지고 있다. 상온에서 수리가 이루어 질 때, 제안한 방법을 사용할 경우 전통적인 방법에 비하여 평균 접착강도가 최대 77.7% 상향되었다. 섭씨 15도와 5도에서 제안한 방법을 사용하여 수리가 이루어 질 때, 동일한 온도에서 전통적인 방법으로 수리한 경우보다 평균 접착강도가 향상되었다. 전통적인 방법을 사용하여 수리가 불가능한 저온에서도, 본 논문에서 제안한 방법을 사용할 경우 수리가 가능하게 되었고 상온에서 전통적인 방법으로 수리가 된 경우보다 더 좋은 접착강도를 얻을 수 있게 되었다.

• 한국분말재료학회지
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• 제24권3호
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• pp.248-253
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• 2017

In this study, we investigate the effect of the diffusion barrier and substrate temperature on the length of carbon nanotubes. For synthesizing vertically aligned carbon nanotubes, thermal chemical vapor deposition is used and a substrate with a catalytic layer and a buffer layer is prepared using an e-beam evaporator. The length of the carbon nanotubes synthesized on the catalytic layer/diffusion barrier on the silicon substrate is longer than that without a diffusion barrier because the diffusion barrier prevents generation of silicon carbide from the diffusion of carbon atoms into the silicon substrate. The deposition temperature of the catalyst and alumina are varied from room temperature to $150^{\circ}C$, $200^{\circ}C$, and $250^{\circ}C$. On increasing the substrate temperature on depositing the buffer layer on the silicon substrate, shorter carbon nanotubes are obtained owing to the increased bonding force between the buffer layer and silicon substrate. The reason why different lengths of carbon nanotubes are obtained is that the higher bonding force between the buffer layer and the substrate layer prevents uniformity of catalytic islands for synthesizing carbon nanotubes.