• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2003년도 제5회 영호남 학술대회 논문집
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• pp.94-97
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• 2003

This study uses ZnO thin film as a piezoelectric material and Pt as bottom electrode for FBAR (film bulk acoustic resonator) device. ZnO thin film and Pt were deposited by RF-magnetron sputtering method. ZnO thin film and Pt were oriented to c-axis. Top electrode Al was deposited by thermal evaporation. The membrane was formed of bulk micromachining. The FBAR was evaluated by XRD, SEM and electrical characterization. The resonant frequency was measured by HP 8753C Network Analyzer. A fabricated FBAR device exhibited a resonant frequency of 700 MHz ~ 1.5 GHz. When bottom electrode and top electrode thickness were fixed, the resonant frequency was increased as decreasing ZnO thin film thickness.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제17권2호
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• pp.228-235
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• 2004

In this thesis, it is designed efficient electrode formation on the organic luminescent device. ITO electrode is treated with $O_2$plasma. In order to inject hole efficiently, there is proposed the shape of anode that inserted plasma polymerized films as buffer layer between anode and organic layer using thiophene monomer. It is realized efficiently electron injection to aluminum due to introduce the quantum well in cathode. In the case of device inserted the buffer layer by using the plasma poiymerization after $O_2$plasma processing for ITO transparent electrode, since it forms the stable interface and reduce the moving speed of hole, the recombination of hole and electronic ate made in the omitting layer. Compared with the devices without buffer layer, the turn-on voltage was lowered by 1.0(V) doc to the introduction of buffer layer Since the quantum well structure is formed in front of cathode to optimize the tunneling effect, there is improved the power efficiency more than two times.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2002년도 춘계 학술발표강연 및 논문개요집
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• pp.133-133
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• 2002

• 한국전기화학회:학술대회논문집
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• 한국전기화학회 2000년도 추계총회 및 학술발표회
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• pp.29-29
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• 2000

• 한국광학회지
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• 제16권2호
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• pp.133-137
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• 2005

본 논문에서는 테이퍼된 구조를 갖는 광섬유 브래그 격자를 이용한 광학적 RF 실시간 지연 소자를 제안하고 구현하였다. 광섬유격자 표면에는 금속 박막의 히팅용 전극이 코팅되어 있다. 전극에 인가되는 전압에 의해 유발되는 열광학 효과를 통하여 광섬유 격자로부터 반사되는 광신호의 반사 위치를 변화시킴으로써 광신호에 변조용 신호로 실려서 전달되는 RF 신호의 시간 지연을 조절할 수 있다. 따라서 이 제안된 소자는 기존의 소자들과는 달리 기계적 변형이나 움직임 없이 전압에 의하여 연속적으로 정밀하게 시간지연 값을 제어할 수 있는 특징을 갖는다. 측정된 최대 시간 지연은 소비 전력이 $250{\cal}mW$일 때 약 120 ps였다.

• 한국광학회지
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• 제15권6호
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• pp.591-596
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• 2004

본 논문에서는 히팅용 전극이 코팅된 측면 연마된 광섬유 브래그 격자를 이용한 광학적 RF 실시간 지연을 제안하고 제작하였다. 이 소자는 기계적인 움직임이나 진동 없이 전압에 의하여 연속적으로 정밀하게 시간 지연값을 제어할 수 있는 특징을 갖는다. 전극에 인가되는 전압에 의해 유발되는 열광학효과를 통하여 광섬유 격자로부터 반사되는 광신호의 반사 위치를 변화시킴으로써 광신호에 변조용 신호로 실려서 전달되는 RF 신호의 시간 지연을 조절할 수 있다. 측정된 최대 시간 지연은 소비 전력이 280 mW일 때 약100 ps이다.

• 한국전자파학회지:전자파기술
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• 제14권3호
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• pp.15-19
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• 2003

본 연구에서는 RF magnetron sputtering으로 상온에서 증착된 ZnO압전박막을 이용하여, 1.96 GHz 대역의 air gap type의 FBAR BPF를 개발하였다. FBAR BPF는 Si wafer에 절연막으로 열 산화막층(SiO$_2$)을 형성한 후, 형성된 산화막 위에 바닥전극(Al), ZnO압전층 그리고 상부전극(Mo)를 차례로 RF magnetron sputter장비를 사용하여 증착시키고, Si wafer를 dry etching하여 air hole을 구현함으로써 device를 제조하였다. 제조된 FBAR BPF의 ZnO압전층의 XRD분석 결과 (002)면 방향으로 우선 배향되었으며, XRC의 $\sigma$값은 1.018이었다. 삽입손실 1 dB 내외로 우수한 특성을 나타내었다.

• Current Photovoltaic Research
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• 제10권1호
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• pp.28-32
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• 2022

We investigated the optical and electrical characteristics of ITO/Ag/ITO (IAI) 3-layer thin films prepared by using RF/DC sputtering. To measure the thickness of all thin film samples, we used scanning electron microscopy. As a function of Ag thickness we characterized the optical transmittance and sheet resistance of the IAI samples by using UV-Visible spectroscopy and Hall measurement system, respectively. While the thickness of both ITO thin films in the 3-layered IAI samples were fixed at 50 nm, we varied Ag layer thickness in the range of 0 nm to 11 nm. The optical transmittance and sheet resistance of the 3-layered IAI thin films were found to vary strongly with the thickness of Ag film in the ITO (50 nm)/Ag(t₀)/ITO (50 nm) thin film. For the best transparent conducting oxide (TCO) electrode, we obtained a 3-layered ITO (50 nm)/Ag (t₀ = 8.5 nm)/ITO (50 nm) that showed an avrage optical transmittance, AVT = 90.12% in the visible light region of 380 nm to 780 nm and the sheet resistance, R_□ = 7.24 Ω/□.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1996년도 하계학술대회 논문집 C
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• pp.1838-1840
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• 1996

In order to study the relationship between the physical properties of glow discharge plasma and the physical behavior of TiN thin film, electrical characteristics of RF discharge plasma driven at 13.56MHz in a parallel-plate electrode system were measured. Plasma parameters, such as electron density and temperature, are also studied since they may be considered as one of the very important factors deciding the physical properties of TiN thin film under given conditions of applied biasd voltage and pressure. The TiN thin film were fabricated over a wide range of discharge conditions, and some of the general relationships between the measured plasma parameters and the properties of TiN thin film were discussed.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2000년도 추계학술대회 논문집 학회본부 C
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• pp.570-572
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• 2000

The characteristics of ozone generation were investigated in accordance with varying the diameter of internal electrode in an ozonizer using RF power source. The characteristics of ozone generation were improved with the diameter of internal electrode increased, but thermal loss was increased. Therefore, it was found that it is inevitable that the cooler has to be installed in an ozonizer which uses RF power source.