• Journal of Information Display
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• 제8권1호
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• pp.6-9
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• 2007

Orientational alignment patterns have been proven to be that they are very useful for realizing diverse properties of liquid crystals. Here we produced the patterns combining interfered laser beams. A photo-isomerizable polymer including azo unit, which induces nematic liquid crystal alignment to the polarized laser light, was used as the alignment to layer. Double irradiations into two orthogonal directions brought the orientation patterns similar to the checkerboard. It indicates the possibility of bistability on those patterns.

• 한국초전도학회:학술대회논문집
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• 한국초전도학회 2004년도 High Temperature Superconductivity Vol.XIV
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• pp.32-32
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• 2004

• EDISON SW 활용 경진대회 논문집
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• 제3회(2014년)
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• pp.457-458
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• 2014

In this paper, quantum mechanical simulations of the double-gate ultra-thin body (DG-UTB) MOSFETs are performed according to the International Technology Roadmap of Semiconductors (ITRS) specifications planned for 2020, to devise the way for on-current ($I_{on}$) improvement. We have employed non-equilibrium Green's function (NEGF) approach and solved the self-consistent equations based on the parabolic effective mass theory [1]. Our study shows that the [100]/<001> Ge and GaSb channel devices have higher $I_{on}$ than Si channel devices under the body thickness ($T_{bd}$) <5nm condition.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제10권6호
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• pp.543-546
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• 1989

The photocycloaddition reaction of khellin with several olefins has been investigated. The photocycloadducts are formed regioselectively on furanyl 4',5'-double bond of khellin probably due to the localization of excitation energy on the furanyl 4',5'-double bond in the reactive excited state. The photocycloaddition reaction proceeds through the excited triplet state and the same product was formed when khellin is irradiated with dimethylfumarate or dimethylmaleate indicating the formation of common intermediate. The quantum yields of photocycloadduct formation, fluorescence, and intersystem crossing are very sensitive to proton-donating ability of solvents.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2005년도 International Meeting on Information Displayvol.II
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• pp.1081-1086
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• 2005

Dynamic behavior of carbon nanotubes (CNTs) in an electric field is directly observed by in-situ transmission electron microscopy (TEM). The CNT field emitters examined by in-situ TEM are multiwalled, double-walled and single walled CNTs. Threshold fields for electron emission and sustainable emission currents depending on the structure of CNTs are presented, and degradation mechanism of the CNT field emitters is discussed. In addition to the microscopy studies on individual CNTs, our recent development in surface treatment of CNT layers grown by chemical vapor deposition, which brings about high density of emission current and high uniformity, is also presented.

• 한국광학회지
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• 제16권2호
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• pp.162-167
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• 2005

나노 크기 양자우물구조로 구성된 광통신용 방향성결합기를 모드전송선천 이론을 이용하여 설계하였다. 그 타당성과 유용성을 보이기 위하여 나노 결합기의 그 전파특성과 결합특성을 서로 다른 유효질량으로 구성된 이중 양자우물구조에서 분석하였다. 그 수치해석 결과 전체 전자에너지가 83.9 meV일 때, 결합길이 295.3 nm에서 최대 결합효율을 나타내었다. 더욱이, 이중 양자우물구조 사이의 장벽(barrier) 두께가 증가함에 따라 협대역(narrowband) 필터로 동작하였다.

• 한국광학회:학술대회논문집
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• 한국광학회 1995년도 광학 및 양자전자학 워크샵 논문집
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• pp.127-137
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• 1995

Anomalously large real space charge transfer through thick barries in GaAs asymmetric double quantum wells is studied by photoluminesence exitation. This inter-well excitonic transfer is very large when the barrier is the Al0.3Ga0.7As alloy, but disappears when the barrier is GaAs/AlAs digital alloy with an equivalent Al concentration of 0.28. These resilts combined with observed x and barrier thickness depence suggest that the spatial fluctuation of the atomic arrangment of Ga and Al in the alloy may be responsible for this transfer. This picture is supported by the quantum mechanical calculation in three dimensions which takes into account the side fluctuation effects.

• 한국광학회지
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• 제3권3호
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• pp.183-190
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• 1992

$Al_x/Ga_{1-x}$ /As/AlAs GaAs 계로 이루어진 비대칭 이중 양자우물 구조의 광학적 특성을 photoluminescence, photoluminescence excitation, time-resolved photoluminescence를 통하여 조사하였다. 양자장벽 AlAs의 두께에 따른 특성 변화를 조사하기 위하여 두께를 15$\AA$., 150$\AA$로 제작하였다. 양자장벽이 15$\AA$인 경우 매우 빠른 전자의 관통 현상을 보여 주었으며, 이로 인해 $Al_x/Ga_{1-x}$As의 여기자 재결합에 해당하는 피크가 관찰되지 않았다. AlAs 양자장벽이 150$\AA$인 경우에는 $Al_x/Ga_{1-x}$As양자우물에서 여기자 재결합에 의한 피크가 50ps 이하로 빠른 decay시간을 보여 주었으며 이것은 양자장벽과의 $\Gamma$-X전이에 의한 것으로 사료되었다. GaAs양자우물에서의 luminescence decay는 두 시료 모두 1ns정도 이었으나, 15$\AA$인 경우에는 약 100ps의 rise시간이 존재하였으며 이것은 정공의 관통에 의한 시간으로 판명되었다.

• 한국광학회지
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• 제19권3호
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• pp.229-236
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• 2008

주기적으로 분극 반전된 비선형 결정 중에 하나인 PPLN(Periodically Poled MgO(5%) doped Lithium Niobate)과 수 W급의 고출력 연속발진형 파장가변 적외선 레이저 시스템인 DOFA(Diode Laser Oscillator & Fiber Amplifier) 시스템을 이용하여, 이 결정에서 펌핑광을 한번 통과시키는 단일통과와 두 번 통과시키는 이중통과에서의 효율적인 제2고조파 발생 조건을 실험적으로 구하였다. 단일통과에서는 최적의 위상정합온도 $108.9^{\circ}C$에서 최대 출력 2.45 W의 적외선(파장 = 1070 nm) 펌핑광을 사용하여 최대 245 mW의 녹색광원(파장 = 535 nm)인 제 2고조파를 만들었고, 이때의 주파수 변환 효율은 10%였다. 또한 제 2고조파 발생의 효율을 증가시키기 위해서 되 반사용 오목거울과 위상보정을 위한 쐐기유리판을 이용하여 이중통과의 제2고조파 발생장치를 구성하였다. 이때 최적의 위상정합온도 $108.5^{\circ}C$에서 최대 출력 2.45 W의 적외선(파장 = 1070 nm) 펌핑광을 사용하여 최대 383 mW의 녹색광원(파장 = 535 nm)인 제 2고조파를 만들었다. 이때의 변환 효율은 15.6%로써 단일통과에서의 제 2고조파 발생 효율보다 크게 증가함을 확인하였다.

• 대한수학회지
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• 제50권2호
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• pp.259-274
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• 2013

In this paper, we consider the Fourier-type functionals on Wiener space. We then establish the analytic Feynman integrals involving the ${\diamond}$-convolutions. Further, we give an approach to solution of the Schr$\ddot{o}$dinger equation via Fourier-type functionals. Finally, we use this approach to obtain solutions of the Schr$\ddot{o}$dinger equations for harmonic oscillator and double-well potential. The Schr$\ddot{o}$dinger equations for harmonic oscillator and double-well potential are meaningful subjects in quantum mechanics.