• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제14권3호
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• pp.139-142
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• 2013

Silicon nanowire (SiNW) silicon-oxide-nitride-oxide-silicon (SONOS) flash memory devices were fabricated and their electrical characteristics were analyzed. Compared to planar SONOS devices, these SiNW SONOS devices have good program/erase (P/E) characteristics and a large threshold voltage ($V_T$) shift of 2.5 V in 1ms using a gate pulse of +14 V. The devices also show excellent immunity to short channel effects (SCEs) due to enhanced gate controllability, which becomes more apparent as the nanowire width decreases. This is attributed to the fully depleted mode operation as the nanowire becomes narrower. 3D TCAD simulations of both devices show that the electric field of the junction area is significantly reduced in the SiNW structure.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2009년도 제40회 하계학술대회
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• pp.101_102
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• 2009

KSTAR(Korea Superconducting Tokamak Advanced Reseach)장치는 차세대핵융합연구장치로써 30개의 초전도자석으로 구성된다. 이 초전도자석에 전원을 공급하게 되는 PF (Poloidal Field) MPS(Magnet Power Supply)는 12상 Pulse 운전을 하게 되는데 이때 $h=kp{\pm}1$의 특성고조파와 90%에 가까운 무효전력이 발생되어 KSTAR 전력계통과 인근 부하장치에 치명적인 영향을 줄 수 있어 고조파와 무효전력을 동시에 보상할 수 있는 최적의 무효전력보상장치의 도입은 필연적이다. 본 논문에서는 KSTAR 1st Plasma 실험시의 무효전력과 고조파를 저감하기 위해 설치했던 즉, 1단계 기계식 스위칭에 의한 RPC(Reactive power compensator)의 보상특성의 평가결과를 기반으로 KSTAR 2009년 Plasma 실험에 대비하여 이의 운전특성과 설치 공간에 따르는 제약 등을 고려하여 최적의 RPC 설계를 도출하기 위해 실시한 TSC(Thyristor Switch Capacitor)기반의 RPC[1] 모의해석 결과와 기술적 사항을 소개하고자 한다.

• 한국세라믹학회지
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• 제35권5호
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• pp.472-478
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• 1998

Ferroelectric SrBi2Ta2O9(SBT) films were deposited on Pt/Ti/SiO2/Si substrates at 50$0^{\circ}C$ using a sintered SBT target Bi and Ta targets by modified rf magnetron sputtering and then were annealed at 80$0^{\circ}C$ for 10min in oxygen ambinet(760 torr) The composition of the SBT films could be easily controlled using the mul-ti-targets. The film composition of {{{{ {Sr }_{0.8 } {Bi }_{2.9 } {Ta}_{2.0 } {O }_{9 } }} was obtained with SBTd sputtering power of 100 W Bi of 25W and Ta of 10 W. A 250nm thick SBT films exhibited a dense and uniform microstructure and showed the remanent polarization(Pr) of 14.4 $\mu$C/cm2 and the coercive field({{{{ {E }_{c } }})of 60 kV/cm at applied voltage of 5 V. The SBT films show practically no polarization fatigue up to {{{{ {10 }_{10 } }} cycles under 5V bipolar pulse. The retention characteristics of the SBT films looked very promising and the leakage current density of the SBT films was about 1.23$\times${{{{ {10 }^{-7 } }}A/c{{{{ {m }^{2 } }} at 120kV/cm.

• Applied Microscopy
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• 제46권1호
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• pp.20-26
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• 2016

Our work on $Sc_2O_3-W$ matrix dispenser cathodes had been reviewed in this paper. The cathode with uniform distribution of $Sc_2O_3$ had been obtained using liquid-liquid doping method. The cathode had excellent emission property, i.e., the emission current density in pulse condition could reach over $35A/cm^2$. It was found that the cathode surface was covered by a Ba-Sc-O active substance multilayer with a thickness of about 100 nm, which was different from the monolayer and semiconducting layer in thickness. Furthermore, the observation results displayed that nanoparticles appeared at the growth steps and the surface of tungsten grains of the fully activated cathode. The calculation result indicated that the nanoparticles could cause the increase of local electric field strengths. We proposed the emission model that both the Ba-Sc-O multilayer and the nanoparticles distributing mainly on the growth steps of the W grains contributed to the emission. The future work on this cathode has been discussed.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제31권1호
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• pp.1-5
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• 2018

This study analyzed the change of electrical characteristics of a photocoupler when a narrow-band electromagnetic wave was combined with the photocoupler. A magnetron (3 kW, 2.45 GHz) was used as the narrow-band electromagnetic source. The EUT was Photocoupler (6N139) and the input signal was divided into two types: a square pulse and the second signal is 0 V. The malfunction of the photocoupler was confirmed by monitoring the variation in the output voltage of the photocoupler. As a result of the experiment, changes in the malfunctioning was observed as the electric field was increased. There are three types of malfunction modes: delay, output voltage off, and fluctuation. Bit errors were analyzed to verify the electrical characteristics of the photocoupler by narrow-band electromagnetic waves. The result of this study can be used as basic data for the effect analysis of photocoupler protection and impact analysis of high-power electromagnetic waves.

• 한국광학회지
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• 제16권4호
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• pp.366-375
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• 2005

Ti 확산 리튬나오베이트 채널 광도파로의 z-축 분극을 주기적으로 $180^{\circ}$ 위상 변화시키는 Ti:PPLN 제작 공정을 검토하고, 개선하였다. 분극반전 공정에 적합한 지그와 Labview 프로그램을 이용하여 전하량 제어시스템을 고안하였다. 분극반전에 필요한 전하량으로부터 분극에 적절한 고전압 펄스와 duty-cycle을 조절하였으며, 분극에 필요한 임계 전압 보다 작은 전압을 인가한 상태에서 누설전류의 변화를 관찰하여 절연파괴 현상을 또한 최소화하였다.

• 한국정밀공학회지
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• 제21권11호
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• pp.186-194
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• 2004

In this research, microfabrication technique using localized electrochemical deposition (LECD) with ultra short pulses is presented. Electric field is localized near the tool tip end region by applying a few hundreds of nano second pulses. Pt-Ir tip is used as a counter electrode and copper is deposited on the copper substrate in 0.5 M CuSO$_4$ and 0.5 M H$_2$SO$_4$ electrolyte. The effectiveness of this technique is verified by comparison with LECD using DC voltage. The deposition characteristics such as size, shape, surface, and structural density according to applied voltage and pulse duration are investigated. The proper condition is selected from the results of the experiments. Micro columns less than 10 $\mu$m in diameter are fabricated using this technique. The real 3D micro structures such as micro pattern and micro spring can be fabricated by this method. It is suggested that presented method can be used as an easy and inexpensive method for fabrication of microstructure with complex shape.

• 한국광학회지
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• 제3권1호
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• pp.50-54
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• 1992

마스크를 사용하지 않고 레이저 $(CW Ar^+$ laser, $\lambda=514.5nm)$ 광속을 이용하여 불산 용액이 첨가된 황산구리 전해질 용액내의 실리콘(Si, 100) 단결정 표면에 구리를 침착시켰으며, 이들 사이에서 일어나는 화학 반응식을 도금에서와 같이 양극 반응과 음극 반응으로 구분 하여 제안하였다. 또한 침착 되는 구리점의 직경을 전해질 용액에 첨가되는 불산용액의 양, 레이저 광속의 조사 시간과 관속의 세기에 따라 측정 분석하였다. p형 실리콘 단결정의 경우, 연속형 $Ar^+$ 레이저를 조사하였을때 구리 침착이 일어나고 펄스형 레이저 광속(Nd:YAG 레이저에 KDP결정을 사용하여 얻은 2차 고조파, $\lambda=530nm, $\tau=25nsce$)을 조사하였을 경우에는 침착이 일어나지 않았다. 그와는 반대로 n형 실리콘 단결정의 경우, 연속형 $Ar^+$ 레이저를 조사하였을 때는 구리 침착이 일어나지 않았으나, 펄스형 레이저 광속을 조사시켰을 경우에는 구리 침착이 일어남을 관찰하였다.

• International Journal of Aerospace System Engineering
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• 제9권1호
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• pp.1-15
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• 2022

Pyrotechnic initiators provide a source of pyrotechnic energy used to initiate a variety of space mechanisms. Pyrotechnic systems build in electromagnetic environment that may lead to critical or catastrophic hazards. Special precautions are need to prevent a pulse large enough to trigger the initiator from appearing in the pyrotechnic firing circuits at any but the desired time. The EMC verification shall be shown by analysis or test that the pyrotechnic systems meets the requirements of inadvertent activation. The MIL-STD-1576 and two range safeties, AFSPC and CSG, require the safety margin for electromagnetic potential hazards to pyrotechnic systems to a level at least 20 dB below the maximum no-fire power of the EED. The PC23 is equivalent to NASA standard initiator and the 1EPWH100 squib is ESA standard initiator. This paper verifies the two safety margins for electromagnetic potential hazards. The first is verified by analyzing against a RF power. The second is verified by testing against a DC current. The EMC safety margin requirement against RF power has been demonstrated through the electric field coupling analysis in differential mode with 21 dB both PC23 and 1EPWH100, and in common mode with 58 dB for PC23 and 48 dB for 1EPWH100 against the maximum no-fire power of the EED. Also, the EMC safety margin requirement against DC current has been demonstrated through the electrical isolation test for the pyrotechnic firing circuits with greater than 20 dB below the maximum no-fire current of the EED.

• KSBB Journal
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• 제11권3호
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• pp.360-366
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• 1996

전기장에서의 유기산의 이동성향을 파악하기 위하여 아세트산을 대상으로 하여 한외여과막과 이온교 환막을 사용한 전기투석에 대해 연구하였다. 전기장에 의한 한외여과막에서의 전기적 삼투흐름은 전반적으로 anodic side에서 cathodic side로 진행되었다. 막을 통한 이온의 순수이동은 전기척 삼투흐름 에 대한 전기적 이동속도로부터 결정되였으며, 실험 에서의 순수 전기적 삼투흐름방향은 아세트산의 이 동에 많은 영향을 미치는 것으로 사료된다. 격막을 통한 전기척 삼투흐름에 의해 특성화된 한외여과막의 표면전하는 모두 음전하를 띠었다. 각기 재질이 다른 regenerated celiuloseCYM series)와 polysul foneCPM series) 재질의 한외여과막을 사용한 실험에서 아세트산이온의 이통양상에 매우 다르게 나타 났으며 전반적으로 YM series의 한외 여과막에서 아세트산이옹의 이동이 원할한 것으로 나타났다. 이는 전기적 삼투흐름측정에 따르면 YM series의 격막에 비해 PM series의 격막이 전해질용액에셔 상대적으로 큰 음전하를 띠는 것으로 추측된다. 아세트산 이온의 이동은 전기장의 세기, 전극사이 의 거리, 전극표면적, 이온세기, 온도, 격막의 pore 크기등에 영향을 받았으며, 일정한 전류장의 조건에서 이온교환막에서의 아세트산 이온의 이통은 한외 여과막에 비하여 1.5 에서 3배 수준이였다. 전기장 펄스형성에 의한 이온교환막에서의 아세트산이온의 이동은 10sec/hr의 펄스전기장에서 약 10%의 증가 를보였다.