• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제11권6호
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• pp.564-567
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• 1990

A lithiated compound $Li_{0.1}Pr^{3+}Ba_2Cu_3O_y$ has been successfully prepared by electrochemical method, which is achieved with a two electrode cell of the type: Metal(Li)/($Li^+\;,\;ClO_4^-$) + propylene carbonate/$PrBa_2Cu_3O_y$. All Pr ions in the lithiated compound are stabilized with a trivalent state as the other rare earths (Ⅲ) substituted in the 90K superconductor lattice ($Y_{1-x}Ln_x^-Ba_2Cu_3O_{7-{\delta}}$). Powder X-ray diffraction analysis shows that both compounds, $PrBa_2Cu_3O_y$ and $Li_{0.1}PrBa_2Cu_3O_y$ are isostructural with the 90 K superconductor, ($YBa_2Cu_3O_{7-{\delta}}$), nevertheless both of them are non-metallic and also non-superconducting down to 10 K. Magnetic susceptibility ${\chi}$ vs. temperature data indicate that Curie contribution from the magnetic ions (Pr and Cu) is weakened on the one hand, but on the other hand temperature-independent part of susceptibility ${\chi}_o$ increases depending upon the rate of lithium intercalation in $PrBa_2Cu_3O_y$ lattice.

• 대한안전경영과학회지
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• 제2권2호
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• pp.95-108
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• 2000

Electrochemical charateristics of activated carbon fiber cloth(ACFC) electrode were studied with propylene carbonate(PC), ${\gamma}$-butyrolactone(GBL) and N,N-dimethyl-formamide(DMF) as a solvent and tetraethylammoniumtetrafluoroborate(TEABF$_4$), tetraethylammoniumhexafluorophosphate(TEABF$_{6}$), tetrabutylammoniumtetrafluoroborate(TBABF$_4$) and tetrabutylammonium hexafluorophosphate(TBAPF$_6$) as an electrolytes(active material). The concentrations of electrolytes were in the range of 0.2~1.2 N, the volume ratios of PC and DMF as a mixed solvent system, were 90：10, 80：20, 70：30, 60：40, 50：50, and 40：60 vol%. Electrochemical characteristics such as electric conductivity, internal resistance, and electric capacitance of fabricated unit cells were measured after the moisture of activated material was removed with molecular sieve. Electrochemical characteristics were better in mixed solvents system than in mono solvent system. The mono solvent system of 1.0 N electrolyte of GBL/TEABF$_4$ with activated carbon cloth electrodes showed better result but the mixed solvent system with PC and DMF/TEABF$_4$(50：50 vol%) and the concentration of 1.0 N electrolyte showed the best characteristics. Internal resistance was 3.47 $\Omega$ and specific capacitance was 19.1 F/g respectively.y.

• Macromolecular Research
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• 제17권12호
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• pp.963-968
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• 2009

Liquid crystal (LC; E7 and/or ML-0249)-embedded, poly(vinylidenefluoride-co-hexafluoropropylene) (PVdF-co-HFP)-based, polymer electrolytes were prepared for use in dye-sensitized solar cells (DSSCs). The electrolytes contained 1-methyl-3-propylimidazolium iodide (PMII), tetrabutylammonium iodide (TBAI), and iodine ($I_2$), which participate in the $I_3^-/I^-$ redox couple. The incorporation of photochemically stable PVdF-co-HFP in the DSSCs created a stable polymer electrolyte that resisted leakage and volatilization. DSSCs, with liquid crystal(LC)-embedded PVdF-co-HFP-based polymer electrolytes between the amphiphilic ruthenium dye N719 absorbed to the nanocrystalline $TiO_2$ photoanode and the Pt counter electrode, were fabricated. These DSSCs displayed enhanced redox couple reduction and reduced charge recombination in comparison to that fabricated from the conventional PVdF-co-HFP-based polymer electrolyte. The behavior of the polymer electrolyte was improved by the addition of optimized amounts of plasticizers, such as ethylene carbonate (EC) and propylene carbonate (PC). The significantly increased short-circuit current density ($J_{sc}$, $14.60\;mA/cm^2$) and open-circuit voltage ($V_{oc}$, 0.68 V) of these DSSCs led to a high power conversion efficiency (PCE) of 6.42% and a fill factor of 0.65 under a standard light intensity of $100\;mW/cm^2$ irradiation of AM 1.5 sunlight. A DSSC fabricated by using E7-embedded PVdF-co-HFP-based polymer electrolyte exhibited a maximum incident photon-to-current conversion efficiency (IPCE) of 50%.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2015년도 제49회 하계 정기학술대회 초록집
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• pp.86.1-86.1
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• 2015

As the feature size of Si-based semiconductor shrinks to nanometer scale, we are facing to the problems such as short channel effect and leakage current. One of the solutions to cope with those issues is to bring III-V compound semiconductors to the semiconductor structures, because III-V compound semiconductors have much higher carrier mobility than Si. However, introduction of III-V semiconductors to the current Si-based manufacturing process requires great challenge in the development of process integration, since they exhibit totally different physical and chemical properties from Si. For example, epitaxial growth, surface preparation and wet etching of III-V semiconductors have to be optimized for production. In addition, oxidation mechanisms of III-V semiconductors should be elucidated and re-growth of native oxide should be controlled. In this study, surface preparation methods of various III-V compound semiconductors such as GaAs, InAs, and GaSb are introduced in terms of i) how their surfaces are modified after different chemical treatments, ii) how they will be re-oxidized after chemical treatments, and iii) is there any effect of surface orientation on the surface preparation and re-growth of oxide. Surface termination and behaviors on those semiconductors were observed by MIR-FTIR, XPS, ellipsometer, and contact angle measurements. In addition, photoresist stripping process on III-V semiconductor is also studied, because there is a chance that a conventional photoresist stripping process can attack III-V semiconductor surfaces. Based on the Hansen theory various organic solvents such as 1-methyl-2-pyrrolydone, dimethyl sulfoxide, benzyl alcohol, and propylene carbonate, were selected to remove photoresists with and without ion implantation. Although SPM and DIO3 caused etching and/or surface roughening of III-V semiconductor surface, organic solvents could remove I-line photoresist without attack of III-V semiconductor surface. The behavior of photoresist removal depends on the solvent temperature and ion implantation dose.

• 한국응용과학기술학회지
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• 제31권4호
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• pp.628-634
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• 2014

본 연구에서는 캐비테이션에 의한 부식에 강한 도료를 개발하기 위하여 고탄성의 우레탄 수지에 내마모 성능을 향상시키기 위한 첨가제로서 Polypropylene glycol(PPG), Polycarbonate diol(PCD), Polycaprolactone polyol(PCL-1), Polycaprolactone-tetramethylene glycolether(PCL-2) 등 4가지 종류의 Polyol을 첨가하여 제조한 도료의 물성과 캐비테이션 저항성을 평가하였다. 합성된 도료의 물성을 비교한 결과 Polyol 중에서는 PCD을 첨가한 경우 경도와 내마모성이 높아 캐비테이션 저항성이 높을 수 있는 물성을 가진 것으로 나타났으나 고점도를 가지고 있어서 도료화에 어려움이 있을 것으로 예상되어 점도가 낮은 도료를 위하여 PCL-1을 적절한 첨가제로 선정하였다. PCL-1이 첨가된 도료의 캐비테이션 저항성을 평가한 결과 저항성이 높은 것으로 나타났고 SEM을 이용하여 표면 분석을 통한 기공의 침식현상을 관찰하였다.

• 대한화학회지
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• 제10권1호
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• pp.25-31
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• 1966

폴리아크릴로니트릴을 加熱할 때 着色과 同時에 構造變化가 있다는 것은 잘 알려진 事實이며 이것은 部分水素化나프틸리딘型環을 形成함에 基因하는 것으로 알려지고 있다. 本硏究는 이와 같은 構造變化의 反應을 動力學的 및 統計學的으로 取扱하여 지금까지 알려지지 않았던 새로운 事實들을 發見하였다. 첫째로 폴리아크릴로니트릴을 加熱할 때의 니트릴基의 減少는 一次反應이라는 것이며 이는 環形成反應이 긴連鎖反應으로 이루어지지 않는다는 것을 말해 주는 것이다. 다시 말하면 環形成時의 kinetic chain length는 極히 짧다는 것이다. 또 本 構造變化는 반드시 分子間反應(架橋結合)이 아니드라도, 일어날 수 있다는 것을 證明했다. 둘째로 環形成으로 니트릴基가 減少할 때 19~22%의 니트릴基가 殘存한다는 것이며 이를 統計學的으로 解析해본 結果 19.2%라는 計算値를 얻었으며 이는 實驗値와 잘 맞는 數値이다.

• 공업화학
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• 제17권3호
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• pp.243-249
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• 2006

전기이중층 커패시터 및 리튬이온 2차전지의 compact화 하기 위하여 격리막과 전해질의 기능을 동시에 갖는 겔 전해질에 대한 연구가 광범위하게 진행되어 왔다. 본 연구는 고분자 겔 전해질에 다량의 기공을 형성하여 전해질의 함침성을 높이기 위해 물리적 특성이 우수한 고분자 지지체 P(VdF-co-HFP)/PVP에 개공제 PVP를 이용하였으며, 가소제 PC와 EC, 그리고 지지전해질 $TEABF_4$를 이용하여 고분자 겔 전해질을 제조하였다. 분말활성탄 BP-20과 MSP-20, 전도성 개량제 Super P 및 결합제 P(VdF-co-HFP)와 PVP를 사용한 전극과 결합하여 단위셀을 제작하였고, 고분자 겔 전해질과 단위셀의 전기화학적 특성을 고찰하였다. PVP 첨가량에 따른 고분자 겔 전해질의 이온전도도는 7 wt%일 때 가장 우수한 이온전도도를 보였으나, 단위셀을 구성하여 전기화학적 특성을 분석한 결과 AC-ESR은 3 wt%일 때 가장 우수하였다. 또한 단위셀을 구성하여 전기화학적 특성 분석 결과 PC : EC = 33 : 33 wt%일 때 가장 우수하였다. 또한 PC를 단독 사용시 보다 PC와 EC의 혼합물을 가소제로 사용하였을 때 비정전용량 등 전기화학적 특성이 높았다. 고분자 겔 전해질의 두께에 따른 이온전도도는 $20{\mu}m$일때 가장 우수한 결과를 보였으나, 단위셀을 구성하여 전기화학적 특성 분석 결과 $50{\mu}m$일 때 가장 우수한 사이클 특성을 나타내었다. 고분자 겔 전해질과 전극사이를 열 압착한 단위셀은 31.41 F/g의 높은 비정전용량과 안정한 전기화학적 특성을 나타내었다. 따라서 P(VdF-co-HFP : PVP = 20 : 3 및 PC : EC = 44 : 22 wt%로 제조된 EDLC용 고분자 겔 전해질의 최적 조성비는 23 : 66 : 11 wt%이었으며, 두께 $50{\mu}m$일 때 $3.17{\times}10^{-3}S/cm$의 이온전도도를 나타내었다. 이 때 단위셀의 전기화학적 특성은 DC-ESR $2.69{\Omega}$, 비정전용량 28 F/g 및 쿨롱 효율 100%이었다.