융제(flux)로서 $B_2O_3$의 농도를 0-10 wt%까지 변화시킨 $SrAl_2O_4$ : $Eu^{+2}$, $Dy^{+3}$계 장잔광 형광체를 고상반응법으로 합성한 후, $B_2O_3$의 첨가량에 따른 결정특성과 장잔광 축광재료로서 가장 중요한 발광 및 장잔광 특성을 조사하였다. $SrAl_2O_4$ : Eu$^{+2}$, $Dy^{+3}$계 형광체는 $B_2O_3$의 농도에 관계없이 520nm 파장을 최대 발광파장으로 하는 발광스펙트럼을 나타내었고, 3wt%의 $B_2O_3$ 농도에서 최대 발광강도를 나타내었다. 그리고 $SrAl_2O_4$ : Eu$^{+2}$, $Dy^{+3}$ 형광체의 잔광강도 역시 $B_2O_3$의 농도에 무관하게 시간에 따라 모든 시료에서 지수 함수적으로 감소하였으나, $B_2O_3$의 농도가 3wt%인 경우에 발광의 감쇠속도가 작은 뛰어난 장잔광특성을 나타내었다.
7-Dithiocarboxy-3-phenyl-5,6-dihydro imidazo[2,1-b]thiazolium-betaine (2) was prepared by treatment of 3-phenyl-5,6-dihydro imidazo[2,1-b]thiazole (1) with carbon disulfide in acetone at room temperature. On the reaction of 2 with para-substituted phenacyl bromides (4) having the electron withdrawing property by virtue of (+) resonance (R) < (-) inductive (I) or (-) resonance (R), (-) inductive (I) effect, ring transformation product p-substituted-2-[2-[7-(p-substituted benzoyl)-5-thioxo-2,3-dihydro-1H-imidazo[1,2-c] thiazol-1-yl]-2-phenylvinylthio] acetophenone (6) was obtained; however, when R is electron donating grops with (+) resonance (R) > (-) inductive (I) effect the quarternary ammonium salt 7-(p-substituted phenyl) carbonyl methyl-3-phenyl-5,6-dihydro imidazo [2,1-b] thiazolium bromide (8) is formed. The reaction of 2 with unsubstituted-phenacyl bromide (R = H), on the other hand, gives 6a and 8a to the similar ratio, respectively.
Garay-Gallegos, Jesus Rafael;Luevanos-Rojas, Arnulfo;Lopez-Chavarria, Sandra;Medina-Elizondo, Manuel;Aguilera-Mancilla, Gabriel;Garcia-Canales, Edith
Geomechanics and Engineering
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제30권6호
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pp.525-538
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2022
This paper presents a more general model for T-shaped combined footings that support two columns aligned on a longitudinal axis and each column provides an axial load and two orthogonal moments. This model can be applied to the following conditions: (1) without restrictions on its sides, (2) a restricted side and (3) two opposite sides restricted. This model considers the linear soil pressure. The recently published works have been developed for a restricted side and for two opposite sides restricted by Luévanos-Rojas et al. (2018a, b). The current model considers the uniform pressure distribution because the position of the resultant force coincides with the center of gravity of the surface of the footing in contact with the soil in direction of the longitudinal axis where the columns are located. This paper shows three numerical examples. Example 1 is for a T-shaped combined footing with a limited side (one column is located on the property boundary). Example 2 is for a T-shaped combined footing with two limited opposite sides (the two columns are located on the property boundary). Example 3 is for a T-shaped combined footing with two limited opposite sides, one column is located in the center of the width of the upper flange (b1/2=L1), and other column is located at a distance half the width of the strip from the free end of the footing (b2/2=b-L1-L). The main advantage of this work over other works is that this model can be applied to T-shaped combined footings without restrictions on its sides, a restricted side and two opposite sides restricted. It also shows the deficiencies of the current model over the new model.
기본적으로 GMSK는 NRZ 펄스열을 가우시안 저역 통과 필터로 전 처리한 후에 GMSK 신호를 생성하지만, 본 논문에서는 델타 펄스열에 대한 GMSK 변조 시스템을 제안하였다. 제시된 시스템은 바이폴라 델타 펄스로 가우시안 펄스를 발생시키는 가우시안 펄스 생성기, $+T_b/2$와 $-T_b/2$ 사이의 차분기, 그리고 주파수변조 함수를 위한 정합 필터로 구성한다. 기본적인 GMSK 변조와의 비교를 통해 스펙트럼은 40[dB] 감쇠 대역폭에서 약 35[%] 협소하며, 스펙트럼의 중심은 더 낮고, 제로 크로싱 성질이 있는 것으로 나타났다.
The specimens which were prepared from cokes with additions of 0~25 wt% B4C were sintered in Ar atmosphere at 220$0^{\circ}C$. The effects of B4C content on graphitization and oxidation resistance of cokes were investigated. B4C accelerates the graphitization of cokes and at 220$0^{\circ}C$ the degree of graphitization increased from 0.33 which is the value of pure carbon to 0.56, which increased bluk density and porosity. Especially bending strength increased as th graphitization temperature increased. Oxidation resistance property was greatly improved when B4C was added more than 10wt% at 80$0^{\circ}C$ and when B4C was added more than 20wt% at 100$0^{\circ}C$. This was because that the thin layer of B2O3 glass phase on the surface of the composite could be identified to increase the oxidation resistance.
The crystallization effects of boron (B) powder on the phase, full width at half maximum (FWHM) values, and critical properties were investigated for in-situ reacted $MgB_2$ bulk superconductors. The semi-crystalline B powder was heat-treated at different temperatures of 1000, 1300 and $1500^{\circ}C$ for 5 hours in an Ar atmosphere. Then, using as-received and heat-treated B powders, the $MgB_2$ samples were prepared at $600^{\circ}C$ for 40 hours in an Ar atmosphere. As the heat-treatment temperature of the B powder increased, both the particle size of the B powder and crystalline phase increased. In the case of $MgB_2$ samples using B powders heat-treated at above $1300^{\circ}C$, unreacted magnesium (Mg) and B remained due to the improved crystallinity of the B powder. As the heat-treatment temperature of B powder increased, the critical current density of $MgB_2$ decreased continuously due to the reduction of grain boundary density and superconducting volume caused by unreacted Mg and B.
본 논문에서는 마이크로스트립 전송선을 이용하여 필터를 구현할 때 고조파 대역에서 나타나는 불요 공진모드 특성을 제거하도록 DCRLH 메타셀을 헤어핀 공진기와 결합하여 기본 통과대역 신호만을 전달하는 마이크로스트립 대역통과 필터를 설계하고 제작하였다. 대역통과 필터는 불요 고조파 통과특성을 제거하기 위한 DCRLH 메타셀 전송선로와 통과대역 신호를 잘 전달하기 위한 CCRLH 헤어핀 공진기로 구성하였다. DCRLH 성질을 갖는 인터디짓 메타셀(Interdigit Meta-cell)은 필터회로의 입력단과 출력단에 병렬로 삽입하였고, CCRLH 대역통과 성질을 갖는 헤어핀공진기(Hairpin Resonator)는 두개의 DCRLH 메타셀 사이에 설치하였다. 이렇게 구성함으로써 저지대역에서 나타나는 불요고조파신호를 억제시킬 수 있었고, 필터의 대역통과 성능을 개선할 수 있었다. WCDMA 이동통신과 WiBro 무선 인터넷 통신을 동시에 수행할 목적으로 제작된 마이크로스트립 대역통과 필터는 1.91GHz~2.41GHz의 통과대역에서 삽입손실은 0.2dB로 나타났고, 3GHz~7.5GHz의 저지대역에서 감쇄특성은 -30dB 이하로 양호한 성능을 나타내었다.
Influence of $Nd_2O_3$ addition to $ZnO-B_2O_3$-based glass on the water leaching resistance of the glass was first investigated. The optimized $Nd_2O_3-ZnO-B_2O_3$ (NZB) glass was ball milled for varying time, mixing with followed by $Al_2O_3$ crystalline phase to form $Al_2O_3$-NZB glass composites at $875^{\circ}C$ for 1h. Microwave dielectric properties of the composites were investigated as a function of the ball milling time of the NZB glass. Dielectric constant and quality factor were 5.70 and 9497 GHz, respectively, when the NZB glass was ball milled for 6h prior to mixing with $Al_2O_3$.
This paper deals with the phase analysis of $MgB_2$ bulk using spark plasma sintering process after ball milling. Mg and amorphous B powders were used as raw materials, and milled by planetary-mill for 9 hours at argon atmosphere. In order to confirm formation of $MgB_2$ phase, DTA and XRD were used. The milled powders were fabricated to $MgB_2$ bulk at the various temperatures by Spark Plasma Sintering. The fabricated $MgB_2$ bulk was evaluated with XRD, EDS, FE-SEM and PPMS. In the DTA result, reaction on formation of $MgB_2$ phase started at $340^{\circ}C$. This means that ball milling process improves reactivity on formation of $MgB_2$ phase. The $MgB_2$ MgO and FeB phases were characterized from XRD result. MgO and FeB were undesirable phases which affect formation of $MgB_2$ phase, and it's distribution could be confirmed from EDS mapping result. Spark Plasma Sintered sample for 5 min at $700^{\circ}C$ was relatively densified and it's density and transition temperature showing super conducting property were $1.87\;g/cm^3$ and 21K.
The (B.Si)C composite was prepared form the mixture of metal boron, silicon, and carbon powders in Ar atmosphere by Self-propagating High-temperature Synthesis Chemical Furnace. The characterization of synthesized power and sintered body were investigated. The microstructure of sintered body suggested that SiC boundary was made between B4C grains. The most excellent mechanical properties, the relative density of 95% oftheoretical value, 3 point flexural strength of 360MPa, and fracture toughness of 3.6MN/m3/2 could be obtained in 80wt% B4C-20 wt% SiC composite were obtained.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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