A current-voltage relation for Positive Temperature Coefficient of Resistance (PTCR) ceramic was derived and compared with the experimental data. The new current-voltage relation was developed based on Heywangs double Schottky barrier model and a bias distribution across the grain boundary. The voltage limitation V < 4${\Phi}$$\sub$b/ suggested by Heywang is no longer necessary in the new expression for the voltage dependence of the resistance. The pulsed voltages were applied to the PTCR ceramic specimen in order to avoid possible temperature variation during the measurement.
The effect of surface free energy on the positive temperature coefficient (PTC) of carbon black/thermoplastic resin composites was investigated. The thermoplastic resins such as EVA, LDPE, LLDPE and HDPE were used with the addition of 30 wt.% of the carbon black. The surface free energy of the composites was studied in the context of two-liquid contact angle measurements, i.e., deionized water and diiodomethane. It was observed that the resistivity on PTC composites Was greatly increased near the crystalline melting temperature, due to the thermal expansion of polymeric matrix. From the experimental results, it was proposed that the decrease of surface free energy induced by interactions between carbon black surfaces and polymer chains is an important factor to the fabrication of a PTC composite made of carbon black and polymeric matrix.
The positive temperature coefficient (PTC) effects of high density polyethylene (HDPE)/carbon black composite materials were investigated by enhancing adhesive characteristics of electrodes and controlling HDPE chemical crosslinking. When the silver paste was used as an electrode for the same 45 wt% HDPE/carbon composites, the resistance was over 1 $\Omega$, which should be compared with the resistance of 0.2 $\Omega$ for the dendritic copper electrode. In general, the silver-paste electrode exhibited higher electrical resistance than cupper electrode due to the interfacial resistance between the electrode and PTC composites. The HDPE/carbon composite exhibited typical PTC characteristics maintaining a constant resistance up to vicat point and showing a maximum at the melting point of HDPE. The crosslinked HDPE significantly decreased the negative temperature coefficient (NTC) phenomena, and desirably showed a constant or slightly increasing feature of electrical resistance in the high temperature region.
Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics
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v.27
no.4
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pp.563-570
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1990
A silicon pressure sensor made of a full bridge of diffused resistors was designed and fabricated using semiconductor integrated circuit process. Thin diaphragms with 30\ulcorner thickness were obtained using anisotropic wet chemical etching technique. Our device showed strong temperature dependence. Compensation networks are used to compensate for the temperature dependence of the pressure sensor. The bridge supply voltage having positive temperature coefficient by compensation networks was utilized against the negative temperature coefficient of bridge output voltage. The sensitivity fluctuation of pressure sensor before temperature compensation was -1700 ppm/\ulcorner, while it reduced to -710ppm\ulcorner with temperature compensation. Our result shows that the we could develop accurate and reliable pressure sensor over a wide temperature range(-20\ulcorner~50\ulcorner).
Park, Soo-Jin;Seok, Su-Ja;Lee, Jae-Rock;Hong, Sung-Kwon
Polymer(Korea)
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v.29
no.1
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pp.32-35
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2005
In this paper, the carbon nanotubes (CNTs) were ozonized and the positive temperature coefficient (PTC) behaviors of CNTs-filled high-density polyethylene (HDPE) conductive composites were studied. The results of element analysis (EA) and FT-IR indicate that the oxygen-containing functional groups on the CNTs surfaces, such as O-H, C-O, and C=O groups, were increased with the ozonization. Electrical resistivities of the CNTs/HDPE composites were measured by using a digital multimeter. The resistivity of the composites was increased abruptly near the crystalline melting temperature of the HDPE used as matrix, which could be attributed to the destruction of conductive network by the thermal expansion of HDPE. And, the PTC intensity of the CNTs/HDPE composites was increased with the increase of the ozone treatment time. It was probably due to the growing of maximum volume resistivity of the composites induced by the increased oxygen-containing functional groups in the CNTs surfaces.
In this study, the effects of carbon black (CB) content and anodic oxidation treatment with $AgNO_3$ on positive temperature coefficient (PTC) behavior of CB/HDPE nanocomposites were investigated. Also, the addition of elastomer as a toughing agent was studied. The 20~50 wt% of CB, 0~5 wtt% of elastomer, and 1 wt% of $AgNO_3$-filled HDPE nanocomposites were prepared using the internal mixer in 60 rpm at $160{\circ}C$ and the compression-molded at $180{\circ}C$ for 10 min. As a result, the room temperature resistivity and PTC intensity of the composites were dependent, to a large extent, on the content of CB, addition of elastomer, and surface chemical properties that were controlled in the relative arrangements of the carbon black aggregates in a polymeric matrix. Moreover, the composites with relatively low room temperature resistivity and suitable PTC intensity could be achieved by treatment of $AgNO_3$. Consequently, it was noted that PTC effect was due to the deagglomeration or the breakage of the conductive networks caused by thermal expansion or crystalline melting of the polymeric matrix.
Binary skutterudite $CoSb_3$ compounds were prepared by the encapsulated induction melting (EIM) process, and their thermoelectric, microstructural and mechanical properties were examined. Single-phase ${\delta}-CoSb_3$ was successfully produced by the EIM and subsequent heat treatment at 773 K-873 K for 24 hours in vacuum. Seebeck coefficient increased with increasing heat treatment temperature up to 673 K, showing the positive signs in the range of measuring temperature. However, the samples heat-treated at 773 K-873 K showed negative Seebeck coefficient from room temperature to 400 K, while it showed positive signs above 400 K. Electrical resistivity decreased with increasing temperature, showing typical semiconducting conductivity. Thermal conductivity decreased drastically with increasing heat-treatment temperature. This is closely related with the phase transition to ${\delta}-CoSb_3$.
Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics A
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v.33A
no.4
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pp.136-141
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1996
In this paper, a new CMOS on-chip current reference circit for memory, operational amplifiers, comparators, and data converters is proposed. The reference current is almost independent of temeprature and power-supply variations. In the proposed circuit, the current component with a positive temeprature coefficient cancels that with a negative temperature coefficient each other. While conventional curretn and voltage reference circuits require BiCMOS or bipolar process, the presented circuit can be integrated on a single chip with other digiral and analog circits using a standard CMOS process and an extra mask is not needed. The prototype is fabricated employing th esamsung 1.0um p-well double-poly double-metal CMOS process and the chip area is 300um${\times}$135 um. The proposed reference current circuit shows the temperature coefficient of 380 ppm/.deg. C with the temperature changes form 30$^{\circ}C$ to 80$^{\circ}C$, and the output variation of $\pm$ 1.4% with the supply voltage changes from 4.5 V to 5.5 V.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.14
no.9
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pp.726-730
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2001
Temperature stabilities of dielectric constraints and resonant frequencies of the substrates are very important in piezoelectric ceramics oscillators and filters. In this study, it was investigated temperature stability of the length-extensional vibration mode of Pb(Zr$\_$y/Ti$\_$1-y/)O$_3$+x[wt%]Cr$_2$O$_3$ ceramics. The mode can be utilized in fabricating ultra-small 455 kHz IF devices. Addition of Cr$_2$O$_3$ in morphotrophic phase PZT decreased the variations of dielectric constant, electro-mechanical coupling factor k$\_$31/ and resonant frequency by thermal shock. As additive weight of Cr$_2$O$_3$increased, the temperature coefficient of resonant frequency changed from positive number to negative one. And the composition tith temperature coefficient of resonant frequency was shifted to the one with increased Cr$_2$O$_3$ additive weigh by thermal aging.
This dissertation is about the development of $BaTiO_3$-type PTC(Positive Temperature Coefficient) thermistor by composition method. A multilayer-type PTC samples were fabricated under optimal conditions after setting the experimental composition equation as ($Ba_{0.95-x}$S $r_{0.05}$$Ca_{x}$ )$TiO_3$-$0.01TiO_2$-$0.01SiO_2$-$\alpha$$MnCO_3$-$\beta$N $b_2$$O_{5}$.) and their testing results were analyzed. The optimal sin-tering and cooling temperatures were 13$50^{\circ}C$ for two hours and $100^{\circ}C$/h for an hour, respectively; By composing Ca and Mn, dopants to lower the resistivity at room temperature, and Nb, a dopant to raise peak resistivity(Ca:5 mol%, Mn:0.08 mol%, Nb:0.18 mol%), appropriately, a PTC thermistor, having the characteristics of relatively low resistivity at room temperature and high peak resistivity and a good temperature coefficient, has been developed. And we find that it is possible of application for fire detection sensor.r.r.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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