PMMA와 본질적으로 비상용성인 PB에 MMA를 그라프트 중합시켜서 이를 PMMA와 블렌드하여 그라프트율 변화에 따른 내충격성, 인장강도, haze 변화 및 상용성변화를 SEM, DSC, Instrone 등을 통하여 관찰하였다. Poly(butadlene-g-MMA)의 그라프트율이 증가함에 따라서, MMA 그라프트로 인한 PMMA와의 상용성의 증가에 의하여 PMMA-poly(butadlene-g-MMA) 블렌드의 인장강도, 내충격성 및 투명성 등이 그라프트하지 않은 PB-PMMA 블렌드에 비하여 향상되는 결과를 나타내었다. 반면에, 투명성은 PMMA 단독수지에 비해서는 다소 떨어지는 결과를 나타내었다.
Kim, Geon-Seok;Kang, Min-Sung;Choi, Mi-Ju;Kwon, Yong-Ku;Lee, Kwang-Hee
Macromolecular Research
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제17권10호
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pp.757-762
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2009
The micro domain structures and crystallization behavior of the binary blends of poly(methyl methacrylate)-b-poly(pentafluorostyrene)-b-poly(methyl methacrylate) (PMMA-PPFS-PMMA) triblock copolymer with a low molecular weight poly(vinylidene fluoride) (PVDF) were investigated by small-angle X-ray scattering (SAXS), small-angle light scattering (SALS), transmission electron microscopy (TEM), optical microscopy, and differential scanning calorimetry (DSC). A symmetric, PMMA-PPFS-PMMA triblock copolymer with a PPFS weight fraction of 33% was blended with PVDF in N,N-dimethylacetamide (DMAc). In the wide range of PVDF concentration between 10.0 and 30.0 wt%, PVDF was completely incorporated within the PMMA micro domains of PMMA-PPFS-PMMA without further phase separation on a micrometer scale. The addition of PVDF altered the phase morphology of PMMA-PPFS-PMMA from well-defined lamellar to disordered. The crystallization of PVDF significantly disturbed the domain structure of PMMA-PPFS-PMMA in the blends, resulting in a poorly-ordered morphology. PVDF displayed unique crystallization behavior as a result of the space constraints imposed by the domain structure of PMMA-PPFS-PMMA. The pre-existing microdomain structures restricted the lamellar orientation and favored a random arrangement of lamellar crystallites.
에어로졸데포지션법을 이용하여 집적화 기판을 위한 $Al_2O_3$-PMMA 복합체 후막을 상온에서 구리 기판 위 에 제조하였다. XRD, FT-IR 분석을 통해 코팅된 막은 $Al_2O_3$와 PMMA의 혼합물로 존재함을 확인하였으며 성막 중 $Al_2O_3$. PMMA의 상호작용과 PMMA 파우더의 거동에 대한 분석을 통해 $Al_2O_3$-PMMA 복할체 후막의 성막 양상을 확인할 수 있었다. 또한 기판 거칠기에 따라 초기 계면의 양상이 달라질 수 있음을 확인하였고 이러한 초기 계면의 상태가 $Al_2O_3$-PMMA 복합체 후막의 제조에 있어 매우 중요함을 알 수 있었다. 본 연구에서는 에어로졸데포지션법을 이용한 $Al_2O_3$-PMMA 복합체 후막의 성막 양상을 통해 세라믹-폴리머 복합체의 제조에 있어서의 주요 변수들을 알아보고 $Al_2O_3$-PMMA 복합체 후막의 전기적인 특성을 확인하였다.
본 연구는 리튬 이차전지용 고분자 전해질 복합재료에 관한 것으로, 고분자는 poly(ethylene oxide)(PEO)와 poly(methyl methacrylate) (PMMA) 블렌드를 사용하고, 용매로는 Ethylene carbonate(EC), 그리고 $LiClO_4$를 리튬염으로 하는 전해질 복합체 필름을 제조하였으며, PMMA의 함유량에 따른 고분자 전해질의 전기화학적 특성을 관찰하였다. 제조된 고분자 전해질의 결정화도와 이온전도도는 시차주사열량계(DSC)와 주파수반응분석기(FRA)로 분석하였다. 그 결과 PMMA의 함량을 증가시킴에 따라서, PEO의 결정 영역이 감소하고 이온전도도가 증가하였다. 또한, PMMA의 함량이 20 wt.% 이상인 경우, 고분자 블렌드필름에서 상분리되는 현상을 관찰하였다. 즉, SEM 분석결과에 의해서, PMMA 주성분 영역과 PEO 주성분 영역의 구분이 가능하였다. 고분자 전해질의 이온전도도는 20 wt.% 첨가한 경우 가장 큰 이온전도도를 가지며, 함유량이 20 wt.% 이상에서는 PMMA 상의 증가로 인해 다소 감소된 이온전도도 변화를 나타내었다.
PMMA has been extensively adopted in Nano Imprint Lithography(NIL). PMMA nano-structures experience severe mechanical load and deformation during NIL process, and understanding its mechanical behavior is very important in designing and optimizing NIL process. One of the most promising techniques for characterizing the mechanical behavior of nano structures is nano pillar compression test. In this study, the mechanical behaviors of PMMA pillars during compression test are analyzed using Molecular Dynamics. Two methods for simulation of PMMA nano pillars are proposed. The stress-strain relationship of nano-scale PMMA structure is obtained based on CVFF(Covalent Valence Force Fields) potential and the dependency of the applied strain rate on the stress-strain relationship is analyzed. The obtained stress-strain relationships can be useful in simulating nano-scale PMMA structures using Finite Element Method(FEM) and understanding the experimental results obtained by compression test of PMMA nano pillars.
한국자원리싸이클링학회 2005년도 추계정기총회 및 제26회 학술발표대회 고분자리싸이클링기술 특별심포지엄
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pp.360-367
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2005
PMMA는 우수한 물성으로 인하여 각종 소재 및 건축자재로 널리 활용되고있다. PMMA는 열 분해시 모노머 단위가 일정하게 이탈하는 unzip reaction을 나타내어 모노머로의 회수가 용이한 특징을 가지고있다. PMMA를 열분해하여 MMA를 회수하기 위한 기초연구로써 본 연구에서 TGA를 이용한 열분해특성을 조사하였다.
6FDA를 포함한 다양한 폴리이미드/MWCNT의 전도성 복합 필름을 제조하기 위하여 MWCNT 표면에 PMMA를 도입하여 복합필름을 제조하였으며 전기 전도성의 변화를 PMMA-g-MWCNT의 농도 변화에 따라 관찰하였다. 6FDA계 폴리이미드계 복합 필름 내의 MWCNT 분산성은 PMMA-g-MWCNT의 경우 분자간의 상호 인력으로 인하여 분산도가 표면 처리하지 않은 MWCNT에 비하여 매우 높음을 확인하였다. 전기 전도도의 거동은 percolation threshold를 통하여 해석하였으며 그 결과 높은 임계 지수와 낮은 임계 농도를 가지는 6FDA-6FpDA/ PMMA-g-MWCNT 복합체가 DABA(diamino benzoic acid)를 포함한 폴리이미드 복합체에 비하여 높은 분산도를 가짐을 확인하였다.
Poly (methyl methacrylate) (PMMA) is one of the promising representive of polymer gate dielectric for its high resistivity and sutible dielectric constant. PMMA (Mw=96700) films were prepared on p-Si by spin coating method. PMMA were coated compactively and flatly as observeed by AFM. MIS(Al/PMMA/p-Si) structure was made and capacitance-voltage (C-V) and current-voltage (I-V) measurements were done with PMMA films for different thermal treatment temperature. PMMA films were showed proper dielectric constant and breakdown voltage. Above the glass transition temperature PMMA films degraded. C-V measured at various frequencies, dielectric constant increased a little. The absence of hysteresis in the C-V characteristics, which eliminate the possibility of mobile charges in the PMMA films. The observed thermal stability, smooth surfaces, dielectric constant, I-V behavior implies PMMA formed by spin coating can be used as an efficient gate dielectric layer in OTFTs.
Hot embossing 공정을 이용하여 광도파로 소자를 제조하기 위하여 polymethylmeth-acrylate (PMMA)와 polyvinylidenefluoride (PVDF)를 용융 혼합하여 물리적 성질과 광학적 특성을 조사하였다. PMMA/PVDF 혼합물의 유리전이온도 ($T_g$)는 PVDF의 함량이 증가할수록 감소하였다. 하지만 PVDF의 결정은 관찰되지 않았다. PMMA와 비교적 적은 양인 PVDF간의 분자수준의 상호작용에 기인하는 혼화성에 의하여 $T_g$는 감소하고 PVDF의 결정화를 방해하여 무정형성을 유지하는 것으로 판단되었다. PMMA/PVDF 혼합물의 전단점도는 PMMA와 PVDF 사이에서 나타나며 PMMA와 PVDF 사이의 상용성에 의해 PVDF의 함량이 증가할수록 감소하였다. PVDF의 함량이 증가할수록 불소분자의 첨가에 의한 분자의 분극률이 저하되어 혼합물의 굴절률과 흡수손실은 감소하고 투과율은 증가하였다.
In this study, we developed the solution-processed PMMA-$HfO_x$ hybrid ReRAM devices to overcome the respective drawbacks of organic and inorganic materials. The performances of PMMA-$HfO_x$ hybrid ReRAM were compared to those of PMMA- and $HfO_x$-based ReRAMs. Bipolar resistive switching behavior was observed from these ReRAMs. The PMMA-$HfO_x$ hybrid ReRAMs showed a larger operation voltage margin and memory window than PMMA-based and $HfO_x$-based ReRAMs. The reliability and electrical instability of ReRAMs were remarkably improved by blending the $HfO_x$ into PMMA. An Ohmic conduction path was commonly generated in the LRS (low resistance state). In HRS (high resistance state), the PMMA-based ReRAM showed SCLC (space charge limited conduction). the PMMA-$HfO_x$ hybrid ReRAM and $HfO_x$-based ReRAM revealed the Pool-Frenkel conduction. As a result of flexibility test, serious defects were generated in $HfO_x$ film deposited on PI (polyimide) substrate. On the other hand, the PMMA and PMMA-$HfO_x$ films showed an excellent flexibility without defect generation.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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