Sung-Min Kim;Woon-Young Lee;Jiyong Park;Sang-Yul Lee
Journal of the Korean institute of surface engineering
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v.56
no.6
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pp.386-392
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2023
In this work, we describe the reduction kinetics of gold nanoparticles synthesized by plasma discharge in aqueous solutions with varied voltages and precursor (HAuCl4) concentrations. The reduction rate of [AuCl4]- was determined by introducing NaBr to the gold colloidal solution synthesized by plasma discharge, serving as a catalyst in the reduction process. We observed that [AuCl4]- was completely reduced when its characteristic absorption peak at 380 nm disappeared, indicating the absence of [AuCl4]- for ligand exchange with NaBr. The reduction rate notably increased with the rise in discharge voltage, attributable to the intensified plasma generated by ionization and excitation, which in turn accelerated the reduction kinetics. Regarding precursor concentration, a lower concentration was found to retard the reduction reaction, significantly influencing the reduction kinetics due to the presence of active H+ and H radicals. Therefore, the production of strong plasma with high plasma density was observed to enhance the reduction kinetics, as evidenced by optical emission spectroscopy.
In the present study, an original spark plasma sintering-reactive synthesis (SPS-RS) method for minerallike ceramic materials based on SrAl2Si2O8 feldspar-like skeleton structure was used for the first time, promising solid-state matrices for reliable immobilization of high-energy 90Sr. The method is based on the "in-situ" reaction of a mixture of SrO, Al2O3 and SiO2 oxides when heated by a unipolar pulsed current under compacting pressure. The phase and elemental composition structure were studied. The dynamics of the consolidation of the reaction mixture of oxides was studied in the range of 900-1200 ℃. The study found the temperature of the high-speed (minutes) SPS-RS formation of single-phase SrAl2Si2O8 composition ceramic in the absence of intermediate reaction products with a relative density of up to 99.2% and compressive strength up to 145 MPa and a strontium leaching rate of 10-4g/cm2·day.
In this study, in order to investigate how consecutive treatments of glass surface with HF acid and water vapor/Ar plasma affect the quality of 3-aminopropyltriethoxysilane self-assembled monolayer (APS-SAM), poly(3,4-ethylenedioxythiophene) (PEDOT) thin films were vapor phase-polymerized immediately after spin coating of FeCl3 and poly-urethane diol-mixed oxidant solution on the monolayer surfaces prepared at various treatment conditions. For the film characterization, various poweful tools were used, e.g., FE-SEM, an optical microscope, four point probe, and a contact angle analyzer. The characterization revealed that HF treatment is not desirable for the synthesis of a high quality PEDOT thin film via vapor phase polymerization method. Rather, sole treatment with plasma noticeably improved the quality of APS-SAM on glass surface. As a result, a highly dense and smooth PEDOT thin film was grown on uniform oxidant film-coated APS monolayer surface.
Gallium nitride (GaN) nanoparticles are synthesized by the gallium particle trapping effect in a $N_2$ nonthermal plasma with metallic Ga vapor. A proposed method has an advantage of synthesized GaN nanoparticle purity because the gallium vapor from the inductively heated tungsten boat does not contain any impurity source. The synthesized particle size can be controlled by the amount of Ga vapor, which is adjusted using the plasma emission ratio of nitrogen to gallium, owing to the particle trapping effect. The synthesized nanoparticles are investigated by electron microscopy studies. High-resolution transmission electron microscopy (HRTEM) studies confirm that the synthesized GaN nanoparticles (10-40 nm) crystallize in a single-phase wurtzite structure. Room-temperature photoluminescence (PL) measurements indicate the band-edge emission of GaN at around 378 nm without yellow emission, which implies that the synthesized GaN nanoparticles have high crystallinity.
Diamond thin films were synthesised from the mixed gases of $CH_4$ and $H_2$ on silicon substrate by R.F plasma CVD and films deposited were investigated by SEM. XRD and Raman spectroscope. From these result, cubo-octahedral diamond particles were synthesised under the following condition: methane concentration. 1.0vol% ; pressure of reactor, 0.3torr ; R.F power, 500W ; reaction time, 20hr.
Two polymeric prodrugs of PGE1 (prodrugs IVg and PNg) were newly synthesized. The drug conjugation proceeded in quantitative yield without decomposition of PGE1 to PGA1. With two types conjugates, PEG-PGE1 and PN-PGE1 with different spacer groups, we first discovered a possibility of slow release of PGE1 in blood circulatory system. PGE1 is conjugated with PEG and PN through the long alkylene spacers, and their availability as polymeric prodrugs is evaluated. Their drug-releasing behavior was examined both in phosphate buffer (pH=7.4) and rat plasma. Each prodrug was known to be highly stabile in the buffer solution. The drug-releasing rate became much faster in rat plasma than in the buffer solution due to the acceleration by the plasma enzymes. The drug-release was found to reach a plateau in rat plasma because the released PGE1 or its derivatives may be captured or decomposed by the plasma proteins. The slower drug-releasing rate of pro drug PNg in rat plasma is reasonably attributed to the molecular aggregation due to the hydrophobic bonding between the PGE1 moieties and spacers.
Al-doped ZnO (AZO) thin films were synthesized on Si(100) wafers via plasma enhanced metal organic chemical vapor deposition (PE-MOCVD) method using diethyl zinc (DEZ) and N-methylpyrrolidine alane (MPA) as precursors. Effects of Al/Zn mixing ratio, plasma power on the surface morphology, crystal structure, and electrical property were investigated with SEM, XRD and 4-point probe measurement respectively. Growth rate of the film decreased slightly with increasing the Al/Zn mixing ratio, however electrical property was enhanced and resistivity of the film decreased greatly about 2 orders from $9.5{\times}10^{-1}$ to $8.0{\times}10^{-3}{\Omega}cm$ when the Al/Zn mixing ratio varied from 0 to 9 mol%. XRD analysis showed that the grain size increased with increasing the Al/Zn mixing ratio. Growth rate and electrical property were enhanced in a mild plasma condition. Resistivity of AZO film decreased down to $7.0{\times}10^{-4}{\Omega}cm$ at an indirect plasma of 100 W condition which was enough value to use for the transparent conducting oxide (TCO) material.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2014.02a
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pp.259.1-259.1
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2014
Recently non-thermal plasma has been frequently applied to various research fields. The liquid plasma have received much attention lately because of interests in surgical and nanomaterial synthesis applications. Especially, intensive researches have been carried out for non-thermal plasma in liquid by using various electrode configurations and power supplies. We have developed a bioplasma source which could be used in a liquid, in which outer insulator has been covered onto the outer electrode. Also we have also put an insulator between the inner and outer electrode. Based on the surface discharge mode, the nonthermal bioplasma has been generated inside a liquid by using an alternating current voltage generator with peak voltage of 12 kV under driving frequency of 22 KHz. Here the discharge voltage and current have been measured for electrical characteristics. Especially, We have measured discharge and optical characteristics under various liquids of deionized (DI) water, tap water, and saline by using monochromator. We have also observed nitric oxide (NO), hydrogen peroxide (H2O2), and hydroxyl (OH) radical species by optical emission spectroscopy during the operation of bioplasma discharge inside various kinds of DI water, tap water, and saline. Here the temperature has been kept to be $40^{\circ}C$ or less when discharge in liquid has been operated in this experiment. Also we have measured plasma temperature by high speed camera image and density by using either H-alpha or H-beta Stark broadening method.
Carbon coils could be synthesized using $C_2H_2/H_2$ as source gases and $SF_6$ as an incorporated additive gas under thermal chemical vapor deposition system. The Ni layer on the $SiO_2$ substrate was used as a catalyst for the formation of the carbon coils. The characteristics (formation densities, morphologies, and geometries) of the as-grown carbon coils on the substrate with or without the $H_2$ plasma pretreatment process were investigated. By the relatively short time (1 minute) $H_2$ plasma pretreatment on the Ni catalyst layered-substrate prior to the carbon coils synthesis reaction, the dominant formation of the carbon microcoils on the substrate could be achieved. After the relatively long time (30 minutes) $H_2$ plasma pretreatment process, on the other hand, we could obtain the noble-shaped geometrical nanostructures, namely the formation of the numerous carbon nanocoils along the growth of the carbon microcoils. This noble-shaped geometrical nanostructure seemed to play a promising role as the good catalyst support for holding the very tiny Ni catalyst grains.
The iron silicide films were prepared by chemical vapor deposition method using rf-plasma in variations of substrate temperature. rf-power, and ratio of $SiH_4$ and Fe-precursor. While iron silicide films are generally grown by ion beam synthesis (IBS) method of multi-step process, it is confirmed that iron silicide or $\beta$-phase consolidated $Fe_aSi_bC_cH_d$ was formed by one-step process in this study. The characteristics of films is variable because the different amounts of carbon and hydrogen was involved in the films as a function of dilute ratio of Fe-precursors and silane. It was shown that the different characteristics of films in carbon and hydrogen following the ratio of Fe-precursor and silane. The optical gap energy of films fabricated according to substrate temperature was invariant because active site brought in desorption of hydrogen was limiled. When rf-power was above 240 watt, the optical gap energy turned out to have high values because of dangling bonds increased by etching.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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