• 제목/요약/키워드: plasma polymerized styrene

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Organic Thin Film Transistors with Gate Dielectrics of Plasma Polymerized Styrene and Vinyl Acetate Thin Films

  • Lim, Jae-Sung;Shin, Paik-Kyun;Lee, Boong-Joo
    • Transactions on Electrical and Electronic Materials
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    • 제16권2호
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    • pp.95-98
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    • 2015
  • Organic polymer dielectric thin films of styrene and vinyl acetate were prepared by the plasma polymerization deposition technique and applied for the fabrication of an organic thin film transistor device. The structural properties of the plasma polymerized thin films were characterized by Fourier-transform infrared spectroscopy, X-ray diffraction, atomic force microscopy, and contact angle measurement. Investigation of the electrical properties of the plasma polymerized thin films was carried out by capacitance-voltage and current-voltage measurements. The organic thin film transistor device with gate dielectric of the plasma polymerized thin film revealed a low operation voltage of −10V and a low threshold voltage of −3V. It was confirmed that plasma polymerized thin films of styrene and vinyl acetate could be applied to functional organic thin film transistor devices as the gate dielectric.

플라즈마중합 스티렌 박막의 e-beam 레지스트 특성에 관한 연구 (A study on the E-beam resist characteristics of plasma polymerized styrene)

  • 이덕출;박종관
    • E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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    • 제7권5호
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    • pp.425-429
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    • 1994
  • In this paper, we study on the plasma polymerized styrene as a negative electron-beam resist. Plasma polymerized thin film was prepared using an interelectrode inductively coupled gas-flow type reactor. We show that polymerization parameters of thin film affect sensitivity and etching resistance of the resist. Molecular weight distribution of plasma polymerized styrene is 1.41-3.93, and deposition rates of that are 32-383[.angs./min] with discharge power. Swelling and etching resistance becomes . more improved with increasing discharge power during plasma polymerization. Etch rate by RIE is higher than that by plasma etching.

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Organic Field Effect Transistor Based Memory Device With Plasma Polymerized Styrene Thin Film as Polymer Electret

  • 김희성;이붕주;정건수;신백균
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2013년도 제45회 하계 정기학술대회 초록집
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    • pp.195.2-195.2
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    • 2013
  • 플라즈마 중합 증착기술을 이용하여 ppMMA (plasma polymerized methyl methacrylate) 및 ppS (plasma polymerized styrene) 박막을 제작하고, ppMMA를 게이트 절연층, polymer electret인 ppS를 메모리층으로 한 전계효과트랜지스터 기반 유기 메모리 소자를 제작하였다. 메모리층인 ppS의 두께를 각각 30, 60, 90 nm로 달리한 유기 메모리 소자가 C-V 및 I-V 특성에서 나타내는 히스테리시스 현상을 분석하여 메모리 특성을 평가했으며, 메모리층의 두께 변화에 따른 유기 메모리 소자의 성능을 비교분석하였다.

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플라즈마 중합된 Styrene 박막을 터널링층으로 활용한 부동게이트형 유기메모리 소자 (Floating Gate Organic Memory Device with Plasma Polymerized Styrene Thin Film as the Memory Layer)

  • 김희성;이붕주;이선우;신백균
    • 한국진공학회지
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    • 제22권3호
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    • pp.131-137
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    • 2013
  • 본 연구에서는 유기소자의 절연박막을 습식 공정이 아닌 건식 공정인 플라즈마 중합법을 이용하여 Styrene 유기물을 사용하여 절연박막을 제작하였다. 안정적인 플라즈마 형성을 위해 버블러와 써큐레이터를 활용하여 정량적인 모노머 주입을 가능하게 하였다. 본 연구에서는 플라즈마 중합된 Styrene 박막을 30, 60 nm 터널링층으로 활용하였고, Styrene 절연층의 두께를 430 nm, Au 메모리층의 두께를 7 nm, 활성층의 두께를 40 nm, 소스와 드레인 전극의 두께를 50 nm로 유기 메모리 소자를 제작하여 특성을 평가하였다. 40/-40 V의 double sweep시 45 V의 히스테리시스 전압을 얻을 수 있었고, 이는 MMA를 터널링층으로 활용한 유기 메모리 소자의 히스테리시스 전압이 27 V인 것과 비교하였을 때 60% 상승한 효과로 히스테리시스 전압이 18 V 이상 높은 결과이다. 이와 같은 결과로부터 플라즈마 중합된 Styrene 유기 박막의 높은 전하 포집 특성을 활용하여 전체층을 유기 재료로 제작한 유연한 메모리 소자의 응용 가능성을 기대한다.

내전극 정전 결합형 플라즈마 중합 장치에 의한 유기 박막의 작성 (A preparation of organic thin films by capacitive coupled plasma polymerization method)

  • 김종택;박구범;이덕출;윤문수
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 1990년도 추계학술대회 논문집
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    • pp.45-46
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    • 1990
  • In this study, we fabricated Plasma polymerized styrene thin films which used a new capacitive type apparatus. RE Power supply (13.56 MHz) was used and styrene monomer was adopted. After the preparation of thin films the molecular structure of Plasma polymerized styrene films was analyzed by some analyses as IR, FT-IR, Gas chromatography and so on.

플라즈마중합법에 의한 폴리스티렌의 분자구조 제에 및 레지스트 특성 조사 (Resist characteristics and molecular structure control of polystyrene by plasma polymerization method)

  • 박종관;김영봉;김보열;임응춘;이덕출
    • 대한전기학회논문지
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    • 제45권3호
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    • pp.438-443
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    • 1996
  • The effect of plasma polymerization conditions on the structure of the plasma polymerized styrene were investigated by using Fourier Transform Infrared Ray(FT-IR), Differential Scanning Calorimetry (DSC), Gel Permeation Chromatography(GPC). Plasma polymerized thin film was prepared using an interelectrode inductively coupled gas-flow-type reactor. We show that polymerization parameters of thin film affect sensitivity and etching resistance of plasma polymerized styrene is 1.41~3.93, and deposition rate of that are 32~383[.angs./min] with discharge power. Swelling and etching resistance becomes more improved with increasing discharge power during plasma polymerization. (author). 11 refs., 10 figs., 1 tab.

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플라즈마 중합된 Styrene을 유기박막으로 사용한 하이브리드형 OLED 봉지기술 (Plasma-polymerized Styrene Prganic thin Film as Hybrid OLEDs Encapsulation)

  • 정건수;이붕주;신백균
    • 전기학회논문지
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    • 제63권10호
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    • pp.1412-1416
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    • 2014
  • We report thin-film organic moisture barriers based on polystyrene(PS) laminates deposition by PECVD for an encapsulation of OLEDs. The organic polystyrene thin-film has the benzene ring structure and high hydrophobic characteristics and it was polymerized by PECVD in dry process. Life time properties of Ca test were obtained 32 minutes at the RF 100W process conditions. From the AFM test, the roughness of multi-layer thin-film was more excellent rather than that of a single-layer thin-film. In addition, 5 layers of the multi-layer film properties were obtained 45 minutes. So that the optical and electrical properties were not affected with these plasma polymerized organic thin-film encapsulation. For life time improvement, the inorganic $Al_2O_3$ thin-film were deposited 5nm using ALD atomic layer deposition. The WVTR(Water Vaper Transmission Rate) value of hybrid thin-film encapsulation in the optimum process conditions was resulted by less than $10-3g/m^2/day$. From the results of experiment, plasma polymerized hybrid encapsulation was suggested as the flexible display applications.

새로운 반응장치를 이용한 기능성 플라즈마 중합막의 제작 (Formation of the functional plasma ploymerized thin films by a new type reactor)

  • 김종택;이상희;박종관;박구범;이덕출
    • 한국진공학회지
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    • 제7권1호
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    • pp.72-76
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    • 1998
  • 본 연구에서는 방전내에서 활성화된 라디칼의 반응을 촉진시키는 플라즈마중합을 통하여 기능성 유기박막을 합성하기 위해 새로운 형태의 유동가스형 반응장치를 개발하였 다. 중합을 위해서 스티렌 모노머를 사용하였으며 분자구조와 분자량 분포에 대한 분석을 행하였다. 제작된 플라즈마중합막은 우수한 성능의 전자빔 레지스트로서 평가되었다. 새로운 플라즈마 반응장치를 이용하여 제작된 박막의 감도는 습식공정에 의해 제작된 레지스트의 감도에 비해서 향상되었으며 깨끗한 패턴이 성공적으로 제작되었다.

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유기박막트랜지스터 응용을 위해 플라즈마 중합된 Styrene 게이트 절연박막 (Plasma Polymerized Styrene for Gate Insulator Application to Pentacene-capacitor)

  • 황명환;손영도;우인성;바산바트호약;임재성;신백균
    • 한국진공학회지
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    • 제20권5호
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    • pp.327-332
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    • 2011
  • ITO가 코팅된 유리 기판 위에 플라즈마 중합법으로 styrene 고분자 박막을 제작하고 상부 전극을 진공 열증착법으로 제작된 Au 박막으로 한 MIM (metal-insulator-metal) 소자를 제작하였다. 또한, 플라즈마 중합된 styrene 고분자 박막을 유기 절연박막으로 하고 진공열증착법으로 pentacene 유기반도체 박막을 제작하여 유기 MIS (metal-insulator-semiconductor) 소자를 제작하였다. 플라즈마 중합법으로 제작된 styrene (ppS; plasma polymerized styrene) 고분자 박막은 styrene 단량체(모노머) 고유의 특성을 유지하면서 고분자 박막을 형성함을 확인하였으며, 통상적인 중합법으로 제작된 고분자 박막 대비 k=3.7의 높은 유전상수 값을 보였다. MIM 및 MIS 소자의 I-V 및 C-V 측정을 통하여 ppS 고분자 박막은 전계강도 $1MVcm^{-1}$에서 전류밀도 $1{\times}10^{-8}Acm^{-2}$ 수준의 낮은 누설전류를 보이고 히스테리시스가 거의 없는 우수한 절연체 박막임이 판명되었다. 결과적으로 유기박막 트랜지스터 및 유기 메모리 등 플렉서블 유기전자소자용 절연체 박막으로의 응용이 기대된다.

$CO_2$케리어 가스가 플라즈마 종합막에 미치는 영향 (The Influence of $CO_2$ Gas in Plasma Polymerized thin films)

  • 박찬복;김종택;박구범;이덕출;박상현
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 1990년도 추계학술대회 논문집
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    • pp.105-107
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    • 1990
  • In this study, we prepared plasma polymerized thin films as changing the composition rate of the Ar/CO$_2$, 0 to 100%, for analysing the influence of CO$_2$ gas in plasma polymerization. Power source was the RF frequence (13.56MHz), the monomers were styrene and MMA (Methyl-methacrylate), and substrates were glass and KBr(or NaCl) for IR spectroscopy. The molecular structure of plasma polymerized organic thin films was examined by IR, FT-IR, Gas chromatography and so forth.