The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers C
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v.55
no.1
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pp.30-33
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2006
Transparent indium tin oxide (ITO) anode surface was modified using $O_3$ Plasma and organic ultrathin buffer layers were deposited on the ITO surface using 13.56 MHz RF plasma polymerization technique. The EL efficiency, operating voltage and lifetime of the organic light-emitting device (OLED) were investigated in order to study the effect of the plasma surface treatment and role of plasma polymerized organic ultrathin buffer layer. Poly methylmethacrylate (PMMA) layers were plasma polymerized on the ITO anode as buffer layer between anode and hole transport layer (HTL). The plasma polymerization of the organic ultrathin layer were carried out at a homemade capacitive-coupled RF plasma equipment. N,N'-diphenyl-N,N'(3- methylphenyl)-1,1'-diphenyl-4,4'-diamine (TPD) as HTL, Tris(8-hydroxyquinolinato) Aluminum $(Alq_3)$ as both emitting layer (EML)/electron transport layer (ETL), and aluminum layer as cathode were deposited using thermal evaporation technique. Effects of the plasma surface treatment of ITO and plasma polymerized buffer layers on the OLED performance were discussed.
Non-thermal atmospheric-pressure plasma, also named cold plasma, is defined as a partly ionized gas. Therefore, it cannot be equated with plasma from blood; it is not biological in nature. Non-thermal atmospheric-pressure plasma is a new innovative approach in medicine not only for the treatment of wounds, but with a wide-range of other applications, as e.g. topical treatment of other skin diseases with microbial involvement or treatment of cancer diseases. This review emphasizes plasma effects on wound healing. Non-thermal atmospheric-pressure plasma can support wound healing by its antiseptic effects, by stimulation of proliferation and migration of wound relating skin cells, by activation or inhibition of integrin receptors on the cell surface or by its pro-angiogenic effect. We summarize the effects of plasma on eukaryotic cells, especially on keratinocytes in terms of viability, proliferation, DNA, adhesion molecules and angiogenesis together with the role of reactive oxygen species and other components of plasma. The outcome of first clinical trials regarding wound healing is pointed out.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2016.02a
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pp.195.1-195.1
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2016
Currently, as Plasma application is expanded to the industrial and medical industrial, low temperature plasma applications became important. Especially in medical and biology, many researchers have studied about generated radical species in atmospheric pressure low temperature plasma directly adapted to human body. Therefore, so measurement their plasma parameter is very important work and is widely studied all around world. One of the plasma parameters is electron density and it is closely relative to radical production through the plasma source. some kinds of method to measuring the electron density are Thomson scattering spectroscopy and Millimeter-wave transmission measurement. But most methods have very expensive cost and complex configuration to composed of experiment system. We selected Michelson interferometer system which is very cheap and simple to setting up, so we tried to measuring electron density by laser interferometer with laser beam chopping module for measurement of temporal phase difference in plasma jet. To measuring electron density at atmospheric pressure Ar plasma jet, we obtained the temporal phase shift signal of interferometer. Phase difference of interferometer can occur because of change by refractive index of electron density in plasma jet. The electron density was able to estimate with this phase difference values by using physical formula about refractive index change of external electromagnetic wave in plasma. Our guiding laser used Helium-Neon laser of the centered wavelength of 632 nm. We installed chopper module which can make a 4kHz pulse laser signal at the laser front side. In this experiment, we obtained more exact synchronized phase difference between with and without plasma jet than reported data at last year. Especially, we found the phase difference between time range of discharge current. Electron density is changed from Townsend discharge's electron bombardment, so we observed the phase difference phenomenon and calculated the temporal electron density by using phase shift. In our result, we suggest that the electron density have approximately range between 1014~ 1015 cm-3 in atmospheric pressure Ar plasma jet.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2015.08a
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pp.136.2-136.2
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2015
반도체 제조는 chip의 성능 향상 및 단가 하락을 위해 지속적으로 pattern size가 nano size로 감소해 왔고, capacitor 용량은 증가해 왔다. 이러한 현상은 contact hole의 aspect ratio를 지속적으로 증가시킨바, 그에 따라 최적의 HARC (high aspect ratio contact)을 확보하는 적합한 dry etch process가 필수적이다. 그러나 HARC dry etch process는 많은 critical plasma properties 에 의존하는 매우 복잡한 공정이다. 따라서, critical plasma properties를 적절히 조절하여 higher aspect ratio, higher etch selectivity, tighter critical dimension control, lower P2ID과 같은 plasma characteristics을 확보하는 것이 요구된다. 현재 critical plasma properties를 제어하기 위해 다양한 plasma etching 방법이 연구 되어왔다. 이 중 plasma를 낮은 kHz의 frequency에서 on/off 하는 pulsed plasma etching technique은 nanoscale semiconductor material의 etch 특성을 효과적으로 향상 시킬 수 있다. 따라서 본 실험에서는 dual-frequency capacitive coupled plasma (DF-CCP)을 사용하여 plasma operation 동안 duty ratio와 pulse frequency와 같은 pulse parameters를 적용하여 plasma의 특성을 각각 제어함으로써 etch selectivity와 uniformity를 향상 시키고자 하였다. Selective SiO2 contact etching을 위해 top electrode에는 60 MHz pulsed RF source power를, bottom electrode에는 2MHz pulse plasma를 인가하여 synchronously pulsed dual-frequency capacitive coupled plasma (DF-CCP)에서의 plasma 특성과 dual pulsed plasma의 sync. pulsing duty ratio의 영향에 따른 etching 특성 등을 연구 진행하였다. 또한 emissive probe를 통해 전자온도, OES를 통한 radical 분석으로 critical Plasma properties를 분석하였고 SEM을 통한 etch 특성분석과 XPS를 통한 표면분석도 함께 진행하였다. 그 결과 60%의 source duty percentage와 50%의 bias duty percentage에서 가장 향상된 etch 특성을 얻을 수 있었다.
Kim, Jong-Gyu;Min, Gyeong-Seok;Kim, Chan-Gyu;Nam, Seok-U;Gang, Ho-Gyu;Yeom, Geun-Yeong
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2012.02a
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pp.460-460
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2012
반도체 Device가 Shrink 함에 따라 Pattern Size가 작아지게 되고, 이로 인해 Photo Resist 물질 자체만으로는 원하는 Patterning 물질들을 Plasma Etching 하기가 어려워지고 있다. 이로 인해 Photoresist를 대체할 Hard Mask 개념이 도입되었으며, 이 Hardmask Layer 중 Amorphous Carbon Layer 가 가장 널리 사용되고 지고 있다. 이 Amorphous Carbon 계열의 Hardmask를 Etching 하기 위해서 기본적으로 O2 Plasma가 사용되는데, 이 O2 Plasma 내의 Oxygen Species들이 가지는 등 방성 Diffusion 특성으로 인해, 원하고자 하는 미세 Pattern의 Vertical Profile을 얻는데 많은 어려움이 있어왔다. 이를 Control 하기 인해 O2 Plasma Parameter들의 변화 및 Source/Bias Power 등의 변수가 연구되어 왔으며, 이와 다른 접근으로, N2 및 CO, CO2, SO2 등의 여러 Additive Gas 들의 첨가를 통해 미세 Pattern의 Profile을 개선하고, Plasma Etching 특성을 개선하는 연구가 같이 진행되어져 왔다. 본 논문에서 VLSI Device의 Masking Layer로 사용되는, Carbon 계 유기 층의 Plasma 식각 특성에 대한 연구를 진행하였다. Plasma Etchant로 사용되는 O2 Plasma에 새로운 첨가제 가스인 카르보닐 황화물 (COS) Gas를 추가하였을 시 나타나는 Plasma 내의 변화를 Plasma Parameter 및 IR 및 XPS, OES 분석을 통하여 규명하고, 이로 인한 Etch Rate 및 Plasma Potential에 대해 비교 분석하였다. COS Gas를 정량적으로 추가할 시, Plasma의 변화 및 이로 인해 얻어지는 Pattern에서의 Etchant Species들의 변화를 통해 Profile의 변화를 Mechanism 적으로 규명할 수 있었으며, 이로 인해 기존의 O2 Plasma를 통해 얻어진 Vertical Profile 대비, COS Additive Gas를 추가하였을 경우, Pattern Profile 변화가 개선됨을 최종적으로 확인 할 수 있었다.
Ion cyclotron range of frequency (ICRF) heating system is an important auxiliary heating method in the experimental Advanced Superconducting Tokamak (EAST). In EAST, several megawatts of power are transmitted with coaxial transmission lines and coupled to the plasma. For the long pulse and high power operation of the ICRF waves heating system, it is very important to effectively control the power and initial phase of the ICRF signals. In this paper, a power and phase feedback control system is described based on field programmable gate array (FPGA) devices, which can realize complicated algorithms with the advantages of fast running and high reliability. The transmitted power and antenna phase are measured by a power and phase detector and digitized. The power and phase feedback control algorithms is designed to achieve the target power and antenna phase. The power feedback control system was tested on a dummy load and during plasma experiments. Test results confirm that the feedback control system can precisely control ICRF power and antenna phase and is robust during plasma variations.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2016.02a
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pp.198.2-198.2
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2016
Reactive oxygen and nitrogen species (RONS) can be generated by using non-thermal atmospheric pressure plasma jet which have profound biomedical applications [1, 2]. In this work, reactive oxygen species like hydroxyl radical (OH) are generated by using non-thermal direct plasma jet above water surface using Ar gas and their properties have been studied using ultraviolet absorption spectroscopy. OH radicals are found to be generated simultaneously with the discharge current with concentration of $2.7{\times}1015/cm3$ at 7mm above water surface while their persistence time have been measured to be $2.8{\mu}S$. In addition, it has been shown that plasma initiated ultraviolets play a major role to generate RONS inside water. Further works are going on to measure the temporal behavior of OH and $O2^*-$.
Hong, Seong In;Ghimire, B.;Hong, Young Jun;Choi, Eun Ha
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2015.08a
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pp.155.1-155.1
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2015
Nowadays, Plasma has been used in biological, medical such as wound healing, plant grow, killing cancer. When plasma generated, UV light and ROS(Reactive oxygen species), RNS(Reactive nitrogen species) can generated and those things effect to biological material. So we made simple plasma device using needle type of electrode and generated plasma. We used three kinds of gas and measured applied voltage and current. Also we observed optical emission spectrum. Using deuterium ramp, we can observed absorption spectrum and calculated radical density by lambert-beer's law. It is around ~1016cm3. And we can see the time-resolved absorption spectrum from monochromator, PMT(photo multiply tube), IV-converter, oscilloscope.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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