We investigated the effect of self-assembled BSO nano-defects as pinning centers in BSO-added GdBCO films when the thicknesses of films were varied. 3.5 vol. % BSO-added GdBCO films with varying thicknesses from 200 nm to 1000 nm were deposited on $SrTiO_3$ (STO) substrate by using pulsed laser deposition (PLD) process. For the films with thicknesses of 400 nm and 600 nm, 'anomaly shoulders' in $J_c-H$ characteristic curves were observed near the matching field. The anomaly shoulders appeared in the field dependence of $J_c$ may be attributed to the existence of double pinning mechanisms in thin films. The fit to the pinning force density as a function of reduced field h ($H/H_{irr}$) using the Dew-Hughes' scaling law shows that both the 400 nm- and the 600 nm-thick films have double pinning mechanisms while the other films have a single pinning mechanism. These results indicate that the self-assembled property of BSO result in different role as pinning centers with different thickness.
Proceedings of the Korean Magnestics Society Conference
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2013.12a
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pp.139-140
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2013
We investigate effect of a point defect on the pinning potential for a perpendicular magnetic domain wall based on the NEB method. We find that this method can give a reasonable value for the pinning potential and allows us to study the effect of various geometrical and magnetic properties on the pinning potential. In the presentation, we will discuss the effect of Ku and wire width on the pinning potential in detail.
Addition of $BaSnO_3$ (BSO) to $GdBa_2Cu_3O_{7-{\delta}}$ (GdBCO) is reported to enhance the flux pinning property of GdBCO thick films. To investigate the effect of growth condition on the pinning properties, 700 nm-thick BSO-added GdBCO films deposited with varying temperatures and growth rates were prepared by using a pulsed laser deposition method. As the deposition temperature increases, the critical current density and the pinning force density show an improved field dependence up to $750^{\circ}C$ due to the increase in the formation of the a-axis growth and the BSO nanostructures. The films deposited at higher temperatures show degraded surfaces and as a result, degraded pinning behaviors. For the change in growth rate, the critical current density and the pinning force increase as the repetition rate increase at low magnetic fields, but this behavior is reversed in high magnetic fields. These results indicate that the film growth conditions significantly affect the formation of BSO nanostructures and the pinning properties of BSO-added GdBCO films.
The pinning method is the traditional method to produce strawberry transplants. But, cultivating the pinning transplant is a labor-intensive operation and needs a long labor period. The cutting method has been considered as an effective alternative to the pinning method, due to the relatively short labor period and works time. This study was conducted to investigate the labor period, work time, and growth between pinning and cutting methods for strawberry transplants. The 'Maehyang' strawberry was cultivated at each pinning and cutting strawberry greenhouses. The time for special works on pinning method (pinning work, elimination of mother plant, and division of daughter plant), and cutting method (cutting collection, pretreatment before storage, and cutting work) were measured. The pinning method needed 6 tasks (planting of mother plant, maintaining of mother plant, pinning work, maintaining of daughter plant, elimination of mother plant, and division of daughter plant) for 158 days, and cutting method needed 4 tasks (collection and storage of cutting, cutting work, misting, and maintaining of transplants) for 113 days to cultivate transplants for fruit. And pinning method needed more work time than the cutting method. There was no significant difference between the growth of pinning and cutting transplants. These results showed that the cutting method saved more labor period, work time than pinning during the nursery period without losing transplant quality.
An analytical pinning-voltage model of a pinned photodiode has been proposed and derived. The pinning-voltage is calculated using doping profiles based on shallow- and exponential-junction approximations. Therefore, the derived pinning-voltage model is analytically expressed in terms of the process parameters of the implantation. Good agreement between the proposed model and simulated results has been obtained. Consequently, the proposed model can be used to predict the pinning-voltage and related performance of a pinned photodiode in a CMOS active pixel sensor.
Kim, D.H.;Kim, H.Y.;Hwang, T.J.;Lee, S.H.;Seong, W.K.;Kang, W.N.
Progress in Superconductivity
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v.9
no.2
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pp.173-176
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2008
[ $MgB_2$ ] films grown by hybrid physical chemical vapor deposition under appropriate growth conditions commonly exhibit columnar grain structure. The grain boundaries between adjacent columnar grains have been reported to be good flux pinning centers. In this work, we measured the angular dependence of critical current density ($J_c$) and observed the enhanced flux pinning when an external magnetic field was aligned parallel to the columnar direction. This $J_c$ was almost comparable to the $J_c$ for intrinsic pinning case up to 1 T at low temperatures, indicating that grain boundary pinning is very effective. At high fields, however, $J_c$ decreased rapidly resulting from the fact that the density of flux pinning centers provided by grain boundaries was outnumbered by the flux density.
The pinning direction, the spin flop behaviors and the magnetoresistive properties in top synthetic spin valve structure [NiFe/CoFe/Cu/CoFe (t$_{p2}$)/Ru/CoFe (t$_{p1}$)/IrMn] were investigated. The magnetoresistive and pinning characteristics of synthetic spin valves strongly depended on the differences in the two pinning layer thickness, ${\Delta}t(=t_{p2}-t_{p1})$. In contrast to the conventional spin valves, the pinning direction (P1) was canted off with respect to the growth field axis with ${\Delta}t$. We found that the canting angle ${\Phi}$ had different values according to the annealing field direction and ${\Delta}t$. When the samples were annealed at above the blocking temperature of IrMn with zero fields, the canted pinned layer could be set along the growth field axis. Because the easy axis which was induced by the growth field during deposition is still active in all ferromagnetic layers except the IrMn at $250{^{\circ}C}$, the pinning direction could be aligned along the growth field axis, even in 0 field annealing.
The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers C
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v.55
no.4
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pp.209-212
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2006
The electromagnetic effect observed in a BiSrCaCuO superconductor was studied. The electromagnetic properties of a $Ag_2O$ doped BiSrCaCuO superconductor and an undoped superconductor were evaluated to investigate the contribution of the pinning effect. It was confirmed experimentally that a large amount of magnetic flux was trapped in the $Ag_2O$ doped BiSrCaCuO than that in the undoped one, indicating that the pinning centers of magnetic flux are related closely to the occurrence mechanism of magnetic phenomena. It was considered that by adding $Ag_2O$, the area where normal conduction takes place increases and the magnetic flux penetrating through the sample increases. It also was considered that $Ag_2O$ acts to increase pinning centers of magnetic flux.
Experimental evidence suggests that spin pinning conditions for standing spin mode in polycrystalline $Ni_{84}Fe_{16}$ alloy film, is confirmed using the four categories of Camley et al. and the value of q$\bot$ for the pinning conditions, this was achieved by performing Brillouin light scattering measurements. The value of q$\bot$ was observed, in order to increase at a rate of $\pi$/2 with an increasing mode number. With this condition, the coexistence of standing spin wave modes was shown, with intermediate pinning, in addition to free and strong pinning. The values for spin-wave-stiffness constant ($D_B$), g-factor (g), and surface magnetization (4$\pi$M) of the Permalloy film were obtained from the results of BLS, and determined to be $D_B=1.85{\pm}0.05Oecm^2$, $g=2.11{\pm}0.02$, and 4$\pi$M=8.7 kG, respectively.
Journal of the Korean Society for Aeronautical & Space Sciences
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v.41
no.8
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pp.613-618
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2013
In this paper a new concept on z-pinning technology named by authors as 'z-pinning patch' will be introduced, which advantage is easy application at manufacturing site of composite structures. Using the trial manufactured z-pinning patch, the z-pinned composite single-lap shear joint specimens were successfully manufactured and tested to check the improvement of joint strengths. The z-pin's material is stainless steel and its surface was machined as zagged shape and chemically corroded to improve joint force with composite materials.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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