• 청정기술
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• 제17권4호
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• pp.300-305
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• 2011

고농도 이온 주입되어 경화된 포토레지스트(HDI PR)를 효과적으로 제거하기 위해 초임계 이산화탄소와 여러 가지 공용매를 사용하였다. 공용매에 의한 용해 방식으로는 경화된 PR층이 완벽하게 제거되지 않기 때문에 고압셀에 초음파 발생 팁을 부착하여 웨이퍼 표면에 물리적인 힘을 제공함으로서 제거 성능을 높이고 제거시간을 단축할 수 있었다. 또한, HDI PR 제거 반응 후에 초임계 이산화탄소와 서로 섞이지 않는 헬륨 가스를 셀 내부에 주입하여 내용물을 배출함으로서, PR 제거 반응 잔여물을 빠른 시간에 제거할 수 있었다. 공용매의 종류 및 농도, 반응 온도, 압력 변화에 따른 HDI PR 제거 특성을 조사하였으며, 웨이퍼 표면의 반응 전 후의 상태 및 성분을 scanning electron microscopy과 energy dispersive X-ray spectrometer를 이용하여 분석하였다.

• 반도체디스플레이기술학회지
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• 제16권2호
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• pp.55-60
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• 2017

The supercritical $CO_2$ (sc-$CO_2$) mixture and the sc-$CO_2$-based Photoresist(PR) stripping(SCPS) process were applied to the removal of the post etch/ash PR residue on aluminum patterned wafers and the results were observed by scanning of electron microscope(SEM). In the case of MDII wafers, the carbonized PR was able to be effectively removed without pre-stripping by oxygen plasma ashing by using sc-$CO_2$ mixture containing the optimum formulated additives at the proper pressure and temperature, and the same result was also able to be obtained in the case of HDII wafer. It was found that the efficiency of SCPS of ion implanted wafer improved as the temperature of SCPS was high, so a very large amount of MEA in the sc-$CO_2$ mixture could be reduced if the temperature could be increased at condition that a process permits, and the ion implanted photoresist(IIP) on the wafer was able to be removed completely without pre-treatment of plasma ashing by using the only 1 step SCPS process. By using SCPS process, PR polymers formed on sidewalls of metal conductive layers such as aluminum films, titanium and titanium nitride films by dry etching and ashing processes were removed effectively with the minimization of the corrosion of the metal conductive layers.

• 청정기술
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• 제13권4호
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• pp.257-265
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• 2007

반도체 공정에서 배출되는 폐 포토레지스트 스트리퍼(photoresist stripper)의 주성분인 NMP (N-methy-pyrrolodione)와 BDG (Butyldiglyrcol)를 회수하여 재활용할 목적으로 나선형 스핀밴드시스템(spinning band stem)이 장착되어 있는 진공증류장치를 이용하여 실험실적 규모의 증류실험을 수행하였다. 정제된 NMP와 BDG의 순도는 포토레지스트 스트리퍼용 용제 기준 물성치인 순도 99.5% 이상이었고, 수분 1000 ppm 이하, 색도(APHA) 50 이하, 나트륨 성분을 제외한 대부분의 금속성분은 1 ppb 이하로 반도체용 스트리퍼 용액 제조에 재활용할 수 있는 수준임을 확인하였다. NMP와 BDG의 회수을은 PR스트리퍼 폐액 A 타입의 경우 NMP 96%, BDG 53%, B 타입의 경우 NMP 93%, BDG 57%이었다.

• 한국산학기술학회:학술대회논문집
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• 한국산학기술학회 2002년도 추계학술발표논문집
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• pp.238-242
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• 2002

본 논문에서는 3차원 마이크로구조물을 위한 새로운 Thick Photoresist(TPR) 공정 기술을 개발하였다. 일반적으로 Thin Photoresist는 얇은 두께로 코팅을 할 수 있다. 그러나 SU-8과 같은 TRP은 몇 십 ㎛ 또는 그 이상으로 코팅이 가능하고 높은 종횡비를 얻을 수 있다. SU-8과 같은 TPR을 사용하여 마이크로구조물을 제작할 때 TPR의 crack들은 bake시의 갑작스런 tool down에 의한 stress에 의해 나타나는데, 이러한 crack들은 마이크로구조물의 도금을 어렵게 만든다. 본 논문에서는 TPR의 코팅, baking 시간 조절, cool down과 PEB(Post Expose Sake) 시간 조절을 통하여 stress에 의해 발생되는 crack이 없는 3차원 마이크로구조물을 제작할 수 있는 새로운 공정 기술을 개발하였다.

• 한국정밀공학회:학술대회논문집
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• 한국정밀공학회 2003년도 추계학술대회 논문요약집
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• pp.141-141
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• 2003

• 한국광학회:학술대회논문집
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• 한국광학회 1991년도 광학 및 양자전자학 워크샵
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• pp.109-114
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• 1991

좋은(sub=micron) 분해능을 갖는 Photoresist film의 방법에 의한 Micro-Lithography의 발달은 반도체, Electro-Optic 등의 첨단산업에 큰 기여를 하였다. 본 내용은 이러한 PR을 이용한 Lithography System의 광학적인 원리에 대해 소개하고자 한다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2006년도 추계학술대회 논문집 Vol.19
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• pp.95-96
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• 2006

CMOS Image Sensor(CIS) 소자에서 광감도의 향상과 천연색 형성을 위하여 적용하고 있는 Color-Filter 공정에서 국부적으로 발생하는 strip성 불량과 막질손상을 제거하기 위한 연구를 진행하였다. 우선 지역적 경향성을 보이는 불량에 대해서는 PR strip process type을 액조 진행방식에서 회전식으로 변경했을 때 제거됨을 확인하였고, 막질손상을 최소화하기 위해서는 새로운 유기용매의 적용이 필요하였다. 실험 결과, 케톤기를 가지는 화합물과 Polar Apotic 용매의 혼합화합물을 적용하였을 때 각 막질에 attack을 최소화하면서 원하는 PR만 선택적으로 제거 되며 미세잔류성분에 대한 제거력도 향상됨을 확인하였다.

• 한국생산제조학회지
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• 제25권4호
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• pp.281-289
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• 2016

Agitation is a secondary process used to increase the PR stripping force on an ITO-glass surface; it is an efficient approach to stripping during production. It activates the stripper to chemically penetrate the PR layer and assists by breaking down the physical bonding forces at the surface. In this study, different stripping tests were conducted by varying the dipping time, the composition, the strip temperature, and the stripper concentration. Optimal PR strip conditions were estimated by using comparative visual inspection of stripped sample surfaces. The stripping process was affected by changes in the moving speeds and the sample positions. It was confirmed that the stripping capability improved at a dilute stripper ratio of 20-40% and a strip temperature of $30-40^{\circ}C$ and within 60 s of strip time.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1998년도 하계학술대회 논문집 G
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• pp.2541-2543
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• 1998

This paper describes the fabrication process to fabricate metallic structure of high aspect ratio using LlGA-like process. SU-8 is used as an electroplating mold. SU-8 is an epoxy-based photoresist, designed for ultrathick PR structure with single layer coating [1,2]. We can get more than $100{\mu}m$ thick layer by single coating with conventional spin coater, and applying multiple coating can make thicker layers. In the experiments, we used different kinds of SU-8, having different viscosity. To optimize the conditions for mold fabrication process, experiments are performed varying spinning time and speed, soft-bake, develop and PEB (Post Expose Bake) condition. With the optimized condition, minimum line and space of $3{\mu}m$ pattern with a thickness of $40{\mu}m$ and $4{\mu}m$ pattern with a thickness of $130{\mu}m$ were obtained. Using the patterned PR as a plating mold, metallic structure was fabricated by electroplating. We have fabricated a electroplated nickel comb actuator using SU-8 as plating mold. The thickness of PR mold is $45{\mu}m$ and that of plated nickel is$40{\mu}m$. Minimum line of the mold is $5{\mu}m$. Patterned metallic layer or polymer layer, which has selectivity with the structural plated metallic layer, can be used as sacrificial layer for fabrication of free-standing structure.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제46권10호
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• pp.25-30
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• 2009

오존을 이용하여 PR 박리에 사용된 에틸렌 카보네이트계 박리 세정제를 재이용할 수 있는 기술에 대하여 연구함으로써 향후 고성능-저가격의 반도체, LCD 제조에서의 PR 박리 및 세정 공정에 적용할 수 있는 핵심 공정기술을 확보하였다. 이 기술을 적용하면 반도체 웨이퍼 및 LCD 평판의 PR 박리 세정을 보다 빠르고 저렴한 비용으로 수행할 수 있으므로 반도체 및 LCD 제작공정의 생산성을 향상시킬 수 있다.