• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2005년도 International Meeting on Information Displayvol.II
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• pp.1386-1389
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• 2005

We report the light illumination effect on the performance of pentacene organic thin-film transistor (OTFT). The TFT performance with and without illumination were measured at various temperatures. The off-state currents increase linearly with light intensity in the region of gate voltage where the holes are majority carriers in the TFT channel. The minimum photocurrents of OTFT increase with increasing light intensity.

• 한국세라믹학회지
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• 제22권3호
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• pp.19-24
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• 1985

The phtoelectrochemical porperties of $Nb_2O_5$, $Sb_2O_3$ and $V_2O_5$ doped and pure $SrTiO_3$ ceramic electodes were investigated. Shapes of I-V and I-λ characteristics of the pure $SrTiO_3$ ceramic electrode are similar to those of SrTiO3 single crystal electorde ; the anodic current strats at -0.9V (vs. Ag/AgCI) in 1 N-NaOH aqueous solution and the photoresponse appears at a wavelength of about 390nm and the quantum efficiency is about 3.5% at wavelength of 390nm under 0.5V vs. Ag/AgCl. Photocurrents of $Nb_2O_5$, $Sb_2O_3$ and $V_2O_5$ doped electrodes and $V_2O_5$ doped ceramic electrode appears at wavelength of 390nm and 500nm respectively.

• 대한전기학회논문지
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• 제35권8호
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• pp.316-322
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• 1986

In this paper, the photodoping effect on the interface of Ag-amorphous As2S3 thin film has been investigated by measuring the resistance change of the Ag layer, the absorption coefficient of the As2S3, the optical density of As2S3 layer and the short-circuit photocurrents under light irradiation. As the experimental results, the photodissolution rate and the photodiffusion rate depends on the magnitude of photon energy absorbed in the As2S3. The sensitivity limit of the photodissolution rate at Ag layer was about 630[nm] and the sensitivity limit of the photodiffusion rate at the Ag-As2S3 interface was about 680[nm]. Also, it was found that the depth of photodiffusion was proportional to the square root of exposing time.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제12권1호
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• pp.13-17
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• 1991

The preparation and characterization of semiconductive electrodes of MgO doped $Fe_2O_3$ were investigated. Pellets of MgO doped $Fe_2O_3$ were sintered at high temperatures between 1300$^{\circ}$C and 1400$^{\circ}$C and quenched rapidly in distilled water. The surfaces were analyzed by X-ray diffraction and scanning Auger electron spectroscopy. The surfaces of pellets contained both corundum structure ($Fe_2O_3$) and spinel structure ($Mg_xFe_{3-x}O_4$). Electrodes made of this material gave comparable anodic and cathodic photocurrents under illumination. The cathodic and anodic photocurrent on these photoelectrodes were verified high at 5-10 wt. percent that is critical doping amounts.

• 한국수소및신에너지학회논문집
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• 제11권3호
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• pp.119-125
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• 2000

가시광선을 이용하여 수용액 상태의 황화수소부터 수소를 제조하기 위해 사용되는 CdS 입자막전극의 광효율 개선과 광안정성 향상을 위해 막전극을 표면처리하였다. CdS 입자막 전극에 사용되는 CdS 입자는 $Cd{NO_3}{\cdot}9H_2O$와 $Na_2S{\cdot}4H_2O$의 혼합 침전법에 의해 제조하였다. 입자 결정상을 제어하기 위해 고압반응기에서 온도를 바꿔가며 12시간 동안 수열처리하였다. 이렇게 제조된 CdS 졸을 이용하여 캐스팅법으로 막전극을 제조하였으며, $TiCl_4$ 수용액을 사용하여 후처리 하였다. CdS 입자의 결정상은 XRD pattern으로 확인하였고, 평균 일차입자크기는 XRD pattern과 Scherrer 식에 의해 계산하였다. 입자 형상과 막 표면 형태는 SEM으로 관찰하였다. 수소 발생은 Xe램프가 장착된 연속흐름 광반응 장치를 이용하여 광전기화학적 방법과 광화학적 방법으로 각각 측정하였다. $TiCl_4$로 표면처리한 막전극의 광전류는 처리하지 않았을 때 보다 평균 2배가량 증가한 $4.0mA/cm^2$ 정도를 나타내었다. 수소발생량도 $2.4{\times}10^4mol/hr$ 정도로서 처리하지 않았을 때 보다 크게 증가하였다.

• 대한화학회지
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• 제37권2호
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• pp.213-219
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• 1993

들뜬 rhodamine B로부터 박막반도체 $SnO_2$의 전도띠로 주입되는 광전류를 여러 가지의 초감응체가 존재하는 용액에서 시간에 따라 조사하였다. ascorbic acid를 초감응체로 쓰면 그것의 농도, 용액의 pH, 그리고 $SnO_2$에 걸어주는 전위 등이 증가함에 따라 광전류가 대체로 증가하였으나, 전위가 노팡짐에 따라 암전류도 증가하였다. 반면에 KI를 초감응제로 사용하면 낮지만 비교적 안정한 전류를 보여주었다. 용매효과를 포함하여 이들 광감응전류를 증가시키는 원인을 규명해 보았다.

• 한국결정성장학회지
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• 제18권4호
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• pp.165-168
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• 2008

동시스퍼터법을 이용하여 Ta이 도핑된 $TiO_2$ 박막을 석영 및 ITO 기판위에 제작하였다. Ta의 도핑량은 동시스퍼터법에 의하여 조절되는 Ta 금속선 길이에 의하여 제어 되었다. Ta이 도핑된 $TiO_2$ 박막은 rutile상에서 anatase상으로 구조변화를 유발 시키며 고용체를 형성했다. Ta의 도핑량이 증가함에 따라 rutile상 보다는 anatase상이 많은 것으로 나타났다. XPS 분석에 따르면 도핑된 Ta은 금속이 아닌 $Ta_2O_5$의 산화물을 형성하는 것으로 나타났다. Ta이 도핑된 $TiO_2$ 전극에서는 자외선(UV) 영역을 포함하여 가시광(VIS) 영역의 빛의 조사에 광전류응답 특성을 발현하였다. 가시광선 영역에서 발현된 광전류 응답 특성은 Ta 도핑에 의하여 $TiO_2$ 밴드갭내에 불순물 준위의 형성에 기인한 것으로 사료된다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2004년도 하계학술대회 논문집 Vol.5 No.2
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• pp.861-864
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• 2004

본 연구에서는 Ta이 도핑된 $TiO_2$와 $Au/TiO_2$ nanocomposite 박막을 co-sputtering법으로 제작하였다. Ta-doped $TiO_2$ 박막은 금흥석(rutile)에서 아나타제 상으로 변하는 구조를 유도하는 고용체를 형성했다. $Au/TiO_2$ nanocomposite film의 경우에는, 지름이 약 15 nm인 Au particles들이 $TiO_2$ matrix에 균질하게 분포되었다. Ta가 도핑된 $TiO_2$ 전극과 $Au/TiO_2$ 나노 콤포사이트 전극의 anodic photocurrents가 UV뿐만 아니라 가시광선 영역에서도 관찰되었다. Ta이 도핑된 $TiO_2$ 전극과 $Au/TiO_2$ 나노 콤포사이트 사이의 가시광선 영역에서 photoresponse는 계면 상태로 부터의 bandgap의 감소와 전자의 photoexcitation 때문이다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2008년도 추계학술대회 논문집 Vol.21
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• pp.121-121
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• 2008

We propose a novel nanomaterial-based pn diode which constructed with an n-type ZnO nanowire (NW) and a p-type HgTe nanoparticle (NP) thin film. The photo current characteristics of a ZnO NW, a HgTe NP thin film and pn diode constructed with a ZnO NW and a HgTe NP thin film were investigated under illumination of the 325 nm and 633 nm wavelength light. The conductivities of a ZnO NW exposed to the 325 nm and 633 nm wavelength light increased, while the photocurrents taken from the HgTe NP thin film was very close to the dark currents. Moreover, The pn diode exhibited the rectifying characteristics of the dark current and of the photocurrent excited by the 633 nm wavelength light. In contrast, the ohmic characteristics for the photocurrent were observed due to the junction barrier lowering in the conduction band of the ZnO nanowire under the illumination of the 325 nm wavelength light.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.134.2-134.2
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• 2014

Photonic crystal solar cells have the potential for addressing the disparate length scales in polymer photovoltaic materials, thereby confronting the major challenge in solar cell technology: efficiency. One must achieve simultaneously an efficient absorption of photons with effective carrier extraction. Unfortunately the two processes have opposing requirements. Efficient absorption of light calls for thicker PV active layers whereas carrier transport always benefits from thinner ones, and this dichotomy is at the heart of an efficiency/cost conundrum that has kept solar energy expensive relative to fossil fuels. This dichotomy persists over the entire solar spectrum but increasingly so near a semiconductor's band edge where absorption is weak. We report a 2-D, photonic crystal morphology that enhances the efficiency of organic photovoltaic cells relative to conventional planar cells. The morphology is developed by patterning an organic photoactive bulk heterojunction blend of Poly(3-(2-methyl-2-hexylcarboxylate) thiophene-co-thiophene) and PCBM via PRINT, a nano-embossing method that lends itself to large area fabrication of nanostructures. The photonic crystal cell morphology increases photocurrents generally, and particularly through the excitation of resonant modes near the band edge of the organic PV material. The device performance of the photonic crystal cell showed a nearly doubled increase in efficiency relative to conventional planar cell designs. Photonic crystals can also enhance performance of other optoelectronic devices including organic laser.