Xerographic properties of double-layer photoconductor doped with 4-butyl-4'-methoxyazobenzene (BMAB) as charge-carrier transport material were investigated. BMAB can undergo reversible trans-cis isomerization by light with appropriate wavelength. In the results of measured surface voltage properties for photoconductor doped with BMAB, TNF: BMAB(4-wt%) sample with trans form showed the lowest dark decay, the lowest residual voltage, and the highest sensitivity among cis form. The trans isomer of BMAB has ordering orientation because the molecule possesses a rodlike shape, while the cis isomer has random orientation due to its bent shape. Therefore the molecular arrangement of trans form enhanced charge-carrier transport mobility.
In this paper, we dealt with a partial discharge(PD) measurement system that has been accepted as an effective and non-destructive technique for estimating reliabilities of low-voltage electrical and electronic components. Calibration tests on laboratory set-up have shown that the PD measurement system has a stable sensitivity of 37.6 mv/pC. In an application test on photo coupler, we could detect 0.1 pC level of partial discharge at the applied voltage of AC 520 $V_{peak}$.
This paper presents an experimental study on the prebreakdown characteristics in $SF_6/N_2$ mixtures under non-uniform electric fields when subjected to the positive and negative lightning impulse voltages. $SF_6/N_2$ mixtures have a merit of an environmental aspect and cost reduction, and safty aspects. In order to analyze the prebreakdown processes in $SF_6/N_2$ mixtures stressed by impulse voltages, prebreakdown current and light were observed by a shunt with high sensitivity and a photo-multiplier tube, respectively. Additionally, characteristics of luminous events in flashovers were discussed.
In this paper, highly-efficient optical gating in a junction device based on vanadium dioxide($VO_2$) thin film grown by a sol-gel method was investigated as a gate terminal of a three-terminal device using infrared light with a wavelength of ~1554.6 nm. Due to the photoinduced phase transition, the threshold voltage of the $VO_2$ junction device, at which the device current abruptly jumps, could be tuned with a sensitivity of ~96.5 V/W by adjusting the optical power of the infrared light directly illuminating the device. Compared with the tuning efficiency of the previous device fabricated using $VO_2$ thin film deposited by a pulsed laser deposition method, the threshold voltage of this device could be tuned by ~76.8 % at an illumination power of ~39.8 mW resulting in a tuning efficiency of ~1.930 %/mW, which is ~4.9 times larger than the previous device.
Poly(p-anol-formaldehyde) cinnamates(AGEFCs) were synthesized to prepare a photo-sensitive polymer which enabled to be photodimerized via 6-center reaction. The photocharacteristics of the mixture of the AGEFCs and a sensitizer after exposure to light was tested. The yield of the residual film, which was closely related to the sensitivity of the film, was affected by the degree of polymerization of the backbone resin, sensitizers and their concentration. AGEFC-3 revealed a good photosensitive effect such as about 73% yield of residual film at 128 min. of exposed time.
This paper presents a new type of optical silicon accelerometer using deep reactive ion etching (DRIE) and micro-stereolithography technology. Optical silicon accelerometer is based on a mass suspended by four vertical beams. A vertical shutter at the end of the mass can only moves along the sensing axis in the optical path between two single-mode optical fibers. The shutter modulates intensity of light from a laser diode reaching a photo detector. With the DRIE technique for (100) silicon, it is possible to etch a vertical shutter and beam. This ensures low sensitivity to accelerations that are not along the sensing axis. The microstructure for sensor packaging and optical fiber fixing was fabricated using micro stereolithography technology. Designed sensors are two types and each resonant frequency is about 15 kHz and 5 kHz.
본 논문은 광 도움 전기화학적 식각으로 나노갭 트렌치 구조를 형성하고 이를 이용해서 정전 용량형 가속도 센서를 설계하고 제작한 것에 대한 연구이다. 정전 용량형 가속도 센서의 감도를 증가시키기 위해 스프링에 연결된 관성질량과 연결된 전극과 감지전극 사이의 간격을 좁혀 커패시턴스의 변화량을 증가시키고 있다. 이를 실현시키기 위해 광-도움 전기화학적 식각을 이용하였고 ANSYS 프로그램을 이용하여 구조해석을 실시하여 $1mm{\times}mm$ 크기의 초소형 정전 용량형 가속도 센서를 설계하였다. 광-도움 전기화학적 식각의 실험 변수인 빛의 세기, dc 전압, 용액의 조성, 피치 등을 고려하여 가속도 센서는 제작 되었다. 최적 공정 조건은 dc전압 2V, Blue LED 20mA, 49wt%HF:DMF:D.I.Water=1:20:10, 피치 $20{\mu}m$이며, 폭 344nm, 깊이 $11.627{\mu}m$의 나노갭 트렌치가 형성되었다.
International Journal of Aeronautical and Space Sciences
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제17권1호
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pp.37-44
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2016
Optical fiber temperature sensing systems have incomparable advantages over traditional electrical-cable-based monitoring systems. However, the fiber optic interrogators and sensors have often been rejected as a temperature monitoring technology in real-world industrial applications because of high cost and over-specification. This study proposes a multiplexed fiber optic temperature monitoring sensor system using an economical Optical Time-Domain Reflectometer (OTDR) and Hard-Polymer-Clad Fiber (HPCF). HPCF is a special optical fiber in which a hard polymer cladding made of fluoroacrylate acts as a protective coating for an inner silica core. An OTDR is an optical loss measurement system that provides optical loss and event distance measurement in real time. A temperature sensor array with the five sensor nodes at 10-m interval was economically and quickly made by locally stripping HPCF clad through photo-thermal and photo-chemical processes using a continuous/pulse hybrid-mode laser. The exposed cores created backscattering signals in the OTDR attenuation trace. It was demonstrated that the backscattering peaks were independently sensitive to temperature variation. Since the 1.5-mm-long exposed core showed a 5-m-wide backscattering peak, the OTDR with a spatial resolution of 40 mm allows for making a sensor node at every 5 m for independent multiplexing. The performance of the sensor node included an operating range of up to $120^{\circ}C$, a resolution of $0.59^{\circ}C$, and a temperature sensitivity of $-0.00967dB/^{\circ}C$. Temperature monitoring errors in the environment tests stood at $0.76^{\circ}C$ and $0.36^{\circ}C$ under the temperature variation of the unstrapped fiber region and the vibration of the sensor node. The small sensitivities to the environment and the economic feasibility of the highly multiplexed HPCF temperature monitoring sensor system will be important advantages for use as system-integrated temperature sensors.
본 논문에서는 광섬유 브래그 격자의 공정조건 변화에 따른 $Co^{60}$ 감마방사선 영향을 연구하였다. 광섬유 브래그 격자는 붕소가 첨가된 광민감 광섬유를 이용하여 UV KrF 레이저 세기를 달리하여 제작하였으며, 제작된 광섬유 브래그 격자 센서에 총 선량 33.8 kGy 감마선을 조사하였다. 실험결과를 통하여, 격자 공정을 위한 UV 레이저 세기가 광섬유 브래그 격자의 방사선 민감도에 큰 영향을 줄 수 있다는 것을 확인하였으며, 레이저 공정조건 변화에 따른 방사선에 의한 광섬유 브래그 파장의 변화는 30 % 이상의 차이를 보였다.
가시광 무선 통신은 반도체로 제조된 LED (light emitted diode)의 발광을 제어하여 데이터를 송신하고, 수광 소자인 PD (photo diode)를 통하여 데이터를 수신하는 차세대 무선통신 기술이다. 가시광 무선 통신 시스템의 전송 능력은 LED의 발광 세기, PD의 수신 감도, 송수신기 간의 거리 및 송수신기가 이루는 수신각에 의해 결정된다. 특히, 수신기의 수직적 및 수평적 이동에 따라 송수신기가 거리와 수신각의 변화가 발생하고, 이러한 변화는 수신기의 수신 감도에 영향을 주어 시스템의 전송 능력이 저하될 수 있다. 이에 본 논문에서는 실내 가시광 무선 통신 시스템에서 LED AP (access point)의 통신 영역 내 수신 광도에 따른 위치별 수신 광도 특성화 곡선과 주기적으로 측정된 단말기의 수신 광도 변화를 비교하는 특징을 가진 단말기의 위치와 수신각 추정 알고리즘을 제안한다. 제안 알고리즘에 대한 성능 분석을 위해 모의실험을 수행하였고, 그 결과 수신 광도 정보를 이용한 위치 및 수신각 추정이 가시광 무선통신 시스템의 성능을 향상 시킬 수 있음을 확인하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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