• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1998년도 추계학술대회 논문집
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• pp.45-48
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• 1998

A BaTiO$_3$ was annexed to SrTiO$_3$, (x)BaTiO$_3$-(1-x)SrTiO$_3$ (0.7$\leq$X$\leq$1) ceramics with stable dielectric and electrical properties in high voltage were manufactured. Structural, dielectric and electrical properties were surveyed with the contents of SrTiO$_3$. The open porosity and sintering density were excellent in 0.9BaTiO$_3$-0.1SrTiO$_3$, the grain size of 0.9BaTiO$_3$-0.1SrTiO$_3$ was maximum at 12.40[${\mu}{\textrm}{m}$]. Increasing SrTiO$_3$ mol ratio, the curie temperature was shifted low temperature and the supreme permittivity was increased. In line with increasing of supplied voltage, permitivity was decreased slightly.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2001년도 춘계학술대회 논문집 반도체재료
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• pp.42-45
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• 2001

The high permittivity are applied to DRAM and FRAM. (Ba,Sr)$TiO_3$ (EST) thin films were prepared by Sol-Gel method. BST solution was made and spin-coated on $Pt/SiO_2/Si$ substrate at 4000 [rpm] for 10 seconds in a time coating. Coated specimens were dried at $90[^{\circ}C]$ for 5 minutes. Coating process was repeated from 3 times to 5 times and then sintered at $750[^{\circ}C]$ for 30 minutes. Each specimen was analyzed structure and electrical characteristics. Thickness of BST ceramics thin films are about 2600-2800[$\AA$] in 3 times. Dielectric constant of thin films was little decreased at 1[KHz]~1[MHz]. Dielectric constant and loss to frequency were 250 and 0.02 in BST3. The property of leakage current was stable When the applied voltage was 0~3[V] Leakage current was $10^{9}\sim10^{11}$[A] at 0~3[V].

• 한국세라믹학회지
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• 제28권4호
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• pp.261-268
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• 1991

The dielectric properties and microstructure of SrTiO3-based grain boundary layer (GBL) capacitor were investigated, and SrTiO3 GBL capacitor was made by penetrating the Frit (PbO-Bi2O3-B2O3 system). The Nb2O5-doped SrTiO3 ceramics were fired for 4-hours, at 145$0^{\circ}C$ in H2-N2 atomsphere to get semiconductive ceramics. The grain size of SrTiO3 sintered at reduction atmosphere had increased as the amount of Nb2O5 increases and then decreased as the amount of Nb2O5 exceeded 0.2 mole%. Insulating reagents which contained PbO-Bi2O3-B2O3 system frit and oxide mixture were printed on the each semiconductive ceramics and fired at varying temperature and for different holding time. The optimum dielectric properties could be obtained by second heat treatment at 110$0^{\circ}C$ for 1 hour, when frit paste was printed. A SrTiO3-based GBLC had the apparent permitivity of about 3.2$\times$104, the dielectric loss of 0.01~0.02 and the stable temperature coefficient of capacitance. The influence of frit paste on dielectric properties was similiar to that of oxide paste but the stability of temperature property of capacitance was improved.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1998년도 하계학술대회 논문집 D
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• pp.1487-1489
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• 1998

In this paper, thin films of PI were fabricated VDPM of dry processes which are easy to control the film's thickness and hard to pollute due to volatile solvents. From FT-lR, PAA thin films fabricated by VDP were changed to PI thin films by thermal curing. From SEM, AFM and Ellipsometer experimental, as the higher curing temperatures the films thickness decreases and reflectance increases. Therefore, Pl could be fabricated stable by increasing curing temperature. The relative permitivity and dissipation loss factor were 3.7 and 0.008. Also, the resistivity was about $1.05{\times}10^{15}{\Omega}cm$ at $30^{\circ}C$.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2001년도 추계학술대회 논문집
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• pp.455-458
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• 2001

The thin films of high permitivity in ferroelectric materials using a capacitor are applied to DRAMs and FRAMs. (Ba, Sr)TiO$_3$ thin films as ferroelectric materials were prepared by the sol-gel method and made by spin-coating on the Pt/Ti/SiO$_2$/Si substrate at 4,700 [rpm] for 10 seconds. The devices of BST thin films to composite (Ba$\_$0.7/Sr$\_$0.3/)TiO$_3$ were fabricated by changing of the depositing layer number on Pt/Ti/SiO$_2$/Si substrate. The thin film capacitor to be ferroelectric devices was investigated by structural and electrical properties. The thickness of BST thin films at each coating numbers 3, 4 and 5 times was 2500[${\AA}$], 3500[${\AA}$], 3800[${\AA}$]. The dielectric factor of thin film when the coating numbers were 3, 4 and 5 times was 190, 400 and 460 on frequency 1[MHz]. The dielectric loss of BST thin film was linearly increased by increasing of the specimen area.

• 한국전자파학회논문지
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• 제23권3호
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• pp.328-334
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• 2012

본 논문은 휴대폰용 700 MHz 대역 LTE용 안테나의 광대역 설계 기법을 제안한 것이다. 제안한 안테나는 역 F(Planar Inverted - F) 구조를 기본으로 설계되었다. 광대역을 실현하기 위해 전기적 길이를 제어하는 방법으로 라운드 구조와 이중 공진 특성을 얻을 수 있는 지선 소자가 설계에 도입되었다. 그 결과, 복소비 유전율이 4.4인 FR-4 기판에서 $30{\times}34mm$의 협소한 공간임에도 불구하고, 약 95 MHz의 대역폭을 실현했다. 측정된 반사손실, 대역폭과 이득 방사 패턴은 계산 값과 잘 일치하였다.

• 조명전기설비학회논문지
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• 제21권10호
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• pp.118-125
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• 2007

가공선로와 지중선로가 혼합된 배전계통에서 뇌서어지와 개폐서어지가 입상주를 통하여 유입될 수 있다. 이러한 서어지는 케이블을 따라서 이동하게 되고 케이블의 종단에서 반사된다. 이때 반사되는 서어지는 그 크기가 2배 정도가 되고 지중배전선로의 절연을 위협할 수 있다. 한전의 지중배전계통을 모의할 수 있는 모델계통을 만들고 이 계통에 서어지를 인가하여 케이블의 서어지 전파 특성을 측정하였다. 실제시험으로 측정한 결과를 EMTP 해석 결과와 비교하여 EMTP 파라미터들을 수정하였다. EMTP 해석에서 케이블 절연체의 유전율, 피뢰기의 특성곡선, 서어지의 파형을 조정하면 실증시험 결과와 거의 일치하는 결과를 얻을 수 있었으며, 케이블의 말단에서 2배 정도 전압상승이 되고 분기에 의하여 복잡하게 전파되는 것을 확인하였다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제21권2호
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• pp.218-223
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• 2010

본 논문에서는 UWB(Ultra Wide Band) 통신 시스템에서 사용할 수 있는 CPW(Coplanar Waveguide) 급전 방식을 이용한 새로운 UWB 안테나를 설계 제작하여 측정하였다. CPW-fed 평면 슬롯 안테나는 광대역, 저비용과 무선 주파수 프론트 엔드 회로와 함께 간단히 집적화 시킬 수 있는 이점들을 가지고 있다. 제안된 안테나의 전산 모의실험에는 Ansoft사의 FEM(Finite Element Method) 방식의 HFSS(High Frequency Structure Simulator)를 사용하였다. 두께 1.6 mm, 유전율 4.4의 FR-4 기판을 사용하여 제작하였다. 제안된 안테나는 UWB 통신 시스템에서 사용되는 3.1~10.6 GHz에서 VSWR(Voltage Standarding Wave Ratio)${\leq}2$임을 만족하였다. 측정된 최대 이득은 3 GHz에서 2.61 dBi, 6 GHz에서 4.95 dBi, 8 GHz에서 2.89 dBi, 11 GHz에서 7.35 dBi이다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1998년도 하계학술대회 논문집 E
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• pp.1629-1631
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• 1998

Crosslinked polyethylene (XLPE) insulated cables are now widely used all over the world for extra-high voltage underground transmission systems. Prefabricated type (compression type) joint has developed in order to shorten the assembly time and lower the possibility of contamination at site by many companies in the world. For outdoor termination, to control the electric field distribution as uniform as possible, especially for the use of extra-high voltage system. much of products are adopting the oil-impregnated condensor cone type instead of electric field control element which uses the permitivity of it only (not capacitance). For Gas-immersed termination, dimension of outer insulation bushing was determined by IEC Publication 859. The highest voltage of underground power cable system is 345kV now, in Korea. We have much of experiences of the development of prefabricated type accessories for CV cable systems (154kV, 161kV, 230kV level). So it was possible to inspect the proto type of accessories for 345kV CV cable system and seems that the need time for the development of products is reduced.

• 대한토목학회논문집
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• 제33권1호
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• pp.329-336
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• 2013

아스팔트 콘크리트 포장의 하부구조는 보조기층, 동상방지층 및 노상층으로 구성되어 있으며, 노상층의 경우 겨울철을 지나 봄이되면 동상효과에 따른 포장 파손과 여름철 장마 기간 동안의 수분 침투로 인한 지지력 감소와 같은 문제점이 발생할 수 있다. 따라서 도로하부의 함수비를 계측하기 위하여 시간이력 반사방식(Time Domain Reflectometry, TDR)의 함수센서를 통하여 실시간 함수비를 계측하는 기술이 국내에 도입되었다. TDR 방식의 함수센서는 흙과 물의 유전율을 통하여 함수비를 측정하기 때문에 온도의 영향을 받을 수 있다. 특히 국내는 계절 영향을 받아서 겨울철 대기 온도가 지역적으로 영하 $20^{\circ}C$ 보다 낮은 온도를 보여줄 수 있기 때문에 영하의 측정 온도 범위에 대한 함수센서의 정확도를 파악할 필요가 있다. 따라서 본 연구에서는 흙의 온도 범위를 영하 $2^{\circ}C$ 미만까지 확장하여 TDR 방식의 함수비 센서에 대한 온도 민감도 시험을 수행하였다. 체적함수비 20%와 30%에 대한 시험 결과 공시체 표면 온도가 영하로 떨어지면서 센서부근의 수분이 감소하고, 공시체 상부의 함수비가 증가하는 경향을 보여주었다. 그러나 함수센서에 대한 온도의 영향은 함수비가 낮을 경우 미소한 것으로 나타났다.