• 한국전자파학회논문지
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• 제14권9호
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• pp.899-903
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• 2003

본 논문에서는 기생소자 효과를 이용한 이동단말기용 광대역 안테나를 연구하였다. 기생소자에 관한 효과를 관찰하기 위해 기생소자는 급전이 되지 않는 원통형 도체를 사용하였다. 원통 도체의 외경이 증가함에 따라 두 번째, 세 번째 공진 주파수 특성이 급격히 변함을 알 수 있었다. 4.5 w의 외경을 가지는 원통형 도체 기생소자가 삽입된 경우 normal mode 헬리컬 안테나는 반사손실 -5 dB를 기준으로 900 MHz의 밴드폭을 얻었다.

• 전자공학회논문지D
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• 제34D권2호
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• pp.1-9
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• 1997

For the reduction of parasitic inductance and matching of bonding wire in the package of microwave devices, we propose multiple bonding wires buried in a dielectric material of FR-4 composite. This structure is analyzed using the method of moments (MoM) and compared with the common bondwires and ribbon interconnections. The FR-4 composite is modelled by the cole-cole model which can consider the loss and the variation of the permittivity in a frequency. At 20 GHz, the parasitic reactance is reduced by 90%, 80%, 60% compared to those of a single bonding wire in air, double bonding wires in air and ribbon interconnection in air, respectively. Also, the new bondwire shows very good matching of 60.ohm characteristic impedance and has 15dB, 10dB, 5dB improvement of the return loss and 2.5dB, 0.7dB, 0.2dB improvement of the insertion loss compared to the common interconnections. This technique can minimize the parasitic effect of bondwires in microwave device packaging.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제11권2호
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• pp.485-490
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• 2010

본 논문에서는 버팅 콘택(butting contact) 구조를 갖는 DDI DRAM소자의 감지 증폭기의 입력 게이트 단의 모든 기생 성분을 포함한 등가 회로를 제안 하였다. 제안한 모델을 이용하여 기생 쇼트키 다이오드가 감지 증폭기 동작에 어떤 영향을 미치는지 분석하였다. 각각의 불량 가능성에 대해 감지 증폭기가 어떻게 동작하는지 분석하여 단측 불량 특성의 원인을 규명하였다. DDI DRAM에서 단측 불량 원인과 불량률의 온도 의존성은 감지 증폭기의 입력 게이트 단에 형성된 기생 쇼트키 다이오드 형성에 기인한 것으로 판단된다. 이러한 기생 쇼트키 다이오드는 게이트 입력에 기생 전압 강하를 야기하게 되고 결국 감지 증폭기의 노이즈 마진을 감소시켜 단측 불량률을 증가시킨다.

• Parasites, Hosts and Diseases
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• 제58권2호
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• pp.195-200
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• 2020

Soil-transmitted helminths, including Ascaris lumbricoides and Trichuris trichiura, are important intestinal parasites mostly affecting younger people in developing countries. In 2014-2015, we performed mass fecal examinations targeting a total of 2,227 schoolchildren in 3 districts (South Dagon, North Dagon, and Hlaing-thar-yar) of Yangon Region, Myanmar, using the Kato-Katz thick smear technique. The egg positive children were subjected to a mass drug administration (MDA) using a single oral dose of 400 mg albendazole. The pre-treatment egg positive rate (EPG/person) of A. lumbricoides averaged 17.2% (15,532); it was 25.2% (21,796), 14.2% (11,816), and 12.8% (12,983) in 3 districts, respectively, and that of T. trichiura averaged 19.4% (1,074), and was 24.1% (1,040), 12.3% (852), and 21.2% (1,330) in 3 districts, respectively. Follow-up fecal examinations performed 4 months post-MDA revealed considerable decreases of A. lumbricoides prevalence (EPG/person) to av. 8.3% (12,429), and 13.7% (17,640), 8.0% (7,797), and 4.5% (11,849) in 3 districts, respectively. However, T. trichiura did not show any recognizable decrease in the prevalence (EPG/person) remaining at av. 18.2% (862), and 18.5% (888), 11.5% (812), and 23.3% (887) in 3 districts, respectively. The results demonstrated difficulty in short-term control of T. trichiura by MDA using albendazole and suggested necessity of either a long-term MDA (>10 years) or changing the albendazole regimen into 2~3-day course (total 800 or 1,200 mg), or using an alternative drug/drug combination.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제20권3호
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• pp.250-256
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• 2007

We analyzed the effect of a pixel and all the inter-electrode capacitances in a unit pixel of TFT-LCDs on the gray scale capability. The pixel and all the inter-electrode parasitic capacitances were obtained from the tree dimensional profiles of potential distribution and molecular director considering lateral fields generated at the edge of the pixel. To obtain the RMS and kickback voltages of the pixel, we constructed an equivalent circuit of the panel containing all the parasitic capacitances. The calculation was performed though H-SPICE. As results, we confirmed that the pixel becomes smaller, the effect of parasitic capacitances on the gray scale capability becomes larger.

• 대한전자공학회논문지
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• 제25권1호
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• pp.101-107
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• 1988

This paper proposes a circuit extractor which extracts a netlist from the CIF input file cntaining the layout mask artwork informations. The circuit extractor extracts transistors and their interconnections, and calculates circuit parameter such as parasitic resistance and parasitic capacitance from the mask informations. When calculating the parasitic resistance, we consider the current flow path to reduce the errors caused by the resistance approximation. Similarly, we consider the coupling capacitance which has an effect on the circuit characteristics, when the parasitic capacitances are calculated. Therefore, using these parameter values as an input to circuit simulation, the circuit characteristics such as delay time can be estimated accurately. The presented circuit extraction algorithm uses a multiple storage quad tree as a data sturucture for storing and searching the 2-dimensional geometric data of mask artwork. Also, the proposed algorithm is technologically independent to work across a wide range of MOS technologies without any change in the algorihm.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2007년도 하계종합학술대회 논문집
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• pp.155-156
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• 2007

A wideband monopole antenna using a parasitic branch is proposed for allowing operations at multiple frequency bands specified in GSM($824{\sim}894MHz$), PCS($1750{\sim}1870MHz$), WiBro($2.3{\sim}2.4GHz$), WLAN/ISM ($2.4{\sim}2.48GHz$) and SDMB($2.605{\sim}2.655GHz$). We have used two branch monopoles and the one parasitic branch. Prototype of the multiband antenna have been successfully implemented and good radiation characteristics the operating frequency bands have been obtained. The effect of a parasitic branch was also studied.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제14권5호
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• pp.525-536
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• 2014

Recently, the first generation of mass production of FinFET-based microprocessors has begun, and scaling of FinFET transistors is ongoing. Traditional capacitance and resistance models cannot be applied to nonplanar-gate transistors like FinFETs. Although scaling of nanoscale FinFETs may alleviate electrostatic limitations, parasitic capacitances and resistances increase owing to the increasing proximity of the source/drain (S/D) region and metal contact. In this paper, we develop analytical models of parasitic components of FinFETs that employ the raised source/drain structure and metal contact. The accuracy of the proposed model is verified with the results of a 3-D field solver, Raphael. We also investigate the effects of layout changes on the parasitic components and the current-gain cutoff frequency ($f_T$). The optimal FinFET layout design for RF performance is predicted using the proposed analytical models. The proposed analytical model can be implemented as a compact model for accurate circuit simulations.

• 한국산업정보학회논문지
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• 제21권1호
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• pp.1-6
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• 2016

본 논문에서는 기생 트랜지스터를 억제하여 대기 전류를 낮춰 기동전류를 개선한 수직 PNP 트랜지스터의 특성을 소개한다. 기생 효과를 억제하기 위해, 회로 변경 없이 "DN+ 링크"를 사용하여 기생 PNP 트랜지스터를 억제 시킨 수직 PNP 트랜지스터를 설계하였으며, 표준 IC 프로세서를 이용한 LDO 레귤레이터를 제작했다. 제작된 기생 PNP 트랜지스터의 hFE 가 기존의 18에서 0.9로 감소하였다. 개선된 "DN+ 링크" 구조 수직 PNP 트랜지스터로 제작된 LDO 레귤레이터의 기동 전류는 기존의 기동 전류 90mA에서 32mA 로 감소되었다. 이로 인해 대기상태에서 저 소비전력을 구현한 LDO 레귤레이터를 개발하였다.

• 전기전자학회논문지
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• 제1권1호
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• pp.11-18
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• 1997

회로 시뮬레이터를 이용하는 DC 셀 노드전압 분석방법을 적용하여, 고저항 SRAM 셀 구조에서 기생저항들과 트랜지스터 비대칭에 의해 야기되는 정적 읽기동작에서의 동작마진을 조사하였다. 이상적인 셀에 기생저항을 선택적으로 추가함으로써 각 기생저항들이 동작 마진에 끼치는 영향을 조사한 뒤, 기생저항이 좌우대칭 쌍으로 존재하는 경우에 대해 조사하고, 또한 셀 트랜지스터의 채널폭을 선택적으로 변화시켜 트랜지스터의 비대칭을 야기시킴으로써 트랜지스터 비대칭에 의한 동작 마진의 저하를 분석하였다. 분석 방법은 시뮬레이션된 셀 노드전압 특성에서 두 셀 노드전압이 하나의 값으로 수렴되는 전원전압의 값과 $V_{DD}=5V$에서 셀 노드전압의 차를 비교함으로써 상대적인 동작 마진을 비교하는 방법을 사용하였다. 회로 시뮬레이션에 의존한 본 분석으로부터 셀의 정적 읽기동작에 가장 심각한 영향을 끼치는 기생저항 성분과 트랜지스터의 비대칭 형태를 규명함으로써 새로운 셀 구조 설계시 참고할 수 있는 기준을 제시하였다.