• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제32권1호
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• pp.59-64
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• 2011

Degree of unsaturation in fatty acid molecules plays an important role in the formation of vesicles. Vesicle formation from C18 fatty acids with different amount of double bonds such as oleic acid, linoleic acid and linolenic acid with the incorporation of 1,2-dipalmitoyl-sn-glycerol-3-phosphoethanolamine-N-[methoxy(polyethylene glycol)-2000] (DPPE-PEG2000) have been examined by TEM. Critical vesicular concentrations (CVC) of the vesicle suspension are determined by turbidity and surface tension methods. The CVC of fatty acids increases when the amount of unsaturation in the alkyl chain increases. On the other hand, stability of vesicle suspension has been examined by using particle size and zeta potential at $30^{\circ}C$. There was a dramatic decrease in particle size measurement from mono-unsaturation to tri-unsaturation which could be due to the effect of fluidity in the membrane bilayer caused by different degree of unsaturation. The values of zeta potential for vesicles that were formed without the incorporation of DPPE-PEG2000 were in the range of -70 mV to -100 mV. It has been observed that the incorporation of DPPEPEG2000 to the vesicle reduces the magnitude of zeta potential. However, this phenomenon does not obviously seen in fatty acid vesicles formed by linoleate-linoleic acid and linolenate-linolenic acid. We therefore conclude that the addition of DPPE-PEG2000 does not effectively improve the stability of the linoleate-linoleic acid and linolenatelinolenic acid vesicle at pH 9.0 after the evaluation of their particle size and zeta potential over a period of 30 days. Although the vesicles formed were not stable for more than 10 days, they have displayed the potential in encapsulating the active ingredients such as vitamin E and calcein. The results show that the loading efficiencies of vitamin E are of encouraging value.

• 한국자기학회지
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• 제8권3호
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• pp.131-137
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• 1998

동시진공증착한 Ag-Co합금박막의 두께에 따르는 미세구조 및 거대자기저항의 거동의 변화를 연구하였다. 증착된 상태에서 40 at.%Co 합금의 200nm두께에서 최대 24%의 자기저항을 얻었다. 합금박막의 두께가 감소함에 따라, 특히 50NM 이하에서 비저항이 급격하게 증가되었고, 비저항 차 및 자기저항은 감소하였다. 비저항의 증가는 주로 표면저항의 증가가 주도하였다. 고분해능 T뜨을 사용하여 두께 감소에 따르는 합금박막의 미세구조 변화를 분석한 결과, 첫째 aG 및 cO 입자의 크기가 감소하며, 둘째 Co 및 Ag간의 상호 고용도가 증가되며, 섯째 Co입자의 형성비의 변화가 확인되었다. 이러한 미세구조적 변화는 자성체 입자의 자기모멘트, 자기이방성 등의 가지 상태의 변화를 가져오게 되어 자기저항에 영향을 끼치는 것으로 분석된다. 따라서 50nm 이하에서 거대자기저항의 감소는 표면에서의 스핀전도에 의한 형상 뿐만 아니라 미세구조의 면화도 크게 기여하는 것으로 보인다.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2009년도 춘계학술발표대회
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• pp.30.2-30.2
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• 2009

TiO2는 3가지의 결정구조를 가지고 있으며 결정 입자, 구조, 상의 형태에 따라서 성질 및 기능에 영향을 주고 있다. anatase상의 애너지 밴드갭과 전자와의 재결합 확률이 크기 때문에 Rutile상 보다 우수한 성질을 갖고 있어 산화물 반도체로 이용하는 것이 적합하다. 본 실험에서는 나노로드의 TiO2를 수열처리법에 의해 합성한 후 박막을 제조하여 감응특성을 조사하였다. X선 회절분석기(X-Ray Diffraction)로 분석결과 ph=1의 루타일상을 제외하고, pH=2~7의 더 넓은 구간에서 뚜렷한 회절피크의 anatase 상이 나타났으며 다른 비정질상이 발생되지 않는 결정성이 좋은 단결정임이 나타났다. NaOH solution 을 이용하여 수열처리후 $180^{\circ}C$이상의 특정 온도 구간에서 수십 나노 로드 형태로의 2차 성장된 모습을 TEM과 EDS로 결정구조와 화학조성을 분석하였다. 그리고 BET 측정을 통해 $180^{\circ}C$의 소성온도에서 TiO2 입자의 비표면적이 가장 우수한 것으로 나타났다. 나노로드의 수용액을 Al2O3기판의 감지막 위에 떨어뜨려 네트워크된 막을 형성한후에 센서를 제작하였다. 히터 전압이 $400^{\circ}C$에서 나노 파우더센서에서는 반응이 일어나지 않은 반면, 나노 로드센서는 CH3SH에서 28% 의 높은 감도를 얻었고, Toluene의 반응에서는 15%의 감도가 나타났다. 그 외 NO, CO, H2등의 측정에서 아무런 반응이 일어나지 않았다. 이는 비교적 기공이 큰분자(Size)를 가진 CH3SH=76nm, Toluene=60nm에서 반응이 일어난 반면, H2=28nm, CO=22nm에서 감도가 나타나지 않은 것을 보아 흡착분자크기에 의한 영향이 큰 것으로 나타났다.

• Journal of Pharmaceutical Investigation
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• 제32권1호
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• pp.21-26
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• 2002

The primary culture of human nasal epithelial cell monolayer was performed on a Transwell. The effect of various factors on the tight junction formation was observed in order to develop an in vitro experimental system for nasal transport studies. Human nasal epithelial cells, collected from human normal inferior turbinates, were plated onto diverse inserts. After 4 days, media of the apical surface was removed for air-liquid interface (ALI) culture. Morphological characteristics was observed by transmission electron microscopy (TEM). A polyester membrane of $0.4\;{\mu}m$ pore size was determined as the most effective insert based on the change in the transepithelial electric resistance (TEER) value as well as the $^{14}C-mannitol$ transport study. The ALI method was effective in developing the tight junction as observed in the further increase in the TEER value and reduction in the permeability coefficient $(P_{app})$ of $^{14}C-mannitol$ transport. Results of the transport study of a model drug, budesonide, showed that the primary culture system developed in this study could be further developed and applied for in vitro nasal transport studies.

• Journal of Dairy Science and Biotechnology
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• 제21권2호
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• pp.114-119
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• 2003

Lactobacillus acidophilus CP4A 균주가 생산하는 acidocin 4A를 정제하고자 ammonium sulphate 침전법 , Octyl-sepharose CL-4B column chromatography, $C_{18}$ Sep-Pak cartridge, $C_{18}$ RP HPLC, HPLC gel filtration을 실시하였고 tricine SDS-PAGE를 통해 약 4.1 kDa의 박테리오신임을 확인하였다. Acidocin 4A의 항균작용 기작을 L. delbrueckii subsp. lactis ATCC 4797을 대상으로 TEM을 이용해 관찰한 결과 세포벽이 해리되고 세포벽사이로 세포내용물이 용출되어 궁극적으로 cell lysis가 일어나는 bacteriolytic 현상을 확인하였다. 또한, acidocin 4A의 생산에 관련된 유전자의 존재 위치를 파악하고자 EtBr을 이용한 curing방법을 실시하였으며 그 결과 약 20 kb 크기의 plasmid에 acidocin 4A 생산과 자체 면역에 관련된 유전자가 존재함을 알 수 있었다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2004년도 하계학술대회 논문집 Vol.5 No.1
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• pp.74-77
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• 2004

[ $HfO_2$ ] dielectric layers were grown on the p-type Si(100) substrate by metalorganic molecular beam epitaxy(MOMBE). Hafnium $t-butoxide[Hf(O{\cdot}t-C_4H_9)_4]$ was used as a Hf precursor and Argon gas was used as a carrier gas. The thickness of the layers was measured by scanning electron microscopy (SEM) and high-resolution transmission electron measurement(HR-TEM). The properties of the $HfO_2$ layers were evaluated by X-ray diffraction(XRD), high frequency capacitance-voltage measurement(HF C-V), current-voltage measurement(I-V), and atomic force measurement(AFM). HF C-V measurements have shown that $HfO_2$ layer grown by MOMBE has a high dielectric constant(k=19-21). The properties of $HfO_2$ films are affected by various process variables such as substrate temperature, bubbler temperature, Ar, and $O_2$ gas flows. In this paper, we examined the relationship between the $O_2/Ar$ gas ratio and the electrical properties of $HfO_2$.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제22권2호
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• pp.101-106
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• 2009

In this paper, Thin films of $HfO_2$/Hf were deposited on p-type wafer by Atomic Layer Deposition (ALD). We studied the electrical and material characteristics of $HfO_2$/Hf/Si MOS capacitor depending on thickness of Hf metal layer. $HfO_2$ films were deposited using TEMAH and $O_3$ at $350^{\circ}C$. Samples were then annealed using furnace heating to $500^{\circ}C$. Round-type MOS capacitors have been fabricated on Si substrates with $2000\;{\AA}$-thick Pt top electrodes. The composition rate of the dielectric material was analyzed using TEM (Transmission Electron Microscopy), XRD (X-ray Diffraction) and XPS (X-ray Photoelectron Spectroscopy). Also the capacitance-voltage (C-V), conductance-voltage (G-V), and current-voltage (I-V) characteristics were measured. We calculated the density of oxide trap charges and interface trap charges in our MOS device. At the interface between $HfO_2$ and Si, both Hf-Si and Hf-Si-O bonds were observed, instead of Si-O bond. The sandwiched Hf metal layer suppressed the growing of $SiO_x$ layer so that $HfSi_xO_y$ layer was achieved. And finally, the generation of both oxide trap charge and interface trap charge in $HfO_2$ film was reduced effectively by using Hf metal layer.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2000년도 제18회 학술발표회 논문개요집
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• pp.67-67
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• 2000

CeO2는 cubic 구조의 일종인 CaR2 구조를 가지고 있으며 격자상수가 Si의 격장상수와 매우 비슷하여 Si 기판위에 에피텍셜하게 성장할 수 있는 가능성이 매우 크다. 따라서 SOI(silicon-on-insulator)구조의 실현을 위하여 Si 기판위에 CeO2 박막을 에피텍셜하게 성장시키려는 많은 노력이 있어왔다. 또한 metal-ferroelectric-semiconductor field effect transistor)에서 ferroelectric 박막과 Si 기판사이의 완충층으로 사용된다. 이러한 CeO2의 응용을 위해서는 Si 기판 위에 성장된 CeO2 박막의 방위성 및 CeO2/Si 구조의 전기적 특성을 알아보는 것이 매우 중요하다. 본 연구에서는 Si(100) 기판위에 CeO2(200)방향으로 성장하는 박막과 EcO2(111) 방향으로 성장하는 박막을 rf magnetron sputtering 방법으로 증착하여 각각의 구조적, 전기적 특성을 분석하였다. RCA 방법으로 세정한 P-type Si(100)기판위에 Ce target과 O2를 사용하여 CeO2(200) 및 CeO2(111)박막을 증착하였다. 증착후 RTA(rapid thermal annealing)방법으로 95$0^{\circ}C$, O2 분위기에서 5분간 열처리를 하였다 이렇게 제작된 CeO2 박막의 구조적 특성을 XRD(x-ray diffraction)방법으로 분석하였고, Al/CeO2/Si의 MIS(metal-insulator-semiconductor)구조를 제작하여 C-V (capacitance-voltage), I-V (current-voltage) 특성을 분석하였으며 TEM(transmission electron microscopy)으로 증착된 CeO2막과 Si 기판과의 계면 특성을 연구하였다. C-V특성에 있어서 CeO2(111)/Si은 CeO2(111)의 두께가 증가함에 따라 hysteresis windows가 증가한 방면 CeO2(200)/Si은 hysteresis windows가 아주 작을뿐만 아니라 CeO2(200)의 두께가 증가하더라도 hysteresis windos가 증가하지 않았다. CeO2(111)/Si과 CeO2(200)/Si의 C-V 특성의 차이는 CeO2(111)과 CeO2(200)이 Si 기판에 의해 받은 stress의 차이와 이에 따른 defect형성의 차이에 의한 것으로 사료된다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2000년도 제18회 학술발표회 논문개요집
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• pp.124-124
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• 2000

다이아몬드에 버금가는 높은 경도뿐만 아니라 높은 화학적 안정성 및 열전도성 등 우수한 물리화학적 특성을 가진 입방정 질화붕소(cubic boron nitride)는 마찰.마모, 전자, 광학 등의 여러 분야에서의 산업적 응용이 크게 기대되는 재료이다. 특히 탄화물형성원소에 대해 안정하여 철계금속의 가공을 위한 공구재료로의 응용 또한 크게 기대된다. 이 때문에 각종의 PVD, CVD 공정을 이용하여 c-BN 박막의 합성에 대한 연구가 광범위하게 진행되어 많은 성공사례들이 보고되고 있다. 그러나 c-BN 박막의 유용성에도 불구하고 아직 실제적인 응용이 이루어지지 못한 것은 c-BN 박막의 증착직후 급격한 박리현상 때문이다. 본 연구에서는 평행자기장을 부가한 ME-ARE(Magnetically Enhanced Activated Reactive Evaporation)법을 이용한 c-BN 박막의 합성에서 적용한 증착공정 인자들의 변화에 따른 박리특성 고찰과 함께 다층박막화 및 제 3원소 혼입 방법을 적용하여 박리특성 향상 정도를 조사하였다. BN 박막합성은 전자총에 의해 증발된 보론과 (질소+아르곤) 플라즈마의 활성화반응증착(Activated Reactive Evaporation)에 의해 이루어졌다. 기존의 ARE 장치와 달리 열음극(got cathode)과 양극(anode) 사이에 평행자기장을 부가하여 플라즈마의 증대시켜 반응효율을 높였다. 합성실험용 모재로는 p-type으로 도핑된 (100) Si웨이퍼를 30$\times$40mmzmrl로 절단 후, 10%로 희석된 완충불산용액에 10분간 침적하여 표면의 산화층을 제거한 후 사용하였다. 박막실험실에서의 주요공정변수는 기판바이어스 전압, discharge 전류, Ar/N2가스유량비이었다. 합성된 박막의 결정성 분석을 FTIR을 이용하였으며, BN 박막의상 및 미세구조관찰을 위해 투과전자현미경(TEM;Philips EM400T) 분석을 병행하였고, 박막의 기계적 물성 평가를 위해 미소경도를 측정하였다. 박리특성의 고찰은 대기중에서의 자발적 박리가 일어나 90%이상의 박리가 진행된 시점까지의 시간을 측정하였고, 증착직후 박막의 잔류응력 변화와 연관하여 고찰해 보았다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2000년도 제18회 학술발표회 논문개요집
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• pp.162-162
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• 2000

We have studied magnetic properties of Co/Pt multilayered films which have attracted great interest as high-density magneto-optical (MO) recording media due to their good MO properties. For this study, [Pt(45 )/Co(35 )]$\times$8 films were deposited with a Pt buffer layer of 60 on Si(100) substrate by alternating electron-beam evaporation in a high vacuum and were ion beam mixed by using 80keV Ar+ at 25$0^{\circ}C$. Especially, an external magnetic field was added to help changing magnetic property during ion beam mixing (IBM). The intermixing of Co and Pt layers after IBM was confirmed with Rutherford Backscattering Spectroscopy (RBS) and Transmission Electron Microscopy (TEM). The MO property of the film was measured with magneto-optical Kerr spectrometer and the change of magnetic easy axis in the film plane was observed from Ker loop data. This anomalous result might be correlated with the change of atomic structure due to the intermixing effect.