• 제목/요약/키워드: pAS1

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MOCVD를 이용한 Heteroface p-$Al_{x}Ga_{1-x}As/p-GaAs/n-GaAs/n^{+}$-GaAs 태양전지의 개발 (Heteroface p-$Al_{x}Ga_{1-x}As/p-GaAs/n-GaAs/n^{+}$-GaAs Solar Cell Grown by MOCVD)

  • 창기근;임성규
    • 전자공학회논문지A
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    • 제28A권1호
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    • pp.30-39
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    • 1991
  • The influence of physical parameters (Al mole fraction, thickness, doping concentration) in the window and emitter on the efficiency characteristics of heteroface p-$Al_{x}Ga_{1-x}As/p-GaAs/n-GaAs/n^{+}$-GaAs solar cell is investigated. The maximum efficiency theoretically calculated in this device is obtained when a thickness of the window is in a range of (400-1000))$\AA$and a thickness/doping concentration of the emitter is in a range of (0.5-0.8)$\mu$m/(1-7)${\times}10^{17}cm^{-3}$, respectively. Also is the efficiency improved according to the increase of Al mole fraction in the indirect gap window(0.41${\le}x{\le}1.0$). The optimum designed heteroface cell with an area of 0.165cm$^2$fabricated using MOCVD exhibits an active area conversion efficiency of 17%, having a short circuit current density of 21.2mA/cm\ulcorner an open circuit voltage of 0.94V, and a fill factor of 0.75 under ELH-100mW/cm$^2$illumination.

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액상결정성장에 의한 InGaAsP/InP MQW-ND 제작에 관한 연구 (A study on the InGaAsP/InP MQW-LD fabrication by the liquid phase epitaxy)

  • 조호성;홍창희;오종환;예병덕;이중기
    • 한국광학회지
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    • 제3권4호
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    • pp.252-257
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    • 1992
  • 본 연구에서는 수직형 LPE 장치를 이용하여 InGaAsP/InP MQW-DH웨이퍼를 성장하고 10$\mu$m stripe MQW-LD를 제작하였다. 공진기 길이 470$\mu$m LD의 경우 이득스펙트럼 중심파장은 1.32$\mu$m였다. 발전파장은 1.302$\mu$m로써 양자우물두께 300$\AA$의 이득중심에 해당한다는 사실을 알 수 있었다.

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폐기물 용출시험법에 관한 연구 (Studies on the Leaching Test in Industrial Waste)

  • 어수미
    • 한국환경보건학회지
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    • 제20권4호
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    • pp.72-79
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    • 1994
  • This study was performed to improve many problems of leaching test of industrial waste sludge analysis. We analyze sludges by variation of leachant, pH and leaching time.The results were as follows: 1. As leaching at pH 5.8 by our leaching test without control of pH during leaching, the leaching rates were very low as below 1%. 2. As leaching at pH 5.8 continuously by hydrochloric acid every 2 hour, the leaching rates were higher than before 1. 3. As leaching at pH 5.0 continuously by acetic acid every 2 hour, the leaching rates were higher than 1, 2. 4. The variations of leaching rate by leaching time were smaller increase after 10 hours than before. 5. It will be recommendable that the pH of leachant maintain constantly during leaching as level of acid rain, and the acetic acid is more effective than hydrochloric acid as leachant.

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수용액 중 영가 철의 비소흡착 및 반응기작 구명 (Mechanism and Adsorption Capacity of Arsenic in Water by Zero-Valent Iron)

  • 유경열;옥용식;양재의
    • 한국토양비료학회지
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    • 제39권3호
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    • pp.157-162
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    • 2006
  • 본 연구는 비소로 오염된 물을 영가 철을 이용하여 복원하는 과정에서 영가 철의 비소 제거에 영향을 미치는 환경인자 간의 특성을 파악하고 기기분석을 통해 영가 철에 의한 비소의 흡착 반응기작을 구명하고자 수행되었다. 영가 철에 의한 As(V)의 흡착은 Langmuir 등온흡착 모델에 부합하였으며 As(V)의 흡착량은 반응 수용액의 pH가 낮을수록(pH 3: 2.05, pH 5: 1.82, pH 7: 1.24, pH 9: 1.03 mg As/g $Fe^0$), 그리고 온도가 증가할수록($15^{\circ}C$ : 1.59, $25^{\circ}C$ : 1.81, $35^{\circ}C$ : 1.93 mg As/g $Fe^0$) 증가하였다. 반응기작을 규명하기 위하여 SEM-EDS 분석을 수행한 결과, 반응 전의 영가철 표면은 부드럽고 큰 결정 형태를 나타내었으나 반응 후에는 매우 거칠고 작은 입자 형태를 나타내었다. 반응 후 영가 철의 조성물 분석결과, 영가 철 표면에 비소가 흡착됨을 알 수 있었다. 반응 전 후 영가 철의 결정구조 XRD를 이용하여 조사한 결과, $Fe^0$는 반응 후 $Fe_2O_3$ 및 FeOOH로 변화되었으며 As는 $FeAsO_4{\cdot}2H_2O$의 형태로 불용화 됨을 알 수 있었다. 이상의 결과에서 비소오염에 불용화 적용방법으로 영가 철을 사용 시 pH 및 온도 조건 등을 고려하여 현장에 적용해야 될 것으로 판단된다.

다중양자우물의 상호 섞임 현상을 이용한 다중 파장 검출기의 제작 (Fabrication of dual wavelength photodetector using quantum well intermixing)

  • 여덕호;윤경훈;김항로;김성준
    • 한국광학회:학술대회논문집
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    • 한국광학회 2000년도 제11회 정기총회 및 00년 동계학술발표회 논문집
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    • pp.10-11
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    • 2000
  • 광통신을 이용한 근거리 전송과 장거리 전송에서 1.3 및 1.55 $mu extrm{m}$ 파장 영역의 빛이 사용되고 있다. 향후, 각 가정마다 광선로를 연결하는 Fiber-to-the-home (FTTH)의 개념과 광CATV가 발전함에 따라 1.3 및 1.55 $\mu\textrm{m}$ 빛을 검출하는 소자와 송신하는 소자가 필요하게 된다. 본 논문에서는 이러한 다중파장을 검출할 수 있는 집적소자를 제작 및 측정하였다. 본 논문에서 사용된 epitaxial layer의 구조는 N-InP 기판 위에 1 $\mu\textrm{m}$의 n-InP buffer층, 5층의InGaAs/InGaAsP 다중양자우물과 0.2 $\mu\textrm{m}$ InGaAsP separate confinement heterostructure (SCH) 층, 0.5$\mu\textrm{m}$ InP clad층과 0.1 $\mu\textrm{m}$ InGaAs cap 층으로 구성되어있다. 모든 epi 층은 InP 기판에 격자 정합이 되어있다. 다중양자우물구조는 84 $\AA$의 InGaAs 우물층과 100 $\AA$의 InGaAsP 장벽층으로 구성되며, 상온에서 0.787 eV (1.575 $\mu\textrm{m}$)의 bandgap energy를 갖도록 설계하였다. (중략)

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CERTAIN GENERALIZED THORN GRAPHS AND THEIR WIENER INDICES

  • Kathiresan, KM.;Parameswaran, C.
    • Journal of applied mathematics & informatics
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    • 제30권5_6호
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    • pp.793-807
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    • 2012
  • If G is any connected graph of order p; then the thorn graph $G_p^*$ with code ($n_1$, $n_2$, ${\cdots}$, $n_p$) is obtained by adding $n_i$ pendent vertices to each $i^{th}$ vertex of G. By treating the pendent edge of a thorn graph as $P_2$, $K_2$, $K_{1,1}$, $K_1{\circ}K_1$ or $P_1{\circ}K_1$, we generalize a thorn graph by replacing $P_2$ by $P_m$, $K_2$ by $K_m$, $K_{1,1}$ by $K_{m,n}$, $K_1{\circ}K_1$ by $K_m{\circ}K_1$ and $P_1{\circ}K_1$ by $P_m{\circ}K_1$ and their respective generalized thorn graphs are denoted by $G_P$, $G_K$, $G_B$, $G_{KK}$ and $G_{PK}$ respectively. Many chemical compounds can be treated as $G_P$, $G_K$, $G_B$, $G_{KK}$ and $G_{PK}$ of some graphs in graph theory. In this paper, we obtain the bounds of the wiener index for these generalization of thorn graphs.

수직형 LPE에 의한 InGaAsP($1.3{\mu}m$)/InP 다층박막 결정성장 (The Thin Multi-Layer Crystal Growth of InGaAsP($1.3{\mu}m$)/InP bgy Vertical LPE System)

  • 홍창희;조호성;오종환;김경식;김재창
    • 한국항해학회지
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    • 제14권2호
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    • pp.77-82
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    • 1990
  • In this paper the results for thin multi-layer InGaAsP($1.3{\mu}m$)/InP crystal growth by vertical liquid epitaxial growing furnance have been presented. The growth rates of InGaAsP layer and InP layer at cooling rate of $0.3^{\circ}C$/min and the growing temperature of $630^{\circ}C$ were obtained as $0.11 {\mu}m$/min and $0.06 {\mu}m$/min, respectively, by the uniform cooling with two phase solution technique.

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1.55 $1.55{\mu}m$ InGaAsP/InGaAsP MQW 광흡수 변조기에서 구조변수가 소광특성에 미치는 영향 (Structural dependences of the extinction in an 1.55 $1.55{\mu}m$ InGaAsP/InGaAsP multiple-quantum-well electro-absorption modulator)

  • 민영선;심종인;어영선
    • 한국광학회지
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    • 제12권1호
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    • pp.40-47
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    • 2001
  • 초고속 디지털 광통신용 $1.55{\mu}m$ InGaAsP/InGaAsP MQW 광흡수 변조기에서 각종 구조변수들이 광흡수변조기 성능에 미치는 영향을 체계적으로 조사분석하였다. 일반적으로 행하여지는 양자우물 수 $N_w$, 양자우물 두께 $t_w$, detuning 양 $\Delta\lambda$, 소자길이 L과 같은 구조 파라미터들에 더불어 본 연구에서 새롭게 제안한 SCH 영역내에 n형으로 도핑된 길이 $t_n$가 소자 성능에 미치는 영향을 해석하였다 이를 통해 소자길이 L=$100{\mu}m$의 광흡수변조기에서 구동 전압 $V_{\alpha}$=0~-2V 영역에서 동작하고 기초흡수 -1.5dB 이하, -1V에서 -2.92dB 및 -2V에서 -10.0dB 이상의 소광비를 주는 우수한 성능을 갖는 초고속 광흡수 변조기 설계가 가능하였다.

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Genome Analysis of Naphthalene-Degrading Pseudomonas sp. AS1 Harboring the Megaplasmid pAS1

  • Kim, Jisun;Park, Woojun
    • Journal of Microbiology and Biotechnology
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    • 제28권2호
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    • pp.330-337
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    • 2018
  • Polycyclic aromatic hydrocarbons (PAHs), including naphthalene, are widely distributed in nature. Naphthalene has been regarded as a model PAH compound for investigating the mechanisms of bacterial PAH biodegradation. Pseudomonas sp. AS1 isolated from an arseniccontaminated site is capable of growing on various aromatic compounds such as naphthalene, salicylate, and catechol, but not on gentisate. The genome of strain AS1 consists of a 6,126,864 bp circular chromosome and the 81,841 bp circular plasmid pAS1. Pseudomonas sp. AS1 has multiple dioxygenases and related enzymes involved in the degradation of aromatic compounds, which might contribute to the metabolic versatility of this isolate. The pAS1 plasmid exhibits extremely high similarity in size and sequences to the well-known naphthalene-degrading plasmid pDTG1 in Pseudomonas putida strain NCIB 9816-4. Two gene clusters involved in the naphthalene degradation pathway were identified on pAS1. The expression of several nah genes on the plasmid was upregulated by more than 2-fold when naphthalene was used as a sole carbon source. Strains have been isolated at different times and places with different characteristics, but similar genes involved in the degradation of aromatic compounds have been identified on their plasmids, which suggests that the transmissibility of the plasmids might play an important role in the adaptation of the microorganisms to mineralize the compounds.