• 한국결정성장학회지
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• 제9권1호
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• pp.39-42
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• 1999

N-도핑된 3C-SiC (N-SiC(3C))을 화학기상증착(CVD)으로 $1250^{\circ}C$에서 Si(111) 기판 위에 tetramethylsilane(TMS)를 열분해하여 성장하였다. 수송가스는 $H_{2}$이었고, N-SiC(3C) 에피층은 CVD로 성장되는 동안 $NH_{3}$에 의하여 n-형으로 도핑되었다. N-SiC(3C)의 물리적 특성은 적외선 분광(FTIR), X-선 회절(XRD), 라만 스펙트럼(Raman spectrum), 단면 투과전자영상(XTEM), Hall 측정 및 p/n 다이오드의 전압-진압(I-V) 특성에 의하여 조사되었다. N-도핑된 SiC(3C) 에피층의 전도형은 n-형이었고, 전도형은 $NH_{3}$를 사용한 N-dopant에 의하여 저온에서 잘 조절될 수 있다.

• 한국결정성장학회지
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• 제12권4호
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• pp.196-201
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• 2002

The $AgInS_{2}$ epilayers with a chalcopyrite structure grown using a hot-wall epitaxy method have been confirmed to be a high quality crystal. From the optical absorption measurements, a temperature dependence of the energy band gap on $AgInS_{2}/GaAs$ was found to be $Eg(T)=2.1365eV-(9.89{\times}10^{-3}eV)T^{2}/(2930+T)$. After the as-grown $AgInS_{2}/GaAs$ was annealed in Ag-, S-, and In-atmospheres, the origin of point defects of $AgInS_{2}/GaAs$ has been investigated by using photoluminescence measurements at 10 K. The native defects of $V_{Ag},\;V_{S},\;Ag_{int}$ and $S_{int}$ obtained from photoluminescence measurements were classified as donors or accepters. It was concluded that the heat-treatment in the S-atmosphere converted $AgInS_{2}/GaAs$ to an optical p-type. Also, it was confirmed that In in $AgInS_{2}/GaAs$ did not form the native defects because In in $AgInS_{2}$ did exist in the stable form.

• 한국결정성장학회지
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• 제27권6호
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• pp.275-281
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• 2017

AlN는 넓은 밴드 갭 및 높은 열전도율로 인해 넓은 밴드 갭 및 고주파 전자 소자로 유망한 재료이다. AlN은 전력 반도체의 재료로서 더 큰 항복전압과 고전압에서의 더 작은 특성저항의 장점을 가지고 있다. 높은 전도도를 갖는 p형 AlN 에피층의 성장은 AlN 기반 응용 제품 제조에 중요하다. 본 논문에서는 Mg이 도핑된 AlN 에피층을 혼합 소스 HVPE에 의해 성장하였다. Al 및 Mg 혼합 금속은 Mg-doped AlN 에피 층의 성장을 위한 소스 물질로 사용하였다. AlN 내의 Mg 농도는 혼합 소스에서 Mg 첨가 질량의 양을 조절함으로써 제어되었다. 다양한 Mg 농도를 갖는 AlN 에피 층의 표면 형태 및 결정 구조는 FE-SEM 및 HR-XRD에 의해 조사하였다. Mg-doped AlN 에피 층의 XPS 스펙트럼으로 부터 혼합 소스 HVPE에 의해 Mg을 AlN 에피 층에 도핑할 수 있음을 증명하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2002년도 하계학술대회 논문집
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• pp.257-265
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• 2002

A stoichiometric mixture of evaporating materials for AgInS$_2$ single crystal thin films was prepared from horizontal furnace. To obtain the single crystal thin films, AgInS$_2$ mixed crystal was deposited on thoroughly etched semi-insulating GaAs(100) substrate by the Hot Wall Epitaxy(HWE) system. The source and substrate temperatures were 680 $^{\circ}C$ and 410 $^{\circ}C$, respectively. The crystalline structure of the single crystal thin films was investigated by the photoluminescence and double crystal X-ray diffraction(DCXD). The carrier density and mobility of AgInS$_2$ single crystal thin films measured from Hall effect by van der Pauw method are 9.35${\times}$10$\^$16/ cm$\^$-3/ and 294 $\textrm{cm}^2$/V$.$s at 293 K, respectively. From the optical absorption measurement, the temperature dependence of the energy band gap on AgInS$_2$ single crystal thin films was found to be E$\_$g/(T) : 2.1365 eV - (9.89 ${\times}$ 10$\^$-3/ eV) T$^2$/(2930 + T). After the as-grown AgInS$_2$ single crystal thin films was annealed in Ag-, S-, and In-atmospheres, the origin of point defects of AgInS$_2$ single crystal thin films has been investigated by using the photoluminescence(PL) at 10 K. The native defects of V$\_$AG/, V$\_$S/, Ag$\_$int/, and S$\_$int/ obtained from PL measurements were classified as a donors or acceptors type. And we concluded that the heat-treatment in the S-atmosphere converted AgInS$_2$ single crystal thin films to an optical p-type. Also, we confirmed that In in AgInS$_2$/GaAs did not form the native defects because In in AgInS$_2$ single crystal thin films did exist in the form of stable bonds.