Monomeric rhodium and iridium-diaryltetrazene complexes $Cp^*$M(RNN=NNR)($Cp^*$=1,2,3,4,5-pentamethylcyclope ntadienyl; M=Rh, Ir; R=Ph, 4-tolyl) have been synthesized from [$Cp^*MCl_2]_2$(M=Rh, Ir) and 2 equiv. of $[Li(THF)_x]_2(RN_4$R) in benzene. We have determined the crystal structure of (${\eta}^5$-pentamethylcyclopentadienyl)diphenyltetrazene iridium by using graphite-monochromated Mo-$K_a$ radiation. The compound was crystallized in the monoclinic space group $P2_{1/c}$ with a=13.781(3), b=9.035(l), c=17.699(3) ${\AA}$, and ${\beta}=111.93(l)^{\circ}$. An X-ray crystal structure of complex 1 showed a short N(2)-N(3) distance ($1.265 {\AA}$) consistent with the valence tautomer A with Ir(III) rather than Ir(I). All complexes are highly colored and decompose on irradiation at 254 nm. Electrochemical studies show that complex 1 displays a quasi-reversible reduction.
Objective: This study was conducted to investigate basic information on genetic structure and characteristics of Limousin population in Hungary. Obtained results will be taken into consideration when adopting the new breeding strategy by the Association of Hungarian Limousin and Blonde d'Aquitaine Breeders (AHLBB). Methods: Genetic diversity and phylogenetic relationship of 3,443 Limousin cattle from 16 different herds were investigated by performing genotyping using 18 microsatellite markers. Amplified DNA was genotyped using an automated genetic analyzer. Results: Mean of effective alleles ($n_e$) of the populations was 3.77. Population C had the lowest number of effective alleles (3.01) and the lowest inbreeding coefficient ($F_{IS}$) value (-0.15). Principal component analysis of estimated genetic distance ($F_{ST}$) values (p<0.000) revealed two herds (C and E) distinct from the majority of other Limousin herds. The pairwise $F_{ST}$ values of population C compared to the others (0.066 to 0.120) fell into the range of moderate genetic distance: 0.050 to 0.150, while population E displayed also moderate genetic distance ($F_{ST}$ values in range 0.052 to 0.064) but only to six populations (G, H, J, L, N, and P). $F_{ST(C-E)}$ was 0.148, all other pairs -excluding C and E herds- displayed low genetic distance ($F_{ST}$<0.049). Population D, F, I, J, K, L, N, O, and P carried private alleles, which alleles belonged to 1.1% of the individuals. Most probable number of clusters (K) were 2 and 7 determined by Structure and BAPS software. Conclusion: This study showed useful genetic diversity and phylogenetic relationship data that can be utilized for the development of a new breeding strategy by AHLBB. The results presented could also contribute to the proper selection of animals for further whole genome scan studies of Limousins.
HP0892 (SwissProt/TrEMBL ID O25552) is a 90-residue conserved hypothetical protein from Helicobacter pylori strain 26695, with a calculated pI of 9.38 and a molecular mass of 10.41 kDa. It belongs to the Plasmid stabilization system protein family (PF05016) in the Pfam database. Proteins with sequence similarity to HP0892 exist in Vibrio choierae, Enterococcus faecalis, Campylobacter jejuni, Streptococcus pneumoniae, Haemophilus influenzae, Escherichia coli O157. Here we report the sequence-specific backbone resonance assignments of HP0892 using multidimentional heteronuclear NMR spectroscopy. About 97.0% (422/435) of the HN, N, CO, $C{\beta}$, $C{\alpha}$ resonances of 90 residues of HP0892 were assigned. On the basis of the resonance assignments, three helical regions and four strand regions were identified using the CSI program. This study is a prerequisite for calculating the solution structure of HP0892, and will be useful for studying its interaction with other molecules.
A series of 5-oxaproline peptide derivatives was synthesized and evaluated for its ability to inhibit the prolyl 4-hydroxylase in vitro. Structure-activity studies show that the 5-oxaproline sequences, prepared by the 1,3-dipolar cycloaddition of the C-methoxycarbonyl-N-mannosyl nitrone in the presence of the ethylene, are more active than the corresponding proline derivatives. Prolyl 4-hydroxylase belongs to a family of $Fe^{2+}-dependent$ dioxygenase, which catalyzes the formation of 4-hydroxyproline in collagens by the hydroxylation of proline residues in -Gly-Xaa-Pro-Gly- of procollagen chains. In this paper we discover the more selective N-Cbz-Gly-Phe-Pro-Gly-OEt $(K_m\;=\;520\;{\mu}M)$ sequences which are showed stronger binding than others in vitro. Therefore, we set out to investigate constrained tetrapeptide that was designed to mimic the proline structure of pep tides for the development of prolyl 4-hydroxylase inhibitor. From this result, we found that the most potent inhibitor is N-Dansyl-Gly-Phe-5-oxaPro-Gly-OEt $(K_i\;=\;1.6\;{\mu}M)$. This has prompted attempts to develop drugs which inhibit collagen synthesis. Prolyl 4-hydroxylase would seem a particularly suitable target for antifibrotic therapy.
N-channel metal-ferroelectric-insulator-semiconductor field-effect-transistors (MFISFET's) by using $SrBi_2Ta_2O_9$/Silicon Nitride/Si (100) structure were fabricated. The fabricated devices exhibit comfortable memory windows, fast switching speeds, good fatigue resistances, and long retention times that are suitable for advanced ferroelectric memory applications. The estimated switching time and polarization ($2P_r$) of the fabricated FET measured at applied electric field of 376 kV/cm were less than 50 ns and about 1.5 uC/$\textrm{cm}^2$, respectively. The magnitude of on/off ratio indicating the stored information performance was maintained more than 3 orders until 3 days at room temperature. The $I_DV_G$ characteristics before and after being subjected to $10^11$ cycles of fatigue at a frequency of 1 MHz remained almost the same except a little distortion in off state.
Eun, Hye Rim;Woo, Sung Yun;Lee, Hwan Gi;Yoon, Young Jun;Seo, Jae Hwa;Lee, Jung-Hee;Kim, Jungjoon;Kang, In Man
Journal of Electrical Engineering and Technology
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제9권5호
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pp.1654-1659
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2014
Tunneling field-effect transistors (TFETs) are very applicable to low standby-power application by their virtues of low off-current ($I_{off}$) and small subthreshold swing (S). However, low on-current ($I_{on}$) of silicon-based TFETs has been pointed out as a drawback. To improve $I_{on}$ of TFET, a gate-all-around (GAA) TFET based on III-V compound semiconductor with InAs/InGaAs/InP multiple-heterojunction structure is proposed and investigated. Its performances have been evaluated with the gallium (Ga) composition (x) for $In_{1-x}Ga_xAs$ in the channel region. According to the simulation results for $I_{on}$, $I_{off}$, S, and on/off current ratio ($I_{on}/I_{off}$), the device adopting $In_{0.53}Ga_{0.47}As$ channel showed the optimum direct-current (DC) performance, as a result of controlling the Ga fraction. By introducing an n-type InGaAs thin layer near the source end, improved DC characteristics and radio-frequency (RF) performances were obtained due to boosted band-to-band (BTB) tunneling efficiency.
Mazhar, Muhammad;Hussain, S.M.;Rabbani, Faiz;Kociok-Kohn, Gabriele;Molloy, Kieran C.
Bulletin of the Korean Chemical Society
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제27권10호
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pp.1572-1576
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2006
A dimeric precursor, $[Cu(dmae)(OCOCH_3)(H_2O)]_2$ for the CVD of copper metal films, (dmaeH = N,N-dimethylaminoethanol) was synthesized by the reaction of copper(II) acetate monohydrate ($Cu(OCOCH_3)_2{\cdot}H_2O$) and dmaeH in toluene. The product was characterized by m.p. determination, elemental analysis and X-ray crystallography. Molecular structure of $[Cu(dmae)(OCOCH_3)(H_2O)]_2$ shows that a dimeric unit $[Cu(dmae)(OCOCH_3)(H_2O)]_2$ is linked to another through hydrogen bond and it undergoes facile decomposition at 300 C to deposit granular copper metal film under nitrogen atmosphere. The decomposition temperature, thermal behaviour, kinetic parameters, evolved gas pattern of the complex, morphology, and the composition of the film were also investigated.
황백으로부터 n-BuOH 추출물에서 약 50%의 hyaluronidase 저해효과가 있음이 확인되었다. n-BuOH 분획 농축물을 Sephadex LH-20 및 MCI gel CHP-20 column chromatography로 정제한 결과 저해활성을 가지는 Jatrorrhizine을 분리, 동정하였다. 황백추출물과 Jatrorrhizine은 모두 농도 의존적으로 NO 발현을 억제하였고, 100 ${\mu}g/mL$의 농도에서 60% 이상의 억제 효과를 나타내었다. 황백추출물과 Jatrorrhizine의 iNOS와 COX-2의 억제력을 살펴본 결과, 100 ${\mu}g/mL$의 농도에서 45% 및 29%의 저해효과를 나타내었다. 따라서 황백추출물 및 Jatrorrhizine은 LPS로 유도되어진 대식세포주인 Raw264.7 세포에서의 염증반응의 억제효과를 기대할 수 있었다.
Kim, Hogyoung;Yun, Hee Ju;Choi, Seok;Choi, Byung Joon
한국재료학회지
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제29권8호
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pp.463-468
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2019
The electrical and interfacial properties of $HfO_2/Al_2O_3$ and $Al_2O_3/HfO_2$ dielectrics on AlN/p-Ge interface prepared by thermal atomic layer deposition are investigated by capacitance-voltage(C-V) and current-voltage(I-V) measurements. In the C-V measurements, humps related to mid-gap states are observed when the ac frequency is below 100 kHz, revealing lower mid-gap states for the $HfO_2/Al_2O_3$ sample. Higher frequency dispersion in the inversion region is observed for the $Al_2O_3/HfO_2$ sample, indicating the presence of slow interface states A higher interface trap density calculated from the high-low frequency method is observed for the $Al_2O_3/HfO_2$ sample. The parallel conductance method, applied to the accumulation region, shows border traps at 0.3~0.32 eV for the $Al_2O_3/HfO_2$ sample, which are not observed for the $Al_2O_3/HfO_2$ sample. I-V measurements show a reduction of leakage current of about three orders of magnitude for the $HfO_2/Al_2O_3$ sample. Using the Fowler-Nordheim emission, the barrier height is calculated and found to be about 1.08 eV for the $HfO_2/Al_2O_3$ sample. Based on these results, it is suggested that $HfO_2/Al_2O_3$ is a better dielectric stack than $Al_2O_3/HfO_2$ on AlN/p-Ge interface.
We have performed simulation for Junction Field Effect Transistor(JFET) using Silvco to improve its electrical properties. The device structure and process conditions of Si-control JFET(Si-JFET) were determined to set its cut off voltage and drain current(at Vg=0V) to -0.5V and $300{\mu}A$, respectively. From electrical property obtained at various implantation energy, dose, and drive-in conditions of p-gate doping, we found that the drive in time of p-type gate was the most determinant factor due to severe diffusion. Therefore we newly designed SiGe-JFET, in which SiGe layer is to epitaxial layers placed above and underneath of the Si-channel. The presence of SiGe layer lessen the p-type dopants (Boron) into the n-type Si channel the phenomenon would be able to enhance the structural consistency of p-n-p junction. The influence of SiGe layer will be discussed in conjunction with boron diffusion and corresponding I-V characteristics in comparison with Si-control JFET.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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