• 한국축산식품학회:학술대회논문집
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• 한국축산식품학회 2006년도 정기총회 및 제37차 춘계 국제학술발표대회
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• pp.214-218
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• 2006

In the current study, ohmic combined with brine immersion thawing increased thawing time than plate contact type ohmic thawing even at low voltage. Moreover, rapid thawing resulted in high WHC and improved meat tenderness. The result indicated if the problems in safety would be solved, brine immersion type ohmic thawing could reduce processing time in industrial application promising both improved meat qualities and successful application in meat industry, and further works were needed.

• 대한전자공학회논문지
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• 제25권12호
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• pp.1663-1668
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• 1988

Ohmic contact process for the fabrication of GaAs integrated circuits is very important. Specific contact resistivities, assuming Rsm=Rs, were measured after the rapid and the conventional alloying process, respectively. The results show that the characteristics of ohmic contact through the rapid alloying process is much better (Apc=1.3~3.3x10**-7 \ulcorner-(m\ulcorner. This is probably due to intensive and compound energy densities during the rapid alloying process. New analysis method of TLM patterns viz. measurements of normlaized specific contact resistivities are proposed to reduce measurement errors that could occur when measuring the small contact end resistances. The adoption of rapid alloying process for the mass production of GaAs integrated circuits could greatly reduce the total processig time.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2004년도 하계학술대회 논문집 Vol.5 No.1
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• pp.417-420
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• 2004

The electrical effects of dry-etch on n-type GaN by an inductively coupled $Cl_2/CH_4/H_2/Ar$ plasma were investigated as a function of ion energy, by means of ohmic and Schottky metallization method. The specific contact resistivity(${\rho}_c$) of ohmic contact was decreased, while the leakage current in Schottky diode was increased with increasing ion energy due to the preferential sputtering of nitrogen. At a higher rf power, an additional effect of damage was found on the etched sample, which was sensitive to the dopant concentration in terms of the ${\rho}_c$ of ohmic contact. This was attributed to the effects such as the formation of deep acceptor as well as the electron-enriched surface layer within the depletion layer. Furthermore, thermal annealing process enhanced the ohmic and Schottky property of heavily damaged surface.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2006년도 하계학술대회 논문집 Vol.7
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• pp.406-407
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• 2006

This paper describes the ohmic contact formation between a TiW film as a contact material deposied by RF magnetron sputter and polycrystalline 3C-SiC films deposied on thermally grown Si wafers. The specific contact resistance (${\rho}_c$) of the TiW contact was measured by using the C-TLM. The contact phase and interfacial reaction between TiW and 3C-SiC at high-temperature were also analyzed by XRD and SEM. All of the samples didn't show cracks of the TiW film and any interfacial reaction after annealing. Especially, when the sample was annealed at $800^{\circ}$ for 30min., the lowest contact resistivity of $2.90{\times}10^{-5}{\Omega}cm^2$ was obtained due to the improved interfacial adhesion.

• Advances in Energy Research
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• 제8권4호
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• pp.253-264
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• 2022

This paper deals with the effects of design (active area, current density, membrane conductivity) and operating parameters (temperature, relative humidity) on the performance of hydrogen-fuelled proton exchange membrane (PEM) fuel cell. The design parameter of a PEM fuel cell with the active area of the single cell considered in this study is 25 cm² (5 × 5). The operating voltage and current density of the fuel cell were 0.7 V and 0.5 A/cm² respectively. The variations of activation voltage, ohmic voltage, and concentration voltage with respect to current density are analyzed in detail. The membrane conductivity with variable relative humidity is also analyzed. The results show that the maximum activation overpotential of the fuel cell was 0.4358 V at 0.21 A/cm² due to slow reaction kinetics. The calculated ohmic and concentrated overpotential in the fuel cell was 0.01395 V at 0.76 A/cm² and 0.027 V at 1.46 A/cm² respectively.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 1994년도 추계 학술발표 강연 및 논문 개요집
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• pp.170-170
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• 1994

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 1999년도 추계학술발표강연 및 논문개요집
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• pp.80-80
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• 1999

• 한국진공학회지
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• 제10권3호
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• pp.368-373
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• 2001

N형 InGaAs에 대한 Pd/Si/Ti/Pt 오믹 접촉 특성을 조사하였다. 증착 상태에서는 접촉 비저항을 측정할 수 없을 정도의 비오믹 특성을 보였으며, $375^{\circ}C$에서 10초 동안 열처리한 경우 $5\times10^{-3}\Omega\textrm{cm}^2$의 높은 접촉 비저항을 나타내었다. 그러나 열처리 시간을 60초로 연장할 경우 접촉 비저항이 $1.7\times10^{-6}\Omega\textrm{cm}^2$로 급격히 감소하였고, 열처리 조건을 $425^{\circ}C$, 10초로 변화시킬 경우 $2\times10^{-6}\Omega\textrm{cm}^2$의 접촉 비저항을 나타내었다. 또한 $450^{\circ}C$까지도 오믹 재료와 InGaAs의 평활한 계면을 유지하면서 우수한 오믹 특성을 나타내어, 화합물 반도체 소자의 오믹 접촉으로 충분히 응용가능하다.

• Applied Biological Chemistry
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• 제41권6호
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• pp.431-436
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• 1998

통전가열(ohmic heating)을 사과주스의 가열 살균에 적용해보기 위하여 가열기 형태와 전압, 파형, 주파수 등 전기적 요소가 사과주스 모델용액의 통전가열 속도에 미치는 영향을 알아보았다. 100 VAC, 60 Hz의 상용전류를 이용한 통전가열시 컬럼형 가열기에서 전극간의 간격이 29, 22, 17 mm로 줄어듬에 따른 모델용액의 가열속도는 $7.8,\;21.0,\;47.4^{\circ}C/min$으로 크게 증가하였으며 또한 전극의 수를 병렬로 1, 2, 3쌍으로 증가시킬 시에도 $29.2,\;49.8,\;74.6^{\circ}C/min$으로 비례적으로 증가하여 전극의 간격이 작을수록, 전극의 표면적이 증가할수록 가열속도는 크게 빨라지는 것으로 나타났다. $60\;Hz{\sim}60\;kHz$ 범위의 주파수 변화에 따른 가열속도 차이는 나타나지 않았으며 파형에 따른 가열속도는 positive saw tooth wave를 제외하고 변화가 거의 없었다. 전압을 40에서 100 VAC로 높임에 따라 가열속도는 $9.5^{\circ}C/min$에서 $83^{\circ}C/min$로 크게 증가하여 전압과 가열속도는 정비례 관계가 있음을 알 수 있었다. 통전가열과 상업적 살균방법으로 제조한 사과주스 간에는 이화학적 특성의 차이가 없었다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2008년도 추계학술대회 논문집 Vol.21
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• pp.150-150
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• 2008

본 연구에서는 Wet chemistry damage가 Nanopatterned p-ohmic electrode에 미치는 영향을 연구하였다. Nanopattern은 Metal clustering을 이용하여, P-GaN와 Ohmic형성에 유리한 Pd을 50$\AA$ 적층한 후 Rapid Thermal Annealing방법으로 $850^{\circ}C$, $N_2$분위기에서 3min열처리를 하여 Pd Clustering mask 를 제작하였다. Wet etching은 $85^{\circ}C$, $H_3PO_4$조건에서 시간에 따라 Sample을 Dipping하는 방법으로 시행하였다 Ohmic test를 위해서 Circular - Transmission line Model 방법을 이용하였으며, Atomic Force Microscopy과 Parameter Analyzer로 Nanopatterned GaN surface위에 형성된 Ni/ Au Contact에서의 전기적 분석과, 표면구조분석을 시행하였다. AFM결과 Wet처리시간에 따라서 Etching형상 및 Etch rate이 영향을 받는 것이 확인되었고, Ohmic test에서 Wet chemistry처리에 의한 Tunneling parameter와 Schottky Barrier Height가 크게 증/감함을 관찰하였다. 이러한 결과들은 Wet처리에 의해서 발생된 Defect가 GaN의 표면과 하부에서 발생되며, Deep acceptor trap 및 transfer거동과 밀접한 관련이 있음을 확인 할 수 있었다. 보다 자세한 Transport 및 Wet chemical처리영향에 관한 형성 Mechanism은 후에 I-V-T, I-V, C-V, AFM결과 들을 활용하여 발표할 예정이다.