• 전자공학회논문지A
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• 제33A권6호
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• pp.136-143
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• 1996

A simple analytic model for the planar junctions with multiple foating field limiting rings(FLR) is presented which yields analytic expressions for the breakdown voltage and optimum ring spacings. the normalized potential of each ring is derived as a function of the normalized depletion width and the ring spacing. Based on the assumption that the breakdwon occurs simulataneously at cylindrical junctions of FLR structure where the peak sruface electric fields are equal, the optimum ring spacings are determined. The resutls are in good agreement with the simulations obtained from two dimensional device simulation program MEDICI and with the experimental data reported. The normalized experessions allow a calculation of breakdown voltage and optimum spacing over a broad range of junction depth and background doping levels.

• 지구물리와물리탐사
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• 제15권2호
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• pp.66-74
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• 2012

이 연구에서는 다양한 환경에서 인공송신원 해양전자탐사 자료의 정확한 해석을 위해 3차원 모델링 알고리듬을 개발하고, 복잡한 탄화수소자원 개발 환경에서 인공송신원 해양전자탐사의 적용 가능성을 파악하고자 암염에 인접한 저류층 모형을 구성하고 그 반응을 계산 및 분석하였다. 모델링 알고리듬은 유한차분법에 기초하고 있으며 이차 전기장 정식화를 도입함으로써 빠르고 정확한 반응 계산이 가능하도록 하였다. 이 알고리듬의 정확성은 2층구조 모형에 대해 해석해 및 기존의 3차원 모델링 알고리듬의 결과와의 비교를 통해 검증되었다. 암염에 인접한 저류층 모형에서는 암염과 저류층 및 배경 매질의 경계에 존재하는 세 군데 송신원에 대한 전기장 및 자기장 반응을 파악하고, 배경매질의 반응으로 정규화한 전기장 및 자기장 반응도 분석하였다. 그 결과 세 군데 송신원에 대한 반응을 종합하면 정규화된 전자기장 반응으로부터 지하의 고비저항 이상체의 개수와 각각의 위치를 파악할 수 있었으며 탄성파탐사를 통해 암염의 구조가 사전 정보로 알려졌다면 저류층의 존재를 밝힐 수 있었다. 이 연구에서 개발한 알고리듬은 향후 다양한 환경에서 인공송신원 해양전자탐사 자료의 반응 분석은 물론 역산 알고리듬 개발에 유용할 것으로 기대된다.

• 정보학연구
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• 제4권3호
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• pp.77-86
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• 2001

본 논문에서는 접지평면위에 2개의 유전체 층을 가지는 저항띠 격자구조에서의 전자파 산란 문제를 수치해석 방법으로 잘 알려진 PMM 방법을 적용하여 저항띠의 저항을, 유전체층의 비유전율 및 두께, 입사각에 따라 수치해석하였다. 산란 전자계는 Floquet 모드 함수의 급수로 전개하였다. 경계조건은 미지의 계수를 구하기 위하여 적용하였고, 저항띠의 경계조건은 접선성분의 전계와 스트립 위의 전류와의 관계를 위해 적용하였다. 유전체층의 비유전율 및 두께가 커질수록 정규화된 반사전력이 커짐을 알 수 있었고, 스트립 폭의 값이 왼쪽에서 오른쪽으로 가면서 큰 값으로 이동하였다. 그리고 본 논문의 저항율이 영일 때 기존의 논문과 비교하여 매우 일치하였으며, 급변점에서의 대부분의 에너지는 입사각 이외의 다른 방향으로 산란된다.

• 한국산업정보학회논문지
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• 제4권1호
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• pp.102-109
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• 1999

본 논문에서는 접지평면위에 2개의 유전체 층을 가지는 완전도체 격자구조에서의 전자파 산란문제를 간단한 방수치해석 방법으로 잘 알려진 PMM방법을 적용하여 입사각에 따라 수치해석하였다. 산란전자계는 Floquet 모드 함수의 급수로 전개하였다. 경계조건은 미지의 계수를 구하기 위하여 적용하였고, 도체의 경계조건은 접선성분의 전계와 스트립 위의 전류와의 관계를 위해 적용하였다. 입사각이 수직일 때 비유전율이 증가함에 따라 기하광학적 반사전력의 변하는 최소점은 스트립 폭이 높은 값으로 이동한다는 것은 주목되며, 이때 수직입사시 대부분의 전력은 다른 각도의 방향으로 산란된다.

• 한국인터넷방송통신학회논문지
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• 제16권4호
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• pp.153-158
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• 2016

본 논문에서는 접지된 2중 유전체층 사이의 완전도체띠 격자구조에 의한 TE(transverse electric) 산란문제를 전자파 수치해석 방법으로 알려진 PMM(point matching method)을 이용하여 해석하였다. 경계조건들은 미지의 계수를 구하기 위하여 이용하였고 산란 전자계는 Floquet 모드 함수의 급수로 전개하였으며, 도체띠의 해석을 위해 완전도체 경계조건을 적용하였다. 완전도체띠의 폭과 주기, 접지된 2중 유전체층의 비유전율과 두께 및 입사각에 대해 정규화 된 반사전력을 계산하였다. 최소값을 가지는 변곡점들의 대부분의 반사전력은 입사각 이외의 다른 방향으로 산란된다. 접지된 2중 유전체층을 가지는 제안된 구조에 대한 수치결과들은 기존 논문의 수치해석 결과들과 비교하여 매우 잘 일치하였다.

• 한국인터넷방송통신학회논문지
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• 제15권2호
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• pp.65-70
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• 2015

본 논문에서는 접지된 2개의 유전체층 위의 완전도체띠 격자구조에 의한 TE (transverse electric)산란 문제를 전자파 수치해석 방법으로 알려진 PMM (point matching method)를 이용하여 해석하였다. 경계조건들은 미지의 계수를 구하기 위하여 이용하였고, 산란 전자계는 Floquet 모드 함수의 급수로 전개하였고, 도체띠의 해석을 위해 완전도체 경계조건을 적용하였다. 최소값을 가지는 변곡점들의 대부분의 반사전력은 입사각 이외의 다른 방향으로 산란된다. 완전도체띠의 폭과 주기, 2개 유전층의 비유전율과 두께 및 입사각에 대해 정규화된 반사전력을 계산하였다. 제안한 방법의 수치결과들은 기존의 FGMM (fourier galerkin moment method)를 이용한 수치해석 결과들과 비교하여 매우 잘 일치하였다.

• 한국인터넷방송통신학회논문지
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• 제16권2호
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• pp.87-92
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• 2016

본 논문에서는 2개 유전체층 위의 완전도체띠 격자구조에 의한 TE(transverse electric)산란 문제를 전자파 수치해석 방법으로 알려진 PMM(point matching method)를 이용하여 해석하였다. 경계조건들은 미지의 계수를 구하기 위하여 이용하였고, 산란 전자계는 Floquet 모드 함수의 급수로 전개하였으며, 도체띠의 해석을 위해 완전도체 경계조건을 적용하였다. 급변하는 대부분의 반사 및 투과전력은 입사각 이외의 다른 방향으로 산란된다. 완전도체띠의 폭과 주기, 입사각, 2개 유전층의 비유전율과 두께에 대한 정규화된 반사 및 투과전력을 계산하였다. 본 논문의 타당성을 검증하기 위하여 제안한 구조의 수치결과들은 기존의 수치해석 결과들과 비교하여 매우 잘 일치하였다.

• 한국인터넷방송통신학회논문지
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• 제17권2호
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• pp.83-88
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• 2017

본 논문에서는 2중 유전체층 사이의 완전도체띠 격자구조에 의한 TE(transverse electric) 산란 문제는 전자파 수치해석 방법으로 알려진 PMM(point matching method)를 이용하여 해석하였다. 경계조건들은 미지의 계수를 구하기 위하여 이용하였고, 산란 전자계는 Floquet 모드 함수의 급수로 전개하였고, 도체띠의 해석을 위해 완전도체 경계조건을 적용하였다. 완전도체띠의 폭과 주기, 2중 유전층 사이의 비유전율과 두께 및 입사각에 대해 정규화된 반사전력과 투과전력을 계산하였다. 최소값을 가지는 변곡점들의 대부분의 반사전력은 입사각 이외의 다른 방향으로 산란된다. 본 논문의 제안된 구조에 대한 수치결과들은 기존 논문의 수치해석 결과들과 비교하여 매우 잘 일치하였다.

• 전자공학회논문지A
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• 제32A권1호
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• pp.111-118
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• 1995

The three-dimentional effects on the breakdown voltage of non-reachthrough planar junctions which have the finite lateral radius of window curvature are analytically investigated. The critical electric fields at breakdown and the breakdown voltages are expressed successfully in a form which is normalized to the parallel plane case. The analytical results are in excellent agreement with the published results of experiment and the quasi-three-dimensional device simulation by MEDICI for non-reachthrough plane junctions having different background doping and junction depth. The results may be applicable to the estimations of breakdown voltages in many practical power devices.

• 전자공학회논문지D
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• 제36D권4호
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• pp.70-76
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• 1999

Punchthroush 원통형 접합의 항복전압에 대한 해석적 모델을 에피층의 두께와 nonpunchthrough 원통형 접합의 항복시 임계공핍영역폭이 함수로 제안하였다. 이 해석적 모델에서의 모든 거리변수와 전계 및 전위식을 정규화된 형태로 사용하므로써 항복전압을 소자의 물리적 parameter에 관계없이 쉽게 결정할 수 있게 하였다. 제안된 모델의 계산결과를 2차원 소자 Simulation Program인 MEDICI를 사용하여 얻은 결과와 비교하여 매우 잘 일치함을 보였다.