We have fabricated a novel Vertical Trench Hall-Effect Device sensitive to the magnetic field parallel to the sensor chip surface for non-contact angular position sensing applications. The Vertical Trench Hall-Effect Device is built on SOI wafer which is produced by silicon direct bonding technology using bulk micromachining, where buried $SiO_2$ layer and surround trench define active device volume. Sensitivity up to 150 V/AT is measured.
FeMr에 의해 교환 바이어스된 synthetic antiferromagnet(CoFe/Ru/CoFe)을 가진 Top Ta/NiFe/CoFe/Cu/CoFe/Ru/CoFe/FeMn/Ta 스핀 밸브 구조를 마그네트론 스퍼터링법에 의해 증착하였다. 이러한 스핀 밸브에서는 자유층, 구속층등의 두께 및 조성이 층간 결합력의 세기를 비롯한 자성특성에 영향을 미치게 된다 후방산란법은 두께 및 조성에 대한 절대정량이 가능하며 비파괴 분석법이라는 장점을 지니고 있으나, 원자번호가 20번 이상인 주기율표상의 인접원소로 이루어진 자성박막을 분석하는데 있어서 신호의 중첩현상으로 인해 분석이 불가능하였다 본 연구에서는 element-specific 한 분석기술인 양성자 여기 X선 검출법과, 절대 정량이 가능하고 깊이분해능을 현저히 향상시킨 grazing-exit 후방산란법 (RBS : Rutherford Backscattering Spectrometry)을 동시에 사용하여 상호 보완적인 분석을 함으로써 스핀밸브에 대한 성분 및 두께에 대한 정량분석을 수행하였다. 이를 위하여 먼저 spin valve 구조에서 자성층인 NiFe, CoFe, FeMn 단일층이 증착된 시료에 대한 표준화를 수행함으로써 spin valve 구조에서 grazing-exit 후방산란 스펙트럼 상의 중첩된 신호를 Simulation을 통하여 분리가 가능하였으며, 특히 Ru층의 두께는 단위의 정확도로 측정이 가능 하였다
기판/Ta/NiFe/Cu/NiFe/FeMn/Ta 스핀밸브에서 Ta 성막 후에 자유층 NiFe 스퍼터 증착시 가해진 기판 바이어스 전압에 의해 야기된 Ta/NiFe 계면에서의 원자섞임이 자기저항에 미치는 영향에 대해 조사하였다. 최대 자기 저항비 (MR ratio)를 나타내는 자유층의 적정두께는 바이어스 전압이 증가함에 따라 증가하였다. 이러한 현상의 원인은 바이러스 전압이 증가함에 따라 Ta과 NiFe의 원자섞임으로 계면에 있는 NiFe층 일부가 약한 강자성 또는 상자성화되어 스핀 비의존 산란을 하는 원자섞임층의 두께가 증가하였기 때문이다. 원자섞임층의 존재는 전기저항 변화와 자화량 변화로부터 증명하였다. 또 본 실험에서 비록 NiFe 증착시 기판 바이어스 전압이 변화더라도 최대 자기저항비를 갖는 최적 "유효" 자유층 두께는 기판 바이어스 전압에 무관하게 일정하였다.관하게 일정하였다.
Recently, the use of NAND flash memory is being increased as a secondary device to displace conventional magnetic disk. NAND flash memory, as one among non-volatile memories, has many advantages such as low power, high reliability, low access latency, and so on. However, NAND flash memory has disadvantages such as erase-before-write, unbalanced operation speed, and limited P/E cycles, unlike conventional magnetic disk. To solve these problems, NAND flash memory mainly adopted FTL (Flash Translation Layer). In particular, garbage collection technique in FTL tried to improve the system lifetime. However, previous garbage collection techniques have a sensitive property of the system lifetime according to write pattern. To solve this problem, we propose BSGC (Balanced Selection-based Garbage Collection) technique. BSGC efficiently selects a victim block using all intervals from the past information to the current information. In this work, SFL (Search First linked List), as the proposed block allocation policy, prolongs the system lifetime additionally. In our experiments, SFL and BSGC prolonged the system lifetime about 12.85% on average and reduced page migrations about 22.12% on average. Moreover, SFL and BSGC reduced the average response time of 16.88% on average.
${\gamma}-Fe_{2}O_{3}$ 입자의 보자력 특성을 향상시키기 위해 ${\gamma}-Fe_{2}O_{3}$ 입자표면상에 코발트 훼라이트를 결정화시켜 코발트 에피탁시얼 ${\gamma}-Fe_{2}O_{3}$ 입자를 제조하 였다. 피착층인 $Co_{x}Fe_{3-x}O_{4}$의 보자력은 x=1인 조성에서 가장 우수한 특성을 나타내었다. 반응 분위기를 초기 비산화성에서 산화성 분위기로 제어하여 제조한 시료의 자기 특성이 가장 우수하였으며 반응온도 $90^{\circ}C$에서 30분간 반응하면 ${\gamma}-Fe_{2}O_{3}$ 입자표면상에서의 코발트 훼라이트 피착 반응이 완료되었다.
기판/Py/Al2O3/Co(Py=Ni81Fe19) 터널접합의 TMR(Tunneling Magnetoresistance)에 미치는 기판과 부도체층의 효과를 보기위해 산화시간을 변화시키고 기판의 종류를 변화시켜며 전기적 특성을 측정하였다. 시료는 진공중에서 in-situ로 새도우마스크를 교환하며 제작하였다. 산화시간의 증가에 따라 터널접합의 저항은 증가하였으며 측정된 MR 값은 감소하였다. 터널 비저항이 0.17 M$\Omega$($\mu\textrm{m}$)2이하인 경우 MR이 관측되었다. 기판의 종류에 따른 MR 값은 열산화시킨 Si(111), Si(100), Cornng Glass 2948, Corning Glass 7059 순으로 감소하였다. MR 값의 부호와 변화를 불균일 전류의 흐름으로 설명하였다.
Myeonghee Lee;Byeong-Joo Kim;Miyeon Yoon;Kyeongdal Choi;Ji-Kwang Lee;Woo-Seok Kim
한국초전도ㆍ저온공학회논문지
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제25권4호
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pp.45-49
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2023
CORC, which is being studied as one of the conductors for large currents, is manufactured by symmetrically arranging several strands of high-temperature superconducting wires on a cylindrical former. It allows current to flow evenly between wires and has the advantage of being manufactured in a multi-layer structure to increase current capacity. In order to apply CORC to AC power devices, it is necessary to review the material of the former, which is the frame around which the superconducting wire is wound. In the case of metal formers, they are difficult to apply because eddy currents are generated in the former, and they do not have the flexibility to be manufactured into coils by winding them with CORC. In this paper, we compare and analyze the magnetization loss caused by an external alternating magnetic field of Litz wire, which is being considered as a former material for CORC, with the results from formers made of other materials. In addition, we experimentally examine the effect of reducing magnetization loss due to an external magnetic field in CORC using a split wire made by dividing a high-temperature superconducting wire into two using an etching method, and in CORC made with a non-split wire.
Gwantae Kim;Insung Park;Jeongtae Kim;Hosup Kim;Jaehun Lee;Hongsoo Ha
한국초전도ㆍ저온공학회논문지
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제25권4호
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pp.24-27
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2023
Until now, many research activities have been conducted to commercialize high-temperature superconducting (HTS) wires for electric applications. Most of all researchers have focused on enhancing the piece length, critical current density, mechanical strength, and throughput of HTS wires. Recently, HTS magnet for generating high magnetic field shows degraded performance due to the deformation of HTS wire by high electro-magnetic force. The deformation can be derived from widthwise thickness non-uniformity of HTS wire mainly caused by wet processes such as electro-polishing of metal substrate and electro-plating of copper. Gradient sputtering process is designed to improve the thickness uniformity of HTS wire along the width direction. Copper stabilizing layer is deposited on HTS wire covered with specially designed mask. In order to evaluate the thickness uniformity of HTS wire after gradient sputtering process, the thickness distribution across the width is measured by using the optical microscope. The results show that the gradient deposition process is an effective method for improving the thickness uniformity of HTS wire.
We investigated the evolution of magnetoresistance and magnetic property of tunneling magnetoresistive(TMR) device with microstructure and plasma oxidation time. TMR devices have potential applications for non volatile MRAM and high density HDD reading head. We prepared the tunnel magnetoresistance(TMR) devices of Ta($50{\AA}$)/NiFe($50{\AA}$)/IrMn($150{\AA}$)/CoFe($50{\AA}$)/Al($13{\AA}$)-O/CoFe($40{\AA}$)/FiFe($400{\AA}$)/Ta(($50{\AA}$) structure which have $100{\times}100\mu\textrm{m}^2$ junction area on $2.5{\times}2.5\textrm{cm}^2$ Si/$SiO_2$(($1000{\AA}$) substrates by an inductively coupled plasma(ICP) magnetron sputter. We fabricated the insulating layer using an ICP plasma oxidation method by with various oxidation time from 30 sec to 360 sec, and measured resistances and magnetoresistance(MR) ratios of TMR devices. We found that the oxidized sample for oxidation time of 80 sec showed the highest MR radio of 30.31 %, while the calculated value regarding inhomogeneous current effect indicated 25.18 %. We used transmission electron microscope(TEM) to investigate microstructural evolution of insulating layer. Comparing the cross-sectional TEM images at oxidation time of 150 sec and 360 sec, we found that the thickness and thickness variation of 360 sec-oxidized insulating layer became 30% and 40% larger than those of 150 sec-oxidized layer, repectively. Therefore, our results imply that increase of thickness variation with oxidation time may be one of the major treasons of the MR decrease.
미국 대서양 대륙주변부는 북미와 아프리카 대륙의 중생대 분열의 산물로서 화산성 기원 혹은 비화산성 기원인가에 대해 논란이 있어 왔다. 이를 규명하기 위하여 미국 남동부 해안에서 채취한 다채널 탄성파 단면도에 나타난 기반암들의 영상을 조사하였다. 가장 핵심적인 탄성파 영상의 하나는 전체적으로 쐐기 형상을 보이는 해양방향의 경사반사층들(seaward-dipping reflectors; SDR)이다. 이들은 화산성 열개주변부의 상징적인 기반암 구조로 알려져 있다. 연구지역에는 2 개조의 해양경사층 쐐기구조가 존재하였다: 하나는 기반암 경첩대 (basement hinge zone) 부근이고 ('the hinge SDR wedge'라고 명명), 다른 하나는 미국 동해안 자기이상대 (the East Coast magnetic anomaly)의 바다 쪽에 위치한다 ('the outer SDR wedge'라고 명명). 또한, 기반암 경첩대의 동쪽 지각에서는 "7.2 km/s 층"으로 알려진 높은 속도의 하부지각층과 함께 원만한 기복의 모호 불연속면 등이 관찰되었다. 이러한 기반암 구조와 잘 알려진 화산성 기원의 대륙주변부의 지각구조를 비교해 보아 미국 남동부 대륙주변부를 화산성 기원의 대륙주변부로 특징지었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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