• 공업화학
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• 제16권4호
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• pp.461-473
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• 2005

나노 기술은 현대 과학에 있어서 가장 주목 받고 있는 분야이며, 특히 나노미터 크기의 디멘션(dimension)을 가지는 나노 구조물의 제작은 나노 기술 연구의 출발점이며, 핵심 요소이다. 양극산화 알루미나 나노 템플레이트(anodicaluminum oxide or AAO nanotemplate) 기술은 상대적으로 공정이 쉽고 경제적이며, 대면적으로 나노 템플레이트의 제작이 가능하다는 장점을 가지고 있다. 또한 현재의 리소그래피 기술로는 달성하기 어려운 수준의 매우 큰 종횡비(aspect ratio)를 가능하게 하고, 조건을 변화시킴에 따라서 나노 템플레이트 기공의 직경 및 길이, 기공 밀도의 조절이 용이하다는 장점을 가지고 있어서 최근 10여 년간 매우 활발하게 이와 관련된 연구가 진행되어 왔으며, 다양한 나노 기술 분야로의 응용이 기대된다. 본 총설에서는 양극산화 알루미나 나노 템플레이트의 제조 및 응용에 대해 기술하였다.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2011년도 춘계학술발표대회
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• pp.37.1-37.1
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• 2011

Miniaturization of lenses has been widely researched by various scientific and engineering techniques. As a result, micro scaled lens structure could be easily achieved from various fabrication techniques; nevertheless it is still challenging to make nano scaled lenses. This paper reports a novel fabrication method of silicon nanotemplate for nanolens array. The inverse structure of nanolens array was fabricated on silicon substrate by reactive ion etching (RIE) process. This technique has a flexibility to produce different tip shapes using different pattern masks. Once the silicon nano-tip array structure is well-defined using an optimized recipe, it is followed by polymer molding to duplicate nanolens array from the template. Finally, the nanostructures formed on silicon nanotemplate and polymer replica were investigated using FE-SEM and AFM measurements. The nano scaled lens can be manufactured from the same template, also using other replication techniques such as imprinting, injection molding and so on.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제14권4호
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• pp.923-928
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• 2010

양극산화 알루미늄(anodic aluminum oxide, AAO) 나노템플레이트는 제작이 쉬우며, 저비용, 대면적 제작이 가능하다는 장점으로 인해 이를 나노 전자소자 제작에 응용하려는 많은 연구가 이루어지고 있다. 이러한 나노템플레이트를 이용하면 기공의 직경이나 밀도를 변화킴으로써 나노구조의 물질의 크기나 밀도를 제어할 수 있다. 따라서 본 논문에서는 나노 전자소자 제작에 응용할 수 있는 AAO 나노템플레이트를 2단계 양극산화법에 의해 제조하였다. 이를 위해 기존의 알루미늄 판 대신 실리콘 웨이퍼 상에 DC 마그네트론 스퍼터법으로 $2{\mu}m$ 두께의 알루미늄 박막을 증착하였고, 전해액으로 사용한 옥살산 용액의 온도 및 양극산화 전압에 따른 다공성 알루미나 막의 미세구조를 조사하였다. 전해액 온도가 $8^{\circ}C$에서 $20^{\circ}C$로 높아짐에 따라 다공성 알루미나 막의 성장속도는 86.2 nm/min에서 179.5 nm/min으로 증가하였다. 최적 조건에서 제작된 AAO 나노 템플레이트의 기공 직경 및 깊이는 각각 70 nm와 $1\;{\mu}m$이었다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2011년도 제42회 하계학술대회
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• pp.1495-1496
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• 2011

Anodic aluminum oxide (AAO) nanotemplates for nano electronic device applications have been attracting increasing interest because of ease of fabrication, low cost process, and possible fabrication in large area. The size and density of the nanostructured materials can be controlled by changing the pore diameter and the pole density of AAO nanotemplate. In this paper, AAO nanotemplate was fabricated by second anodization method. In addition, effects of electrolyte and anodization voltate on the microstructure of porous alumina films were investigated. Vertically well aligned pores had the average pore sizes of 15-70 nm and the length of approximately 40 ${\mu}m$.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제30권5호
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• pp.1131-1134
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• 2009

Preparation of graded materials displaying gradients of desired properties is one of the important issues and less-developed areas in materials chemistry. For the first time we demonstrate facile control of porosity and length in the pores of AAO template in lateral directions by controlled dipping method. To demonstrate the versatility of the proposed method, laterally graded silica nanotubes are also prepared by using the laterally graded AAO templates. The method demonstrated here will open numerous possibilities for obtaining a variety of graded materials with lateral gradients of catalytic, electrochemical, mechanical and optical properties on the nanoscale.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2006년도 하계학술대회 논문집 Vol.7
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• pp.146-147
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• 2006

본 논문에서 탄소나노튜브의 성장 제어를 위해 양극산화 알루미늄 템플레이트를 사용하였다. Si 기판위에 TiN과 Ni 층을 순서대로 증착하였으며 알루미늄을 그 위에 증착하였다. 또한 양극산화 과정은 수산법을 이용하였고 탄소나노튜브의 성장은 마이크로웨이브 플라즈마 화학기상증착법을 이용하여 성장하였다. 양극산화 알루미늄 층 과 탄소나노튜브의 관찰을 위해서 FE-SEM 을 사용하였으며 성장된 탄소나노튜브의 직경은 40 nm 이고 길이는 약 $1\;{\mu}m$ 내외로 확인되었다.

• 한국정밀공학회:학술대회논문집
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• 한국정밀공학회 2009년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.933-934
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• 2009

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제10권1호
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• pp.7-11
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• 2003

반도체 칩이나 전자제품에 사용되는 부품들은 작동할 때 발열을 하게 되며 발생한 열이 적절히 제거되지 않을 경우 제품 오작동의 원인이 된다. 이러한 열을 제거하기 위해 히트싱크(heatsink)와 냉각 팬 (cooling fan)을 조합한 냉각 구조가 사용된다. 그러나 히트싱크와 냉각 팬의 조합 구조는 복잡한 형상을 취하기 때문에 전기 전자 제품의 소형화 추세에 부응하기에는 어려움이 따른다. 냉각 효율은 히트싱크의 표면적과 히트싱크 제조시 사용된 재료에 따라 달라진다. 일반적인 냉각 구조의 한계를 극복하기 위한 방안으로써, Trach-etched 멤브레인의 표면과 기공(pore)에 무전해 금도금과 구리 도금을 실행하여 크기는 작으면서 표면적을 증가시킨 마이크로 히트싱크를 제조하였다. 제조한 마이크로 히트싱크의 구조는 주사현미경(SEM)과 광학 현미경으로 관찰하였으며, 일반적인 구리보다 열효율이 우수함을 방열 특성 실험을 통해 관찰하였다.

• 한국생산제조학회지
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• 제24권1호
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• pp.38-42
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• 2015

Polydimethylsiloxane (PDMS) is a widely used material for replicating micro-structures because of its transparency, deformability, and easy fabrication. At the nanoscale, however, it is hard to fill a nanohole template with uncured PDMS. This paper introduces several simple methods by changing the surface energy of a nanohole template and PDMS elastomer for replicating 100nm-scale structures. In the case of template, pristine anodic aluminum oxide (AAO), hydrophobically treated AAO, and hydrophillically treated AAO are used. For the surface energy change of the PDMS elastomer, a hydrophilic additive and dilution solvent are added in the PDMS prepolymer. During the molding process, a simple casting method is used for all combinations of the treated template and modified PDMS. The nanostructured PDMS surface was investigated with a scanning electron microscope after the molding process for verification.

• 전기화학회지
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• 제14권4호
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• pp.219-224
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• 2011

옥살산 수용액에서의 전기화학적 양극산화에 의한 자기정렬된 알루미나 나노템플레이트의 제조에 있어서 전해액 첨가제를 이용하여 기존 양극산화 법으로는 보고된 바 없는 160~200 V 범위의 자기 정렬 구간을 관찰하였다. 고전계 양극산화와 펄스분리법 및 화학적 기공확장을 거쳐 생성된 자기 정렬구조를 FE-SEM 으로 관찰한 결과 이 전압구간에서의 기공간격과 전압과의 관계는 2.2 nm/V 으로 기존 고전계 양극산화의 결과와 유사하게 나타남을 알 수 있었다. 또한 양극산화막의 성장속도는 약 60 ${\mu}m$/hr로 유사한 기공구조를 얻을 수 있는 인산 수용액에서의 연질 양극산화에 비해 약 30배로 높은 것을 알 수 있었다. 이러한 고찰을 통하여 기공간격 300 nm 이상의 나노템플레이트를 고속으로 제조할 수 있는 조건을 확립하였다.