• 제목/요약/키워드: n-screen

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터치스크린 기반 스마트폰에서 키보드 인접 오타 정정 방식을 이용한 입력어 추천 시스템 구축 (Implementation of Input Suggestion System using Neighbor Miss Touch Correction Method on Touch Screen Smartphones)

  • 권오상
    • 한국정보과학회:학술대회논문집
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    • 한국정보과학회 2012년도 한국컴퓨터종합학술대회논문집 Vol.39 No.1(D)
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    • pp.67-69
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    • 2012
  • 터치스크린 기반의 스마트폰의 경우 작고 좁은 입력 시스템을 가지고 있다. 또한 키들 간의 물리적인 경계가 없어 인접어가 잘못 입력 되는 터치 오류가 자주 발생한다. 본 논문은 스마트폰에서 키보드의 인접키가 잘못 터치 되어 발생하는 오류를 정정하고, 개인화 된 사용자의 입력 빈도에 기반한 입력어 추천 시스템인 Klice에 대하여 설명하고 있으며 기본 입력에 대비한 성능평가 결과도 소개한다. Klice는 현재 Apple사의 AppStore에서 다운 받을 수 있다.

Phosphors development for LED and PDP Applications

  • Park, Hee-Dong
    • 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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    • 한국정보디스플레이학회 2003년도 International Meeting on Information Display
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    • pp.368-369
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    • 2003
  • The recent development of InGaN-based white light emitting diodes (LEDs) has expanded their potential applications in areas such as white electric home appliances, backlight for mobile phone or notebook PC, and indoor lightings. In this lecture, recent researches related to the phosphors for LEDs applications and their luminescent properties were reviewed. PDPs are considered as the most potential flat panel displays with a large-screen size. Phosphors in PDPs directly affect the brightness and lifetime. So, many researchers have tried to improve the luminescence characteristics of the phosphors especially under vacuum ultraviolet (VUV) excitation. We overviewed recent research trends and conclusive achievements for the PDP phosphors.

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NC 선반 가공의 프로그래밍을 위한 대화형 그래픽 시스템 TIG

  • 이재원;조경래
    • 한국정밀공학회:학술대회논문집
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    • 한국정밀공학회 1991년도 춘계학술대회 논문집
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    • pp.243-250
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    • 1991
  • This paper concerns the development of NC programming system TIG (Turning with Interactive Graphics) with interactive graphics for turning operation. The system cosists of the processor, the post-processor and the system-user interface. Different from previous segment contour based NC graphic programming systems, the frliability and efficiencyof programming is realized by using Boolean operation with block unit based ICONs for the geometry definition. The tool motion can be also displayed on the screen together with the part contour. The system calculate automatically the number of passes based on the user specified cutting conditions.

방송통신융합서버스 보안위협 및 대응방안 연구

  • 강석철;박해룡
    • 정보보호학회지
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    • 제21권7호
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    • pp.18-22
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    • 2011
  • 최근 디지털 기술의 발탈로 방송과 통신의 경계가 허물어지면서 지금까지 없었던 새로운 융합서비스들이 지속적으로 출현하고 있다. 그동안의 방송과 통신은 독자적인 영역을 고집하며 서로 독립적으로 발전해왔다. 하지만, 방송통신융합기술의 발전, 네트워크 성능 향상 그리고 스마트 기기의 폭발적인 증가 등 여러 가지 요인으로 인해 다양한 융합서비스들이 출현 하게 되었으며 빠른 속도로 발전, 확산되고 있다. 논문은 융합서비스의 대표주자인 IPTV 서비스 보안 이슈는 물론 스마트TV, N-Screen, OPEN IPTV 등 IPTV가 발전함에 따라 새롭게 등장하는 융합서비스에 대한 보안위협을 분석하고 그에 대한 대응방안을 제시한다.

Stereoscopic Operators and Their Application

  • Gruts, Yu.-N.;Son, Jung-Young;Kang, Dong-Hoon
    • Journal of the Optical Society of Korea
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    • 제5권3호
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    • pp.90-92
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    • 2001
  • Direct and inverse mathematical operators of stereo transformation (stereo operators) are studied in this paper. The stereo operators install a one-to-one correspondence between three dimensional coordinates of any point in space and the stereo coordinates which can be displayed on the screen under the given conditions, i.e. stereo vision base and the position of viewer. The stereo operators can be applied to the analyses of stereoscopic image distortions when the stereo vision base and the position of viewer are changed.

n-type 결정질 태양전지의 Si 표면과 Ag/Al 사이의 Contact formation 형태론

  • 오동현;전민한;강지윤;정성윤;박철민;이준신;김현후
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2015년도 제49회 하계 정기학술대회 초록집
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    • pp.122.2-122.2
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    • 2015
  • n-type 실리콘은 p-type과 비교하여 더 높은 소수캐리어 lifetime 으로 금속 불순물에 대하여 더 좋은 내성을 갖는다. 고효율 실리콘 태양전지를 위하여 p-type 웨이퍼를 n-type으로 교체하여 빛을 조사했을 때, 광전자들이 형성되어 p-type과 비교하여 더 좋은 lifetime 안정성을 갖는다. n-type 태양전지의 전면 전극은 AgAl paste로 형성하였다. AgAl 페이스트는 소성 온도와 밀접하게 관련되어 전극의 접합 깊이에 영향을 미친다. p+ emitter 층에 파고드는 금속 접촉의 최적화된 깊이는 접촉 저항에 영향을 미치는 중요한 요소이다. 본 연구에서는 소성 조건을 변화시킴으로써, 금속 깊이의 효과적인 형성을 위한 소성 조건을 최적화하였다. $670^{\circ}C$ 이하의 온도에서 소성을 진행 하였을 때, 충분한 접촉 깊이를 형성하지 못하여 높은 접촉저항을 갖는다. 소성 온도가 증가함에 따라, 접촉 저항은 감소하였다. 최적 소성 온도 $865^{\circ}C$에서 측정된 접촉저항은 $5.99mWcm^2$이다. $900^{\circ}C$ 이상에서 contact junction은 emitter를 통과하여 실리콘과 결합하였다. 그 결과로 접촉저항 shunt가 발생한다.

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Validation of protein refolding via 1-dimensional 1H-15N heteronuclear single quantum correlation experiments

  • Kim, Boram;Choi, Joonhyeok;Ryu, Kyoung-Seok
    • 한국자기공명학회논문지
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    • 제23권4호
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    • pp.104-107
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    • 2019
  • Many proteins are expressed as an insoluble form during the production using Escherichia coli (E. coli) system. Although various methods are applied to increase their amounts of soluble expression, refolding is the only feasible way to obtain a target protein in some cases. Moreover, protein NMR experiments require 13C/15N-labeled proteins that can only be obtained from E. coli systems in terms of cost and technical difficulty. The finding of appropriate refolding conditions for a target protein is a time-consuming process. In particular, it is very difficult to determine whether the refolded protein has a native structure, when a target protein has no enzymatic activity and its refolding yield is very low. Here, we showed that 1-dimensional 1H-15N heteronuclear single quantum correlation (1D 1H-15N HSQC) experiment can be efficiently used to screen an optimal condition for the refolding of a target protein by monitoring both the structure and concentration of the refolded protein.

E-Beam evaporation을 이용한 전극 형성 공정이 결정질 실리콘 태양전지에 미치는 영향 분석 (Effect of Electrode Formation Process using E-beam Evaporation on Crystalline Silicon Solar Cell)

  • 최동진;박세진;신승현;이창현;배수현;강윤묵;이해석;김동환
    • Current Photovoltaic Research
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    • 제7권1호
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    • pp.15-20
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    • 2019
  • Most high-efficiency n-type silicon solar cells are based on the high quality surface passivation and ohmic contact between the emitter and the metal. Currently, various metalization methods such as screen printing using metal paste and physical vapor deposition are being used in forming electrodes of n-type silicon solar cell. In this paper, we analyzed the degradation factors induced by the front electrode formation process using e-beam evaporation of double passivation structure of p-type emitter and $Al_2O_3/SiN_x$ for high efficiency solar cell using n-type bulk silicon. In order to confirm the cause of the degradation, the passivation characteristics of each electrode region were determined through a quasi-steady-state photo-conductance (QSSPC).