• 한국전자파학회논문지
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• 제15권5호
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• pp.509-516
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• 2004

Cu 및 BCB 공정을 사용하여 고성능 RF 수동회로를 실리콘 기판 상에 구현하는 RF 수동 집적회로 공정을 개발하였다. 이러한 기술은 개별 수동소자를 통한 모듈 구현방식보다 훨씬 작고 저렴하며 우수한 성능의 RF모듈을 구현할 수 있게 하였다. 개발된 실리콘 수동 집적회로 공정으로 제작된 내경 225 um, 회전수 2.5의 인덕터는 2.7 nH의 인덕턴스를 가지며 1 ㎓ 이상에서 30 이상의 품질계수를 가지는 것으로 측정되었다. 또한 개발된 인덕터를 사용하여 WLCSP(Wafer Level Chip Scale Package) 형태의 수동회로를 제작하였다. 제작된 저역 여파기는 2차 고조파 억제를 위해 인덕터 내경 안에 병렬공진용 커패시터를 삽입하였고 2.45 ㎓에서 0.5 ㏈ 이하의 삽입손실을 보였다. 그리고 고역 여파기와 저역 여파기 구조를 가지는 발룬 회로는 2.45 ㎓에서 0.5 ㏈ 이하의 삽입손실과 182도의 출력 단자간 위상 차이를 보여주었다.

• 한국토양비료학회지
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• 제36권6호
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• pp.357-366
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• 2003

본 연구는 천연 zeolite를 파쇄하여 일정크기의 입제를 생산하는 과정에서 부산물로 생산되는 다량의 미분을 이용하여 양이온치환용량이 높은 입상의 흡착제를 개발할 목적으로 수행하였다. 천연 zeolite를 알카리 용액의 열수합성법을 활용하여 Na-P zeolite로 전환시켰다. 반응시간별 합성과정 중 광물학적 특성 변화를 X-선회절, 주사전자현미경, 화학조성 및 CEC의 변화를 통하여 구명하였다. 주상 Na-P zeolite의 입단은 천연 zeolite-숯혼합물을 약 3 mm 두께로 압축성형한 후 열처리하였으며, 연속적인 3 M NaOH 처리로 천연 zeolite의 주요구성광물인 climoptile, moderite, 장석 등의 광물이 파괴되고 새로이 구형의 Na-P zeolite가 24시간 처리에서 관찰되었다. 반응시간이 증가함에 따라 잔류용액 중 Si/AI비는 감소하였으며, 입단 크기의 증가에도 불구하고 Na-P zeolite의 CEC는 출발물질로 사용된 미분의 천연 zeolite에 비하여 2배 이상 증가하였다.

• 대한전자공학회논문지
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• 제17권6호
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• pp.58-64
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• 1980

최근 생휴의 신경계통에서 발생하는 징소한 전기경상의 관찰을 통하여 생휴의 신경작용을 연구하는 활동이 증대 되어가고 있다. 본논문에서는 개개의 신경세포에서 발생하는 징소전압을 측정하기 위하여 반도휴집적회로 제조기술을 이용하여 제작한 집적회로형 초미소전극배열의 제조방법과 전기적 특성에 관하여 기술하였다. 피측정극경세포의 크기와 종류에 따라 집적전극의 크기를 수μ∼수10μ 범위내에서 정확한 치수에 맞혀 제작할 수 있음을 실험적으로 확인하였다. 광학적 photolithograthy방법을 사용하여 전극의 형상을 결정하기 때문에 어떠한 형태의 전극도 만들 수 있다. 이 방법으로 만든 7소자전극위에 두께 3000A의 유리 절록층을 덮었을 때에 Rinser 용액중에서의 전극의 임피던스는 주파수 범위 10Hz∼1KHz 범위에서 약 1MΩ∼100KΩ 정도로 비교적 낮았지만 Si2N4, 절록층을 사용하면 Na+이온의 확산도 방지되고 임피이던스 특성도 보다 좋게 된다. 이 형식의 전극은 각각의 전치증폭기와 함께 단일Si? 위에 monolithic형태로 집적하여 제조할 수 있기 때문에 S/N 비와 임피이던스 특성을 훨씬 더 개선할 수 있다. 그리고 전극의 출력신호의 도출에 있어서는 multiplex 방식을 사용함으로써인출도선과 수를 감소시킬 다중신호측정도 가능하게 된다. 본방법으로 제조한 전극배열을 이용하여 실제로 생휴의 신경전위를 측정한 결과를 제시하였다.

• 한국주조공학회지
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• 제6권1호
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• pp.12-19
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• 1986

This study was undertaken to understand the formation mechanism of the hard spots in high strength brass. To investigate the behavior of the hard spots in the isothermal liquid state with varying silicon content, the rapidly quenched specimens were obtained by suctioning the melt into the silica tube and water quenching. To examine the growth process of the hard spots with holding time, the unidirectional solidification technique was used. The results of this study are summarized as follows: 1) With the addition of Fe in order to get the effects of grain refinement in high strength brass, the two different type of Fe-rich phases are occurred, which are defined as dendritic and globular phase. The chemical composition of the globular phase was different from that of the dendritic phase in that the globular phase contained Si. 2) With increasing Si content, the Fe-rich phase had a tendency to form globular phase. 3) As the holding time increased in the liquid state, globular was also prone to coalesce. The further growth of globular phase to large size was due to reducing the interfacial energy. 4) The primary phase of copper alloy was nucleated preferentially on the dendritic phase. It was noticeable that the dendritic phase acted as a grain refiner. However, the agglomerate (hard spots) which was composed of the globular phase decreased the mechanical properties of high strength brass. 5) Once the hard spots formed in the high strength brass casting, it was very difficult to remove them. This is due to the fact that their meting temperature is higher than the pouring temperature of high strength brass.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제18권6호
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• pp.618-622
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• 1997

The polysiloxane-bridged dinuclear metallocenes $[(SiMe_2O)_n-SiMe_2(C_5H_4)_2][(C_9H_7)ZrCl_2]_2$ (n=1 (7), 2 (8), 3 (9)) have been generated as a model complex for the immobilized metallocene at silica surface by treating the respective disodium salts of the ligands with 2 equivalents of $(C_9H_7)ZrCl_3$ in THF. All three complexes are characterized by $^1H$ NMR and measurement of metal content through ICP-MS. It turned out that the values of ${\Delta}{\delta}=[{\delta}_d-{\delta}_p]$, the chemical shift difference between the distal $({\delta}_d)$ and proximal $({\delta}_p)$ protons, for the produced dinuclear compounds (0.47 for 7, 0.49 for 8, and 0.5 for 9) were larger than the Δδ value of the known ansa-type complex holding the same ligand as a chelating one, that is just the opposite to the normal trend. In order to compare polymerization behavior of the dinuclear metallocene with the corresponding mononuclear metallocene, (Cp)$(C_9H_7)ZrCl_2$ was separately prepared. To investigate the catalytic properties of the dinuclear complexes and mononuclear metallocenes ethylene polymerization has been conducted in the presence of MMAO. The polymerization results display the typical activity dependence on polymerization temperature for all complexes. The most important feature is that the polymers from the dinuclear metallocenes represent enormously improved molecular weight compared with the polymer from the corresponding mononuclear metallocene. In addition, the influence of the nature of the bridging ligand upon the reactivities of the dinuclear metallocenes has also been observed.

• Current Photovoltaic Research
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• 제10권4호
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• pp.95-100
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• 2022

Solar cell is a device that converts photon energy into electrical energy. Therefore, absorption of solar spectrum light is one of the most important characteristics to design the solar cell structures. Various methods have emerged to reduce optical losses, such as textured surfaces, back contact solar cells, anti-reflection layers. Here, the anti-reflection coating (ARC) layer is typically utilized whose refractive index value is between air (~1) and silicon (~4) such as SiN_x layer (~1.9). This research is to print a material called polydimethylsiloxane (PDMS) to form a double anti-reflection layer. Light with wavelength in the range of 0.3 to 1.2 micrometers does not share a wavelength with solar cells. It is confirmed that the refractive index of PDMS (~1.4) is an ARC layer which decreases the reflectance of light absorption region on typical p-type solar cells with SiN_x layer surface. Optimized PDMS printing with analyzing optical property for cell structure can be the effective way against outer effects by encapsulation.

• 암석학회지
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• 제7권3호
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• pp.190-206
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• 1998

북부 소백산육괴의 중남부에 위치한 장군봉지역의 고생대 변성퇴적암류(조선누층군과 평안층군)에 대한 미구조와 변형작용과 변성광물들 성장(변성작용) 사이의 상대적인 시간관계를 연구하였다. 첫 번째 변성작용은 스태크상 클로리토이드 및 조립 흑운모와 안구상 홍주석 광물들의 결정화작용과 관련된 저압형 변성작용으로 인지된다. 이러한 변성작용은 동-서향의 등사 향사습곡(장군봉 습곡)과 그 축면엽리에 해당하는 S1 엽리면 형성과 관련된 D1 변형 이전의 비변형조건하에서 발생하는 고생대 변성퇴적암류에 광역적인 동-서향의 광물분대를 형성시켰다. 두 번째 변성작용은 직선 내지 곡선 형태의 내부엽리 Si를 갖는 십자석과 석류석 반상변정들의 성장과 관련된 중압형 변성작용이다. 이러한 변성작용은 장군봉 습곡 구성지층들의 부분적인 결손을 초래하는 동-서향 드러스트들의 발달과 관련된 D1 변형 이후의 비변형조건하에서 발생하였고, 동-서향의 예천전단대 형성과 관련된 D2 변형 동안에 계속 발생하여 고생대 변성퇴적암류에 역시 광역적인 동-서향의 광물분대를 형성시켰다. 세 번째 변성 작용은 팻치상 홍주석과 주상 내지 섬유상 규선석 그리고 조립 석류석 광물들의 성장과 관련된 쥬라기 춘양화강암에 의한 접촉변성작용이다. 이러한 접촉변성작용은 S3 파랑엽리면 형성과 관련된 D3 변형 이전의 비변형조건하에서 발생하였고, D3 변형의 전기단계 동안에 계속 발생하여 춘양화강암체의 근접부에 제한된 남-북향의 광물분대를 형성시켰다.

• 센서학회지
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• 제9권2호
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• pp.113-119
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• 2000

정류수 내 수소 가스를 감지할 수 있는 Pd 박막을 가진 Pd/Pt 게이트 MISFET 수소센서를 제조하였다. 감지게이트 MISFET와 기준 게이트 MISFET의 차동형 센서로 제작하여 MOSFET 고유의 드리프트를 최소화하였다. 수소유입으로 인한 드리프트는 $Si_3N_4/SiO_2$의 이중 게이트 절연막으로 줄였고, 수소에 의한 Pd의 격자 팽창에 의해 생기는 블리스터는 Pt을 넣어서 제거하였다. Pd 박막을 수소 여과기로 사용한 Pd/Pt 게이트 MISFET 센서로 측정한 결과 $0{\sim}500\;ppm$ 사이에서 선형적인 출력 특성을 얻을 수 있었다. 30 일간 $50^{\circ}C$의 정류수 속에서 장기안정도를 측정하였다. 전체적으로 감지 FET의 게이트 전압은 35 mV 상승하였고, 기준 FET는 48 mV 상승하여 안정한 특성을 나타내었다.

• 한국재료학회지
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• 제29권12호
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• pp.781-789
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• 2019

The prediction of Jominy hardness curves and the effect of alloying elements on the hardenability of boron steels (19 different steels) are investigated using multiple regression analysis. To evaluate the hardenability of boron steels, Jominy end quenching tests are performed. Regardless of the alloy type, lath martensite structure is observed at the quenching end, and ferrite and pearlite structures are detected in the core. Some bainite microstructure also appears in areas where hardness is sharply reduced. Through multiple regression analysis method, the average multiplying factor (regression coefficient) for each alloying element is derived. As a result, B is found to be 6308.6, C is 71.5, Si is 59.4, Mn is 25.5, Ti is 13.8, and Cr is 24.5. The valid concentration ranges of the main alloying elements are 19 ppm < B < 28 ppm, 0.17 < C < 0.27 wt%, 0.19 < Si < 0.30 wt%, 0.75 < Mn < 1.15 wt%, 0.15 < Cr < 0.82 wt%, and 3 < N < 7 ppm. It is possible to predict changes of hardenability and hardness curves based on the above method. In the validation results of the multiple regression analysis, it is confirmed that the measured hardness values are within the error range of the predicted curves, regardless of alloy type.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제24권11호
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• pp.900-904
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• 2011

In this paper, we investigated an anomalous hump phenomenon under the positive bias stress in p-type LTPS TFTs. The devices with inferior electrical performance also show larger hump phenomenon. which can be explained by the sub-channel induced from trapped electrons under thinner gate oxide region. We can confirm that the devices with larger hump have larger interface trap density ($D_{it}$) and grain boundary trap density ($N_{trap}$) extracted by low-high frequency capacitance method and Levinson-Proano method, respectively. From the C-V with I-V transfer characteristics, the trapped electrons causing hump seem to be generated particularly from the S/D and gate overlapped region. Based on these analysis, the major cause of an anomalous hump phenomenon under the positive bias stress in p-type poly-Si TFTs is explained by the GIDL occurring in the S/D and gate overlapped region and the traps existing in the channel edge region where the gate oxide becomes thinner, which can be inferred by the fact that the magnitude of the hump is dependent on the average trap densities.