• Korean Journal of Materials Research
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• v.6 no.6
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• pp.626-631
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• 1996

Reactive dc magnetron sputtering 법을 이용하여 증착한 molybdenum mitride 박막의 Cu 확산 방지막 특성을 조사하였다. Cu 확산 방지막으로서 molybdenum nitride 박막의 열적안정성을 관찰하기 위하여 molybdenum nitride 박막 위에 Cu를 evaporation 법으로 증착하고 진공 열처리하였다. Cu/r-Mo2N/si 구조는 $600^{\circ}C$, 30분간 열처리 시까지 안정하였다. 확산 방지막의 파괴는 $650^{\circ}C$, 30분간 열처리 시부터 격자 확산(lattice diffusion)이나 입계(grain boundary)과 결함(defect)을 통한 확산에 의해 나타나기 시작하였고, 이 때 molybdenum silicide과 copper silicide의 형성에 기인된 것으로 생각되었다. 열처리 이후 Cu/r-Mo2N/Si 사이의 상호반응이 증가하였다. 이는 Rutherford backscattering spectrometry, Auger electron spectroscopy 그리고 Nomarski microscopy 등의 분석을 통해 조사되었다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 1998.02a
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• pp.110-110
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• 1998

GaN는 직접천이형 에너지 캡을 가지며 In과 화합물을 형성할 경우 1.geV-3.4eV까지 다양한 에너지 캡을 가지므로 청색 발광소자 고출력소자 고온 전자소자둥 웅용성이 많 은 물절로서 각광을 받고 있다. 그러나 G랴‘에 적합한 기판이 없다는 문제점으로 인하여 F FET, LD와 같은 다양한 구조의 웅용에 제 약이 따랐다. 이에 본 연구에서는 RF(radio frequency) Plasma-Assisted MBE( molecular beam e epitaxy )를 이용하여 InxGaj xN/G암J 양자우물 구조를 성장하였다. 이렇게 성장된 I InxGaj xN 박막과 InxGaj xN/GaN 양자우물구조의 특성의 분석은 광학적 특성올 PL( p photoluminescence ) , 결 정 성 의 분석 은 XRD ( x-ray diffraction ), 표면 과 단변 의 계 변 특성은 SEM(scanning electron microscopy)을 이용하여 분석하였다. 저온 PL의 측정결 과 기판온도를 680$^{\circ}$C로 고정한 후 In cell의 온도를 650$^{\circ}$C에서 775$^{\circ}$C까지 증가함에 따라 I InxGaj xN에 관계된 피크위치가 약3이neV정도 red shift 함을 관찰할 수 있었다. 한편 I InxGaj xN/GaN 양자우물구조의 경우 PL피크가 3.2없eV로써 InxGaj- xN의 PL 피크에 비 해 에서 약 25me V 고에너지 이동이 관측되었으며 이것은 우불 내에서 에너지레벨의 c confinement효과에 의해 에너지의 변화에 의한 것엄올 확인하였으며, 양자우물 구조에서 우물의 두께를 줄임에 따라 변화 폭은 1이neV정도 고에너지 이동을 관찰할 수 있었다. X XRD 측정의 결과 In의 mole fraction에 따라 격자상수의 변화를 관찰하였으며, 결정 성의 변화를 피크의 세기로 관찰하였다 .. XRD로 판단한 In의 mole fraction은 0.2임을 알 았다 .. SEM 측정은 표변과 단면의 측정으로서 표연특성과 단면의 특성을 InxGaj xN, I InxGaj xN/GaN 양자우물 구조 모두 알아보았다. 측정 결과 InxGaj-xN의 성 장조건으로 기판온도가 낮아지면서 표면의 거칠기 정도가 증가하였으며,680$^{\circ}$C의 기판온도에서 성장 한 양자우물 구조에 있어서 매끄라운 표면올 얻올 수 있었다.

• Spatial Information Research
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• v.7 no.1
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• pp.1-12
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• 1999

The DTM(Digital Terrain Model) in GIS(Geographical Information System) shows the elevation from interpolation using data points surveyed. In panoramic flat landform, pixel size, resolution of source data may not be the problem in using DTM However, in mountainous landform like Korea, appropriate resolution accuracy of source data are important factors to represent the topography concerned. In this study, the difference in contour interval of source data, the resolution after interpolation, and different data structures were compared to figure out the accuracy of slope calculation using DTM from the topographic maps of Togyusan National Park Two types of GIS softwares, Idrisi(grid) ver. 2.0 using the altitude matrices and ArcView(TIN) ver. 3.0a using TIN were used for this purpose. After the analysis the conclusions are as follows: 1) The coarser resolution, the more smoothing effect inrepresenting the topography. 2) The coarser resolution the more difference between the grid-based Idrisi and the TIN-based ArcView. 3) Based on the comparison analysis of error for 30 points from clustering, there is not much difference among 10, 20, 30 m resolution in TIM-based Airview ranging from 4.9 to 6.2n However, the coarser resolution the more error for elevation and slope in the grid-based Idrisi. ranging from 6.3 to 10.9m. 4) Both Idrisi and ArcView could net consider breaklines of lanform like hilltops, valley bottoms.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2016.02a
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• pp.240-240
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• 2016

반도체 양자점은 불연속적인 에너지준위의 특성 때문에 고전적인 빛과는 다른 단일광자를 방출하여 양자정보 처리과정에 기본 요소로써 사용 될 수 있다. III-Nitride (III-N) 반도체 물질은 III족 원소의 구성비를 조절하였을 때 밴드갭 에너지차이가 크므로 깊은 양자 우물을 만들 수 있으며 최근에는 기존에 연구되던 III-Arsenide 기반의 반도체 양자점과 다르게 상온 (300 K) 동작 가능한 단일광자 방출원이 개발되었다.[1] 또한 약한 split-off 에너지 때문에 양자점 모양에 작은 비대칭성만 존재해도 큰 선형편광도를 가질 수 있다. 하지만 III-N 반도체 양자점의 이러한 특성에도 불구하고 이종기판과의 격자상수 불일치에 따른 많은 threading dislocation, 압전효과에 의한 큰 내부전기장에 의해 발광 효율이 떨어지는 등의 문제가 있다. 이를 해결하기 위해 반도체 양자점을 3차원 구조체와 결합하여 threading dislocation 및 내부전기장을 줄이는 연구들이 진행되고 있다.[2] 본 연구에서는 선택적 영역 성장 방식을 통해 마이크로미터 크기를 가지는 피라미드 형태의 3차원 구조체를 이용, 피라미드의 꼭지점에 형성된 InGaN/GaN 양자점의 광학적 특성에 대해 분석하였다. 저온(9 K)에서 마이크로 photoluminescence 측정을 통해 양자점의 발광파장이 피라미드의 옆면의 파장과는 다름을 확인하였다. 여기광의 세기에 따른 양자점의 발광 세기 측정하여 여기광에 선형 비례함을 보이고, 양자점의 편광도를 측정하여 선형 편광임을 확인하였다. 마지막으로, 광량에 대해 시간에 따른 상관관계를 측정함으로써 양자점이 양자 발광체의 특성을 보이는 지 확인하였다.

• Journal of Sensor Science and Technology
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• v.4 no.1
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• pp.9-14
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• 1995

To fabricate low field magnetic sensors using magnetoresistance(MR) effects, we deposited thin layers of $600{\AA}$ in thickness of Ni-Co(0.7Ni-0.3Co) alloy on slide glasses. In the layers we ordered 4 arms of the fullbridge sensors in the shape of grid structure to be inclined at an angle of $45^{\circ}$ to main axis and made the areal rate increase to 67%. While the response characteristics of the fabricated sensors had good linearity in the magnetic field of ${\pm}0.5mT$ ranges, the white noise was 0.2 nV and the voltage sensitivity was 7.6 $nV/{\mu}T$.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 1999.05a
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• pp.493-496
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• 1999

Ni/3C-SiC 옴믹 접합에 대한 미세구조적-접합 특성과의 상관관계를 규명하였다. 3C-SiC 웨이퍼 위에 저저항 전면 옴믹 적합층을 형성하기 위하여 Ni(t=300$\AA$)을 thermal evaporator를 사용하여 증착하고, 50$0^{\circ}C$, 80$0^{\circ}C$, 103$0^{\circ}C$ 온도에서 30분간(Ar 분위기) 열처리 한 후, scratch test를 실행하여 Ni/3C-SiC의 접착력 특성을 조사하였다. 여러 다른 온도에 따른 Ni/3C-SiC 층의 표면과 계면의 미세구조는 X-ray scattering 법을 사용하였다. 50$0^{\circ}C$ 에서 열처리된 Ni/3C-SiC 층은 가장 낮은 계면 평활도와 가장 높은 표면 평활도를 나타내었다. Ni/3C-SiC 접착력 분석에서 500 $^{\circ}C$ 열처리된 시편의 측정된 임계하중 값은 As-deposited 시편(12 N~ 13 N)보다 훨씬 낮은 2 N~3 N 범위의 값을 보였으나, 열처리 온도가 증가함에 따라 다시 높아지는 경향을 보였다. 미세구조 특성에서는 열처리 온도가 500 $^{\circ}C$ 이상에서는 NiSi$_2$silicides의 domain size는 결정성의 향상에 따라 증가되었다. 결정성 향상이 3C-SiC와 silicides 사이의 격자상수의 낮은 불일치를 완화시키는데 기여 하였 다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2005.05a
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• pp.92-95
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• 2005

The silver photodoping effect in amorphous AsGeSeS chalcogenide thin films for holographic recording has been investigated using a HeNe laser ($\lambda$=632.8 nm). The chalcogenide films prepared in this work were thinner in comparison with the penetration depth of recording light ($d_p$=1.66 mm). The variation of the diffraction efficiency $(\eta)$ in amorphous chalcogende films exhibits a tendency, independently of the Ag photodoping. That is, n increases relatively rapidly at the beginning of the recording process, reaches the maximum $({\eta}_{max})$ and slowly decreases. In addition, the value of ${\eta}_{max}$ depends strongly on chalcogenide film thickness(d) and its peak among the films with d = 40, 80, 150, 300, and 633 nm is observed at d = 150 nm (approximately 1/2n), where n is refractive index of the chalcogenide (n=2.0). The ${\eta}$ is largely enhanced by Ag photodoping into the chalcogenides. In particular, the value of hmax in a bilayer of 10-nm-thick Ag/150-nm-thick AsGeSeS film is about 1.6%, which corresponds to ~20 times in comparison with that of the AsGeSeS film (without Ag).

• Journal of the Korean Magnetics Society
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• v.10 no.3
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• pp.106-111
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• 2000

The magnetic thin films can be prepared without vacuum process and under the low temperature (<100 $^{\circ}C$) by ferrite plating. We have performed ferrite plating of M $n_{x}$Z $n_{0.22}$F $e_{2.78-x}$ $O_4$(x=0.00~0.08) films and N $i_{x}$Z $n_{0.22}$F $e_{*}$2.78-x/ $O_4$(x=0.00~0.15) films on cover glass at the substrate temperature 90 $^{\circ}C$. The crystal structure of the samples has been identified as a single phase of polycrystal spinel structure by x-ray diffraction technique. The lattice constant in the M $n_{x}$Z $n_{0.22}$F $e_{2.78-x}$ $O_4$films increases but in the N $i_{x}$Z $n_{0.22}$F $e_{*}$2.78-x/ $O_4$films decrease with the composition parameter, x. The saturation magnetization in the M $n_{x}$Z $n_{0.22}$F $e_{2.78-x}$ $O_4$films does not greatly change, in agreement with observations on bulk samples.k samples.k samples.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.11 no.3
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• pp.191-196
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• 2001

GaN is a key material for blue and ultraviolet optoelectronics. Postannealing process was employed to investigate the structural change and the effect on electrical property of the GaN thin film grown on reactive ion beam(RIB) treated sapphire (0001) substrate. Full width half maximum (FWHM) of double crystal x-ray diffraction (DCXRD) spectra and Hall mobility of the specimen were significantly changed depending on the postannealing time at $1000^{\circ}C$ in N2 atmosphere. FWHM of DCXRD reduced upto about 50arc-sec and the mobility increased about $80\textrm{cm}^2$/V.sec. The postannealed specimen with the best mobility was compared with sample without annealing by TEM. The former sample showed a decrease in the lattice strain and reduction of dislocation density by about 56~59%. This implies that there is a strong correlation between crystalline quality and the electrical property of the film. The Present results clearly show that the combination of RIB pretreatment and proper post annealing conditions results in the improved properties of GaN films grown by MOCVD.

• The Sea:JOURNAL OF THE KOREAN SOCIETY OF OCEANOGRAPHY
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• v.24 no.2
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• pp.208-225
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• 2019

To understand the mean surface circulation and surface currents in the East Sea, trajectories of surface drifters passed through the East Sea from 1991 to 2017 were analyzed. By analyzing the surface drifter trajectory data, the main paths of surface ocean currents were grouped and the variation in each main current path was investigated. The East Korea Warm Current (EKWC) heading northward separates from the coast at $36{\sim}38^{\circ}N$ and flows to the northeast until $131^{\circ}E$. In the middle (from $131^{\circ}E$ to $137^{\circ}E$) of the East Sea, the average latitude of the currents flowing eastward ranges from 36 to $40^{\circ}N$ and the currents meander with large amplitude. When the average latitude of the surface drifter paths was in the north (south) of $37.5^{\circ}N$, the meandering amplitude was about 50 (100) km. The most frequent route of surface drifters in the middle of the East Sea was the path along $37.5-38.5^{\circ}N$. The surface drifters, which were deployed off the coast of Vladivostok in the north of the East Sea, moved to the southwest along the coast and were separated from the coast to flow southeastward along the cyclonic circulation around the Japan Basin. And, then, the drifters moved to the east along $39-40^{\circ}N$. The mean surface current vector and mean speed were calculated in each lattice with $0.25^{\circ}$ grid spacing using the velocity data of surface drifters which passed through each lattice. The current variance ellipses were calculated with $0.5^{\circ}$ grid spacing. Because the path of the EKWC changes every year in the western part of the Ulleung Basin and the current paths in the Yamato Basin keep changing with many eddies, the current variance ellipses are relatively large in these region. We present a schematic map of the East Sea surface current based on the surface drifter data. The significance of this study is that the surface ocean circulation of the East Sea, which has been mainly studied by numerical model simulations and the sea surface height data obtained from satellite altimeters, was analyzed based on in-situ Lagrangian observational current data.