• 전자공학회논문지
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• 제51권7호
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• pp.49-59
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• 2014

개구면 결합 마이크로스트립 패치 안테나(aperture coupled microstrip patch antenna; ACMPA)의 급전 기판의 유전상수와 두께가 안테나 대역폭과 방사특성에 미치는 영향에 대하여 연구하였다. 급전 기판의 두께가 같은 여러 가지 유전상수의 급전기판을 가지는 ACMPA의 최적화된 반사손실 대역폭은 방사특성의 저하 없이 급전기판의 유전상수가 감소할수록 대역폭이 증가한다. MMIC(monolithic microwave integrated circuit)와 집적화가 가능한 높은 유전상수(${\epsilon}_r=10$)를 가지는 급전 기판을 사용한 ACMPA의 최적화된 반사손실 대역폭은 방사특성의 저하 없이 급전 기판의 두께가 감소할수록 대역폭이 증가한다. 따라서 ACMPA는 MMIC와 집적화하기에 좋은 구조를 가진 패치 안테나이다.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2002년도 ITC-CSCC -1
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• pp.654-657
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• 2002

This paper introduces the design and implementation of 40-㎓-band low noise amplifier (LNA) with ultra low gain flatness for wide-band wireless multimedia and satellite communication systems. The 40-㎓-band 4-stage LNA MMIC (Monolithic Microwave Integrated Circuit) demonstrates a small signal gain of more than 20 ㏈, an input return loss of 10.3 ㏈, and an output return loss of 16.3 ㏈ for 37$\square$42 ㎓. The gain flatness of the 40-㎓-band 4-stage LNA MMIC was 0.1 ㏈ for 37$\square$42 ㎓. The noise figure of the 40 ㎓-band LNA was simulated to be less than 2.7 dB for 37~42 ㎓. The chip size of the 4-stage LNA MMIC was 3.7${\times}$1.7 $\textrm{mm}^2$.

• 한국전자파학회논문지
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• 제11권2호
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• pp.294-301
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• 2000

RF(radio frequency) 시스템의 송신탄을 설계할 때 고려해야 할 중요한 요소 중의 하나인 EMI(Electro magnetic interference)의 규격시험에서 항상 문제시되는 것이 송신기의 출력 스펙트럼에서 나타나는 불요 신호(Spurious interference) 이다. 이 불요 성분들 중 특히 문제가 되고 있는 것이 국부발진기(LO; Local oscillator)로부터 누설되는 LOL(Local oscillator leakage) 성분이다. 이 LOL성분은 국부발진기에서 누설(leakage)되어 RF단의 증폭기를 통하여 증폭되어 최종 출력에서 매우 높은 선호의 크기로 나타난다. 일반적으로 LOL을 제거하기 위해 서 너치필터(Notch filter) 또는 대역통과필터 (Band pass filter)를 사용해왔다. 본 논문에서는 국부발진기로부터 누설되는 불요 성분, 즉 LOL성분을 제거하는 방법으로 LOL과 동일한 크기를 가지고 위상 차이가 $180^{\circ}$인 신호를 국부발전기의 출력에서 만들어 믹서( Mixer)의 출력단에 더함으로써 LOL성분을 효과적으로 제거한다. 본 방 식을 무선랜(WLAN; Wireless 1$\infty$al area network) 시스템에 적용한 결과. 기존의 방식보다 30 dB 이상 LO 누설선호플 감쇄시킬 수 있었다 또한 본 방식은 RF 시스댐을 소형화 및 MMIC(Monolithic microwave integrated C circuit)화 할 경우 종전의 방법보다 효과적일 것으로 기대된다.

• 한국전자파학회:학술대회논문집
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• 한국전자파학회 2005년도 종합학술발표회 논문집 Vol.15 No.1
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• pp.111-114
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• 2005

The isolation performance of the S-band single-pole single-throw (SPST) monolithic microwave integrated circuit (MMIC) switch with two different RF-interconnection approaches, microstrip and grounded coplanar waveguide (GCPW) lines, are investigated. On-to-off isolation is improved by 5.8 dB with the GCPW design compared with the microstrip design and additional improvement of 6.9dB is obtained with the coplanar wire-bond interconnection (CWBI) at 3.4 GHz. The measured insertion loss and third-order inter-modulation distortion (IMD3) are less than 2.43 dB over 2.5 CHz $\sim$ 4 GHz and greater than 64 dBc.

• 한국자기학회지
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• 제11권3호
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• pp.109-113
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• 2001

Presently, an inductor adapted at MMIC (Monolithic Microwave Integrated Circuit) which is used for cellular phone or PHS operates at quasi-microwave range over 800 MHz. However, a W-CDMA (Wideband Code Division Multiple Access) will use about 2 GHz range. Therefore magnetic film device should be compatible up to 2 GHz. We have deposited Co-Pd-Al-O system film using rf sputtering method which is expected up to 2 GHz, and investigated the effect of Pd content and magnetic field annealing. When Pd composition is 19%, Hk was 118 Oe, and ${\mu}$′showed flat frequency characteristics up to 1.5 GHz. The Q factor (=${\mu}$′/${\mu}$") was 23.3 at 1 GHz, 6.7 at 1.5 GHz and 1.5 at 2 GHz, respectively. Resonance frequency was 2 GHz. Therefore Co-Pd-Al-O thin film could be used at over 1 GHz, and also expected as an inductor material for wide band CDMA type cellular phone.

• Journal of information and communication convergence engineering
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• 제15권2호
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• pp.112-116
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• 2017

In this work, we demonstrated a low noise and high linearity low noise amplifier (LNA) monolithic microwave integrated circuit (MMIC) with novel active bias circuit for LTE applications. The device technology used in this work relies on a process involving a $0.25-{\mu}m$ GaAs pseudomorphic high electron mobility transistor (PHEMT). The LNA MMIC with a novel active bias circuit has a small signal gain of $19.7{\pm}1.5dB$ and output third order intercept point (OIP3) of 38-39 dBm in the frequency range 1.75-2.65 GHz. The noise figure (NF) is less than 0.58 dB over the full bandwidth. Compared with the characteristics of the LNA MMIC without using the novel active bias circuit, the OIP3 is improved about 2-3 dBm. The small signal gain and NF showed no significant change after using the active bias circuit. The novel active bias circuit indeed improves the linearity performance of the LNA MMIC without degradation.

• 한국전자파학회논문지
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• 제20권3호
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• pp.264-272
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• 2009

본 논문에서는 다수의 MMIC 전력증폭기 칩과 박막 기판을 결합하여 MIC 모듈을 구성함으로써 Ka-대역 중심주파수에서 10 W의 출력 전력을 낼 수 있는 전력증폭기 모듈을 설계 및 제작하였다. 전력증폭기 모듈의 제작에는 밀리미터파 대역에 적합한 수정된 형태의 윌킨슨 전력분배기/합성기를 사용하였고, 모듈의 구성 과정에서 발생할 수 있는 손실을 줄이고 공진을 억제하기 위해 CBFGCPW-Microstrip 천이 구조를 활용하였다 전력증폭기 모듈은 총 7개의 MMIC 칩으로 구성되었으며 MMIC 칩을 펄스 모드로 동작시키기 위해 칩의 게이트에 펄스 전압을 인가하는 게이트 전압 제어기가 설계되고 적용되었다. 제작된 전력증폭기 모듈의 측정 결과 58 dB의 전력 이득과 39.6 dBm의 포화 출력 전력을 얻을 수 있었다.

• Journal of electromagnetic engineering and science
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• 제11권4호
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• pp.290-297
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• 2011

Recent progresses in the live electrooptic imaging (LEI) technique are reviewed with emphasis on its functionality of real-time visual accesses to traveling electric waves in the GHz range. Together with the principles, configurations, and procedures for the visual observation experiments by an LEI camera system, the following results are described as examples indicating the wide application ranges of the technique; Ku-band waves on arrayed planar antennas, waves on a Gb/s-class digital circuit, W-band waves traveling both in slab-waveguide modes and aerially, backward-traveling wave along composite right/left-handed transmission line, and, waves in monolithic microwave integrated circuit module case.

• ETRI Journal
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• 제29권5호
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• pp.673-675
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• 2007

We present the design and fabrication of a 60 GHz medium power amplifier monolithic microwave integrated circuit with excellent gain-flatness for a 60 GHz radio-over-fiber system. The circuit has a 4-stage structure using microstrip coupled lines instead of metal-insulator-metal capacitors for unconditional stability of the amplifier and yield enhancement. The gains of each stage of the amplifier are modified to provide broadband characteristics of input/output matching for the first and fourth stages and to achieve higher gains for the second and third stages to improve the gain-flatness of the amplifier for wideband.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2003년도 하계학술대회 논문집 Vol.4 No.2
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• pp.861-863
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• 2003

In this work, the preparations and characteristics of capacitors and inductors for RF IC as a integrated devices are investigated. These kinds of capacitors and inductors can be applicable to the passive components utilized in voltage controlled oscillator(VCO), low noise amplifier(LAN), mixer and synthesizer for mobile telecommunication of radio frequency band(900 MHz to 2.2GHz), and in a library of monolithic microwave integrated circuit(MMIC). The results show that these inductors and capacitors array for RF IC may be applicable to the RF IC passive components for mobile telecommunication.