Equal channel angular pressing (ECAP) technique had been adapted to the Mg alloy (AZ31) for achieving effective grain refinement through severe deformation. The average grain size of $2.5{\mu}m$ could be obtained after 4 passes. The stability of the ECAPed structure at elevated temperatures was examined by annealing the ECAPed materials over a wide range of temperature between 473 and 748 K. The average activation energy, Q, for static grain growth of 1, 2 and 3 passes was 33.7 kJ/mole (=0.25QL, activation for lattice diffusion). The abnormally low Q value in the lower temperature range may indicate that grain growth occurs in the unrecrystallized microstructure where non-equilibrium grain boundaries containing a large number of extrinsic dislocations exist. The yield stresses of the ECAPed alloys decreased whereas the elongations increased after the ECAP process. These results should be related to the modification of texture for easier slip on basal plane.
Enhancement of wear resistance of components used in fast reactors is necessary for long service life of the components. Plasma nitriding is a promising surface modification technology to impart high hardness and improved wear resistance of various steel components. This study discusses the characterization of chrome nitrided SS316L casing ring used in secondary sodium pump of fast breeder reactor and its stability under long term sodium exposure. Microstructural and hardness analysis showed that stress relieved component could be chrome nitrided successfully to a thickness of about 100 ㎛. Assessment of in-sodium performance of the chrome nitrided casing ring subjected to long term exposure up to 5000h at 550℃, showed retention of chrome nitrided layer with a case depth almost similar to that before sodium exposure. A slight decrease in the hardness was observed due to prolonged high temperature sodium exposure. Tribological studies indicate very low coefficient of friction indicating the retention of good wear resistance of the coating even after long term sodium exposure.
The Al-Cr-Zr composite metal powders were prepared by mechanical alloying and consolidated by vacuum hot pressing. The microstructural characteristics and the thermal stability of the MA Al-Cr-Zr alloys were evaluated by means of microhardness measurement, XRD and TEM in order to develop high temperature, high strength aluminum alloys. The mechanical alloying was conducted in attritor with 300rpm for 20 hours. The density of the vacuum hot pressed Al-Cr-Zr alloy reached at 97% of theoretical one. After exposing at $300^{\circ}C$ for 100 hours, there is almost no variation in hardness change of the MA alloys. Even after exposing at $ 500^{\circ}C$ for 100 hours, the hardness of the alloy was decreased within 6% of the initial value. The fine stable $Al_3Zr\;and\; Al_{13}Cr_2$ intermetallics were formed at the stage of consolidation and heat treatment in aluminum matrix. The good thermal stability of the MA Al-Cr-Zr alloy can ab attributed to the role of the dispersoids, inhibiting grain growth of nanocrystalline, and the final grain size after heat treatment was less than 150nm.
Kim, Yeong-Uk;Lee, Nae-In;Go, Jong-U;Kim, Il-Gwon;An, Seong-Tae;Lee, Jong-Sik;Song, Se-An
Korean Journal of Materials Research
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v.3
no.2
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pp.158-165
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1993
Abstract To investigate the effect of underlying Si on the thermal stability of the TiS$i_2$ film, TiS$i_2$ films obtained by the solid-state reaction of the Ti film on as-deposited or on heat-treated poly-silicon and amorphous-silicon were annealed at 90$0^{\circ}C$ for various times. The poly-Si film was evaluated by XRD, SEM and TEM. The thermal stability of the TiS$i_2$ film was evaluated by measuring the sheet resistance and microstructural evolution during furnace annealing. Agglomeration of the TiSi, film occurred more on amorphous-Si than on poly-Si. The thermal stability of the TiS$i_2$ film was improved by annealing poly-Si. The Si layer crystallized from amorphous-Si has an equiaxed structure with the (111) preferred orientation whereas for as-deposited poly-Si has a columnar structure with the (110) orientation. Better thermal stability of the TiS$i_2$ film can be obtained by the higher surface energy of underlying poly-Si.
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.26
no.3
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pp.115-120
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2016
$CeO_2$ is used as a co-catalyst with $TiO_2$ to improve the catalytic activity of $MnO_x$ and characterization of nano-sized powder is identified with de-NOx efficiency. A comparison between $MnO_x-CeO_2/TiO_2$ and single $CeO_2$ was conducted in terms of microstructural analysis to observe the behavior of $CeO_2$ in the ternary catalyst. The $MnO_x-CeO_2/TiO_2$ catalyst was synthesized by sol-gel method and the average particle size of the single $CeO_2$ is about $285{\mu}m$ due to the low thermal stability, whereas the particle size $MnO_x-CeO_2/TiO_2$ is about 130 nm. The strong interaction between Ce and Ti was identified through the EDS mapping by transmission electron microscopy (TEM). The improvement about 20 % of $de-NO_x$ efficiency is observed in the low-temperature ($150^{\circ}C{\sim}250^{\circ}C$) and vigorous oxygen exchange by well-dispersed $CeO_2$ is the reason of catalytic activity improvement.
Park, Beom-Kyeong;Lee, Jong-Won;Lee, Seung-Bok;Lim, Tak-Hyoung;Park, Seok-Joo;Song, Rak-Hyun;Shin, Dong-Ryul
한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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2010.11a
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pp.80.1-80.1
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2010
A strontium titanate ($SrTiO_3$)-based material with a perovskite structure is considered to be one of the promising alternatives to $LaCrO_3$-based materials since $SrTiO_3$ perovskite shows a high chemical stability under both oxidizing and reducing atmospheres at high temperatures. $SrTiO_3$ materials exhibit an n-type semiconducting behavior when it is donor-doped and/or exposed to a reducing atmosphere. In this work, $Sr_{1-x}La_xTi_{1-y}M_yO_3$ materials doped with $La^{3+}$ in A-sites and aliovalent transition metal ions ($M^{n+}$) in B-sites were synthesized by the modified Pechini method. The X-ray diffraction analysis indicated that the materials synthesized by the Pechini process exhibited a single curbic perovskite-type structure without any impurity phases, and are tolerant, to some extent, to cation doping. The sintering behaviors of $Sr_{1-x}La_xTi_{1-y}M_yO_3$ in $H_2/N_2$ and air were characterized by dilatometry and microstructural observations. The electrical conduction mechanism and the dopant effect are discussed based on the defect structures and the electrical conductivities measured at various oxygen partial pressures and temperatures.
Kim, Keun-Soo;Lee, Ki-Ju;Suganuma, Katsuaki;Huh, Seok-Hwan
Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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v.18
no.3
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pp.33-37
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2011
In this study, the degradation mechanism of mounted chip resistors with Ag-epoxy isotropic conductive adhesives (ICAs) under the humidity exposure ($85^{\circ}C$/85%RH) was examined by electrical resistance change and microstructural study. The effect of the chloride content in Ag-epoxy ICA on joint stability was also examined. The increasing range of the electrical resistance in the typical ICA joint was greater than that in the low Cl content ICA joint. In the case of the typical ICA joint, Sn oxides such as SnO, $SnO_2$, and Sn-Cl-O were formed inhomogeneously on the surface of the Sn plating during the $85^{\circ}C$/85%RH test. In contrast, no Sn-Cl-O was found in the low Cl content ICA joint during the $85^{\circ}C$/85%RH. It is suggested that Cl in Ag-epoxy ICA accelerate the electrical degradation of Sn plated chip components joined with Ag-epoxy ICA.
This thesis was investigated on optical-and ion-induced characteristics in positive(a-$Se_{75}Ge_{25}$) and negative (Ag/a-$Se_{75}Ge_{25}$) resists for focused-ion-beam microlithogaphy. The a-$Se_{75}Ge_{25}$ inorganic thin film shows an increase in optical absorption after exposure to$\sim$$10^{16}$ dose(ions/$cm^{2}$) of Ga ions. The observed shift in the absorption edge toward longer wavelengths is consistent with that in films exposed to band-gap photons ($\sim$$10^{20}$ photons/$cm^{2}$). But, ion induced shift is twice as much as that in film exposed to optical radiation. This result may be related with microstructural rearrangements with in the short range of SeGe network. Due to changes in the short range order, the chemical bonding may be affected, which results in increased chemical dissolution in ion-induced film. Also, this resist exhibits good thermal stability because of its high Tg(~220$^{\circ}C$). The composition of deposited film measured by AES is consistent with that of bulk.
Journal of the Korean Society for Nondestructive Testing
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v.34
no.3
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pp.241-247
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2014
This study presents the ultrasonic nonlinearity of AISI316 austenitic stainless steels subjected to longterm isothermal aging. These steels are attractive materials for use in industrial mechanical structures because of their strength at high-temperatures and their chemical stability. The test materials were subjected to accelerated heat-treatment in an electrical furnace for a predetermined aging duration. The variations in the ultrasonic nonlinearity and microstructural damage were carefully evaluated through observation of the microstructure. The ultrasonic nonlinearity stiffly dropped after aging for up to 1000 h and, then, monotonously decreased. The polygonal shape of the initial grain structures changed to circular, especially as the annealing twins in the grains dissolved and disappeared. The delta ferrite on the grain boundaries could not be observed at 1000 h of aging, and these continuously transformed into their sigma phases. Consequently, in the intial aging period, the rapid decrease in the ultrasonic nonlinearity was caused by voids, dislocations, and twin annihilation. The continuous monotonic decrease in the ultrasonic nonlinearity after the first drop resulted from the generation of $Cr_{23}C_6$ precipitates and ${\sigma}$ phases.
Thin films of soft magnetic Fe-Hf-C alloys with nanoscale crystallites were investigated in this study. The films were fabricated by an RF diode magnetron sputtering apparatus and subsequently annealed in vacuum. The soft magnetic properties of the films were observed to differ depending on the different substrates such as Corning 7059, $CaTiO_3$ and $Al_2O_3-TiC$ with various underlayer(Cr, $SiO_2$) thickness. This results may be due to the interdiffusion between the substrate and the magnetic layer and/or between the underlayer and the magnetic layer, rather than the microstructural change such as grain size. The Fe-Hf-C films with high permeability up to 4000(at 1 MHz) and saturation magnetization up to 16 kG were obtained in the vicinity of phase boundary between the crystalline and amorphous state when the size of ${\alpha}-Fe$ grains is about 5 nm. And also the films were found to have thermal stability up to $600^{\circ}C$.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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