• 제목/요약/키워드: microstress on silicon surface

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반도체 제조 공정에서 실리콘 표면에 유입된 Stress의 마이크로 Raman 분광분석 (Micro Raman Spectroscopic Analysis of Local Stress on Silicon Surface in Semiconductor Fabrication Process)

  • 손민영;정재경;박진성;강성철
    • 분석과학
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    • 제5권4호
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    • pp.359-366
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    • 1992

  • 본 논문은 마이크로 Raman 분광분석법을 이용하여 국부적 열산화 후 실리콘 표면에 유입되는 스트레스를 평가한 것이다. 국부적 열산화 후 실리콘 표면에 유입되는 스트레스는 실리콘 산화막과 active 영역의 경계 부분에서 최대치를 나타내었다. Active 영역의 크기가 작아질수록 스트레스량은 증가하며, 이는 스트레스가 active 영역의 크기에 의존함을 보여 주는 것이다. 또한, active 영역이 $0.45{\mu}m$인 세 가지 소자 분리 공정, A, B, moB를 평가한 결과 moB 공정의 스트레스 값이 가장 작았으며, 새부리 효과도 가장 작았다.

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