• 한국재료학회지
• /
• 제10권12호
• /
• pp.819-824
• /
• 2000

본 연구에서는 Electron Cyclotron Resonance plasma etching system 을 이용한 Ta 박막의 미세 식각 특성을 연구하였다. 염소 plasma를 사용하여 microwave power, RF Power, working pressure, gas chemistry 등의 변화에 따른 식각 profile의 영향을 조사하였고, pattern density가 증가함에 따라 발생하는 microloading 현상을 $0.2{\mu\textrm{m}}$ 이하의 패턴에서 확인 하였다. 이를 개선하기 위하여 식각 과정을 두 단계로 분리하는 2단계 식각 공정을 수행하였으며 이를 통해 우수한 식각 profile을 얻을 수 있었다.

• 마이크로전자및패키징학회지
• /
• 제7권4호
• /
• pp.43-47
• /
• 2000

Electron cyclotron resonance플라즈마 식자 장비를 이용하여 순수 chlorine플라즈마로 Ta박 막의 식각 특성에 관해 조사하였다. Ta박막의 시각 기구를 연구하기 위해 Optical emission actinometry (OEA)를 사용하였고 OEA조사를 통하여 최적의 공정 조건을 얻었다. 이것에 기초하여 2단계 식각을 수행하였고 마이크로 로딩 철상을 성공적으로 제어하면서 0.15 $\mu\textrm{m}$ L & S 의 우수한 단면을 얻었다.

• 한국마이크로전자및패키징학회:학술대회논문집
• /
• 한국마이크로전자및패키징학회 2000년도 Proceedings of 5th International Joint Symposium on Microeletronics and Packaging
• /
• pp.97-102
• /
• 2000

We have studied etching characteristic of Ta film using Electron Cyclotron Resonance (ECR) etcher system. Microwave source power. RF bias power. and working pressure were varied to investigate the etch Profile. And we have used two step etching method to acquire the goWe have studied etching characteristic of Ta film using Electron Cyclotron Resonance (ECR) etcher system. Microwave source power. RF bias power. and working pressure were varied to investigate the etch Profile. And we have used two step etching method to acquire the good etch profile preventing the microloading effect.od etch profile preventing the microloading effect.

• 마이크로전자및패키징학회지
• /
• 제7권2호
• /
• pp.1-6
• /
• 2000

X-선 노광용 마스크의 재료로서 SiC와 Ta박막을 각각 ECR플라즈마 CVD, 스퍼터링 장비를 이용하여 증착한 뒤 잔류응력, 미세구조, 표면상태, 그리고 화학적 결합상태 등을 조사하였고, ECR etching system을 이용하여 Ta박막 미세 식각 특성을 연구하였다. SiC박막은 $N_2$분위기에서 RTA를 통하여 X-선 투과막 물질로서 필요한 적절한 인장응력을 변화 시킬 수 있었고, 공정 압력을 조절하여 증착한 Ta박막은 높은 밀도와 우수한 표면 평활도를 가지고 시간과 온도에 따른 응력의 안정성이 좋은 X-선 흡수체를 증착할 수 있었다. 또한 Cl 플라즈마는 흡수체 물질 Ta에 대해 좋은 식각특성을 보였고, two-step 식각을 통해 microloading effect를 억제함으로써 0.2 $\mu\textrm{m}$이하의 미세패턴을 식각해 낼 수 있었다.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
• /
• 대한전자공학회 1999년도 하계종합학술대회 논문집
• /
• pp.922-925
• /
• 1999

The Silylation photo-resist etch process was tested by Enhanced-ICP dry etcher. The comparison of the two process results of micro pattern etching with 0.25${\mu}{\textrm}{m}$ CD by E-ICP and ICP reveals that E-ICP has better quality than ICP The etch rate and the microloading effect was improved in E-ICP Especially, the problem of the lateral etch was improved in E-ICP.