• 한국정보통신학회논문지
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• 제11권4호
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• pp.754-759
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• 2007

FED는 잠재적인 평판패널기술에 따라 현재 탐구를 하였다. 특정하게, 최적화는 $Y_2O_3-Nb_2O_5$와 영향으로 효과적인 청색방출 형광체에 따라 형광체의 입자의 크기에 의해 발광이 모이는 정통한 것이었다. 여기는 254nm 이하이며, Bi는 $YNbO_4$ 형광체가 강하게 보였고, 청색 방출대는 비교적 폭이 좁았으며, 약 420-450 nm에 효과가 정점에 달하였다. 특정하게, 0.4 wt% Bi는 이트륨 형광체로서 도핑 이었으며 최대 방출강도를 보였고, $Y_2SiO_5:Ce$ 형광체가 훨씬 많음에 따라 거의 3배였다. 마지막으로 Ce는 $Y_2SiO_5$ 형광체로서 도핑이었으며 광대한 청색방출대와 강하게 나타내었다. 0.02-0.03 mol 농도로서 최대방출강도와 390-420 nm 이며 중심이었다.